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HERITAGE OF TECHNOLOGY

2024. 11
세계 최초 321단 낸드 양산 돌입
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2024. 09
세계 최초 12단 HBM3E D램 양산 돌입
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2024. 09
데이터센터용 고성능 SSD ‘PEB110 E1.S’ 개발
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2024. 08
세계 최초 10나노급 6세대 D램 ‘1c DDR5’ 개발
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2024. 06
AI PC용 고성능 SSD ‘PCB01’ 개발
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2024. 05
차세대 모바일 낸드 솔루션 ‘ZUFS 4.0’ 개발
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2024. 03
세계 최초 HBM3E D램 양산
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2024. 03
SK하이닉스, 초고성능 AI 메모리 ‘HBM3E’ 세계 최초로 본격 양산해 고객 납품 시작
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2023. 11
SK하이닉스, 세계 최고속 ‘LPDDR5T’ D램 첫 상용화
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2023. 10
SK하이닉스, 세계 최고속 모바일용 D램 ‘LPDDR5T’ 퀄컴과 성능 검증 완료
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2023. 08
SK하이닉스, 세계 최고 사양 ‘HBM3E’ 개발, 고객사에 샘플 공급해 성능 검증 진행
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2023. 08
SK하이닉스, 세계 최고 용량 LPDDR5X D램 양산
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2023. 08
SK하이닉스, 세계 최고층 321단 낸드 샘플 공개
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2023. 06
SK하이닉스, 세계 최고층 238단 4D 낸드 양산 돌입
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2023. 05
SK하이닉스 10나노급 5세대 DDR5, 세계 최초로 데이터센터 호환성 검증 돌입
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2023. 04
SK하이닉스, 세계 최초 12단 적층 HBM3 개발… 고객사에 샘플 제공
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2023. 01
세계 최고속 모바일용 D램 ‘LPDDR5T’ 출시
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2022. 08
세계 최고층 '238단 낸드' 개발
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2022. 06
HBM3 D램 양산 개시
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2022. 02
차세대 지능형 메모리반도체 PIM 개발
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2021. 10
세계 최초 HBM3 D램 개발
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2021. 07
EUV 활용 10나노급 4세대 D램 본격 양산
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2021. 04
업계 최고 성능 기업용 SSD 신제품 양산
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2021. 03
업계 최대 용량 LPDDR5 모바일 D램 양산
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2020. 12
업계 최고층 '176단 4D 낸드'개발
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2020. 10
세계 최초 DDR5 D램 출시
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2020. 07
초고속 D램 ‘HBM2E’ 본격 양산
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2019. 10
3세대 10나노급(1z) DDR4 D램 개발
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2019. 08
업계 최고속 ‘HBM2E’ 개발
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2019. 06
세계 최초 '128단 4D 낸드' 양산
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2019. 05
96단 4D 낸드 기반 1Tb QLC 샘플 출하
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2019. 03
차세대 데이터센터용 표준 ZNS SSD 업계 최초 시연
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2018. 11
세계 최초 CTF 기반 96단 4D 낸드 개발
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2018. 11
2세대 10나노급(1Y) DDR4 D램 개발
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2018. 11
2세대 10나노급(1Y) 16Gb DDR5 개발
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2018. 02
4세대(72단) 3D 낸드 기반, 차세대 PCIe eSSD 고객인증 시작
2018. 02
4세대(72단) 3D 낸드 기반 4TByte 기업용 SATA SSD 개발
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2017. 04
업계 최고 적층 72단 3D 낸드플래시 개발
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2017. 04
20나노급 8Gb 기반 세계 최고 속도 차세대 그래픽 DRAM GDDR6 개발
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2017. 01
세계 최대 용량 8GB 초저전력 모바일 DRAM LPDDR4X 출시
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2015. 02
8Gb LPDDR4 업계 최초 상용화
2014. 10
