하이닉스반도체(www.hynix.com)가 초고속 512메가 DDR(Double Data Rate) SD램 양산화에 성공했다고 20일 밝혔다.

하이닉스반도체는 이번에 개발한 333Mbps급 초고속 512메가 DDR SD램이 최근 美 인텔社로부터 모든 조건의 테스트를 통과했다는 제품인증(Validation) 결과를 통보 받음으로써 제품 신뢰도에 대한 국제적인 공신력을 얻게 되었다. 특히 512메가 DDR333 제품으로는 국내 최초로 인증획득에 성공함으로써 하이닉스반도체는 경쟁사 대비 기술경쟁력 우위와 업계의 기술 선두주자로서의 위치를 확고히 하는 기틀을 마련하였다.

하이닉스반도체 메모리연구소의 金赫鍊 상무는 “금번 인텔社의 제품인증 통보는 세계 CPU 및 칩셋시장의 60% 이상을 점유하고 있는 인텔社가 그 제품에 대한 성능을 보장한다는 의미로서, 이 결과만으로도 향후 제품판매에 최고의 공신력을 갖게 되었다” 고 말했다.

하이닉스반도체의 독자적인 공정기술인 프라임 칩(0.13미크론) 기술을 적용한 이번 제품은 DDR333의 초고속 동작속도를 실현하고, 2.5V의 외부전원과 TSOP 및 FBGA패키지를 적용하였다. 同제품의 이러한 특징은 서버用 2GB모듈 및 고사양 노트북用 1GB모듈 등 고집적 DDR 메모리 모듈의 조기개발을 가능하게 하여 하이닉스반도체의 고수익 창출에 기여할 것으로 기대된다.

이번 제품을 현재 양산중에 있는 하이닉스반도체는 추가적으로 512메가 DDR400제품도 인텔社에 곧 샘플을 제출할 예정이다. 신제품 개발에 박차를 가하고 있는 하이닉스반도체는 금번 초고속 512메가 제품의 양산으로 전략제품의 시장선도라는 가시적인 성과와 함께 경영정상화에 큰 일조를 할 것으로 기대된다.

2003년 1월 20일(月)
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– 현재 인텔社의 웹사이트(www.intel.com/technology/memory/ddr/valid/overview.htm)에서 확인가능

■ 용어 설명
– FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array) : 반도체 실장기술에서 프린트 배선 기판의 뒷면에 원형의 납땜을 어레이상으로 줄지어 배열해 리드를 대신하는 표면 실장형 패키지의 한가지.

– TSOP (Thin Small Outline Package) : 반도체 표면 실장형 패키지의 일종으로 패키지의 양 측면으로부터 리드핀(lead pin)이 갈매기 날개 모양인 L자상으로 나와 있는 패키지로 회로의 규모가 크지 않은 패키지를 말한다.