하이닉스반도체(대표 김종갑, www.hynix.co.kr)는 44나노 공정 기술을 적용해 세계 최초로 1기가비트(Gb) DDR3 D램을 개발했다고 밝혔다. 이 제품은 美 인텔의 규격과 호환성을 만족하는 제품으로 모듈 제품의 인증을 위한 실험도 조만간 인텔에 의해 진행될 예정이다.

이번에 개발된 44나노 공정을 적용한 1기가비트 DDR3 D램은 현재 양산중인 54나노 공정 대비 약 50% 이상 생산성이 향상된 제품으로, ‘3차원 트랜지스터 기술’로 누설 전류를 제어해 전력 소비를 최소화 하면서도 업계 최고 수준의 동작속도를 확보했다. 이 제품이 지원하는 최대 속도는 향후 차세대 DDR3의 표준속도가 될 것으로 예상되는 2133Mbps(초당 2133Mb 데이터 처리)이며, 다양한 전압을 지원하는 것이 특징이다.

44나노 공정을 적용한 DDR3 제품의 양산은 올해 3분기에 시작되며, 2010년부터는 다양한 용량의 DDR3 제품을 대규모로 양산할 계획이다. 또한 DDR3 제품의 초고속 동작과 저소비 전력 특성을 강화해 대용량 메모리 모듈, 모바일 D램, 그래픽 D램에 확대 적용할 계획이다.

40나노급 공정은 대부분의 D램 업체들이 2010년 이후 개발을 목표로 하고 있는 차세대 D램 제조 공정 기술로, 2009년 하반기 이후 시장의 주력 제품이 될 것으로 예상되는 DDR3에 주로 적용될 것으로 전망된다. 하이닉스는 40나노급 공정으로 세계 최초로 DDR3 제품을 개발해 업계 최고 수준의 기술력을 다시 한번 확인하게 됐으며, 향후 수요가 급증할 것으로 기대되는 DDR3 시장에서 경쟁사 대비 한 세대 앞선 공정기술을 적용한 차별화된 제품으로 시장을 선도할 수 있을 것으로 기대하고 있다.

2009년 2월 8일(日)
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<용어설명>

■ 기가비트 (Gb) & 기가바이트 (GB)
– 비트 (bit, binary digit) ; 소문자로 표기 ‘b’
메모리가 기억하는 정보의 최소단위로, 이진법의 한 자리수로 표현되는 단위(0 or 1) 이다.
– 바이트 (Byte = 8 bit) ; 대문자로 표기 ‘B’
정보를 표현하는 기본 단위로, 8개 비트를 묶어 바이트(Byte)라고 한다.

■ 3차원 트랜지스터
트랜지스터는 전류가 흐르는 일정 길이가 확보되어야 안정적으로 동작할 수 있는데, 나노급 제품에서 필요한 트랜지스터 길이를 확보하기 위해 실리콘 표면을 깎아내어 전류가 움푹 패인 표면을 따라 흐르게 만든 트랜지스터를 3차원 트랜지스터라고 한다.