16GB 비휘발성 하이브리드 D램 모듈 최초 개발
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2014. 09
와이드 IO2 모바일 D램 세계 최초 개발
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2014. 04
128GB DDR4 모듈 최초 개발
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2013. 12
TSV 기술 기반 HBM 세계 최초 개발
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2013. 12
20나노급 LPDDR4 세계 최초 개발
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2013. 11
16나노 낸드플래시 양산 체제 구축
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2013. 10
세계 최초 20나노급 6Gb LPDDR3 개발
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2013. 06
세계 최초 고용량 8Gb LPDDR3 개발
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2012. 09
20나노급 4Gb 그래픽 DDR3 개발
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2012. 06
일반 소비자용 SSD 출시
2011. 04
30나노급 2Gb 차세대 DDR4 D램 개발
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2011. 03
TSV 기술 활용해 세계 최대용량 D램 개발
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2010. 12
세계 최초 30나노급 4Gb D램 개발
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2010. 02
낸드플래시 20나노급 64Gb 칩 개발 성공
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2010. 01
세계 최초 40나노급 2Gb 모바일 D램 제품 개발
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2009. 12
세계 최초 40나노급 2기가비트 그래픽 DDR5 개발
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2009. 10
업계 최고 성능 2세대 1기가비트 DDR3 개발
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2009. 08
세계 최초 4기가비트 모바일 D램 인텔 인증 획득
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2009. 04
54나노 기술 적용 세계 최고 성능 모바일 D램 개발
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2009. 03
세계 최초 8기가바이트 DDR3 서버용 모듈 인텔 인증 획득
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2009. 02
세계 최초 44나노 DDR3 D램 개발
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2009. 01
세계 최고속 DDR3 서버용 모듈 4GB ECC UDIMM 인텔 인증 획득
2008. 12
세계 최초 2기가비트 고용량 모바일 D램 개발
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2008. 12
세계 최초 8단 적층 16GB 낸드플래시 개발
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2008. 12
세계 최초 '웨이퍼 레벨 패키지' 적용한 초소형 서버용 모듈 개발
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2008. 11
세계 최고속 1Gb 그래픽스 D램 개발
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2008. 08
세계 최초 16GB 서버용 모듈 개발
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2008. 06
세계 최초 3중셀(X3) 기술 기반의 32Gb 낸드플래시 메모리 개발
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2008. 04
세계 최고속 모바일 LPDDR2 개발
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2008. 02
미국 메타램社와 2-Rank 기반 고성능 서버용 8GB DDR2 메모리 모듈 개발
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2008. 01
54나노 1GB/2GB DDR2 모듈 인텔社 인증 획득
2007. 11
세계 최초 1Gb GDDR5 개발
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2007. 11
54나노 1Gb DDR2 D램 인텔社 인증 획득
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2007. 09
세계 최초 24단 낸드 플래시 MCP 개발
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2007. 08
최고속ㆍ최소형 1Gb 모바일 D램 개발
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2007. 05
초고속 차세대 메모리 DDR3 업계 최초 인증 획득
2007. 05
업계최초 초박형 20단 낸드 플래시 MCP 개발
2007. 04
하이닉스, 퓨전메모리 DOC H3 본격양산
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2007. 03
세계 최고속 ECC 모바일 D램 개발
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2007. 01
최첨단 '웨이퍼 레벨 패키지' 기술 적용한 최고속 메모리 모듈 개발
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2006. 12
세계 최고속, 200MHz 512Mb 모바일 D램 개발
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2006. 12
세계 최초 60나노급 최고속 DDR2 모듈 개발
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2006. 03
업계 최초로 80나노 DDR2 D램 인텔社 인증 획득
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2005. 12
세계 최고속, 최대용량 그래픽 메모리 512Mb GDDR4 D램 개발
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2005. 11
독자적인 반도체 적층기술 적용한 초소형 메모리 모듈 2종 업계 최초 개발
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2005. 07
2GB DDR2-667 노트북용 모듈 업계 최초 인텔社 인증 획득
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2005. 06
최고속 1GB DDR2-800 모듈 업계 최초 인증 획득
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2005. 01
전력 소모 30% 줄인 x8 기반 서버용 메모리 모듈 개발
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2004. 03
1Gb DDR2 SD램 인텔社 인증 획득
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2004. 03
업계 최초로 초고속 DDR SD램 550MHz개발
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2004. 02
512Mb 낸드 플래시메모리 개발 성공
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2003. 12
512Mb DDR2 SD램 인텔社 인증 획득
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2003. 08
1Gb DDR2 개발 성공
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2003. 07
초고속 256메가 DDR500 출시
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2003. 06
512Mb/512MB DDR400 인텔社 인증 획득
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2003. 05
모바일용 초저전력 256Mb SD램 양산
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2003. 05
하이닉스, 0.10 미크론급 골든칩 양산 기술 성공
2003. 03
메가급 Fe램 상용화 기술 개발
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2003. 02
256Mb/256MB DDR 400 인텔社 인증 획득
2003. 01
333Mbps급 초고속 512Mb DDR SD램 인텔社 인증 획득
2002. 10
골든칩(Golden Chip) 기술 적용 0.10미크론급 512Mb DDR 개발
2002. 08
그래픽 메모리용 초고속 256Mb DDR SD램 최초 출시
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2002. 06
고성능 정보가전용 256Mb SD램 최초 출시
2002. 03
1GB DDR D램 모듈 출시
2002. 02
대만 VIA社에 DDR SD램 공식인증
2001. 12
세계 최고속 그래픽용 128Mb DDR SD램 출시
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2001. 11
하이닉스반도체, 차세대 휴대폰用 대용량 S램 개발
2001. 11
하이닉스반도체 DDR 333, 대만 SiS社로부터 고객인증 획득
2001. 06
32Mb초저전압형 플래시메모리 2종 출시
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2001. 05
1Mb 강유전체 메모리(FeRAM) 개발
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2001. 04
램버스社에 288Mb 램버스 D램 공식 인증
2001. 04
그래픽용 세계 최고속 DDR SD램 양산
2001. 03
차세대 단말기용 저전력 8Mb S램 개발
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2001. 03
메인 메모리용 DDR SD램 모듈 본격 공급
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2001. 02
미국 AMD에 DDR SD램 모듈 공식 인증
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2001. 01
초고속 512Mb DDR SD램 개발
2000. 12
초소형 256MB 반도체 모듈 개발
2000. 04
초저전압 플래시 메모리 출시
2000. 04
강유전체메모리(Fe램) 제품화 성공
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1999. 06
세계 최고속 그래픽용 16Mb SD램 양산
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1998. 12
세계최초 4Gb D램 용 감광제 양산 기술화 성공 및 기술수출
1998. 11
세계 최고속 128Mb S램 양산
1998. 10
4세대 64Mb SD램 개발
1998. 09
차세대 메모리 Fe램 개발
1998. 09
세계 최소형 다이렉트 램버스 D램 개발
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1998. 09
64Mb DDR SD램 개발
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1997. 11
세계최초 싱크링크 D램 시제품 개발
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1997. 05
세계최초 SOI기술이용 1Gb SD램 개발
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1995. 10
세계최초 256Mb S램 개발
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1993. 08
1Mb Fast S램 개발
1993. 07
16Mb D램 시험생산 돌입(FAB IV)
1992. 09
반도체 64Mb D램 개발
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1992. 09
2세대 16Mb D램 개발
1992. 09
국책과제 64Mb D램 시제품 개발
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1991. 11
1Mb Slow S램 개발
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1991. 04
4Mb D램 양산
1991. 03
반도체 16Mb D램 개발
1991. 02
국책과제 16Mb D램 시제품 개발
1989. 09
4Mb D램 개발
1989. 08
256K Fast S램 개발
1988. 06
256K Slow S램 개발
1986. 09
국책과제 4Mb D램 공동개발
1985. 12
16Kb S램 출하개시
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1985. 10
256Kb D램 양산체제 돌입
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1985. 05
64Kb D램 양산 개시
1985. 05
16Kb S램 양산 개시
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1984. 12
국내최초 16Kb S램 시험생산 성공
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