하이닉스반도체(대표 우의제(禹義濟), www.hynix.co.kr)는 업계 최초로 80나노 초미세 공정 기술이 적용된 DDR2 D램에 대해 美 인텔社의 인증을 받았다고 13일 밝혔다. 이번에 인증을 받은 제품은 PC, 노트북, 서버 등에 사용되는 80나노 512Mb(메가비트) DDR2 D램으로 1.8V의 동작전압에서 667Mbps와 800Mbps의 동작속도를 구현할 수 있는 제품 두 종이다.

80나노 D램은 현재까지 동작 성능에 대한 공식적인 인증을 받은 D램 중 가장 미세한 공정이 적용된 제품이다. 하이닉스반도체는 업계 최초로 80나노 DDR2 D램에 대해 PC용 마이크로프로세서 시장을 주도하고 있는 인텔社의 인증을 받게 됨으로써 D램 업계에서 첫번째로 이 제품의 동작 성능을 대내외적으로 공식 인정받게 되었으며, 최첨단 반도체 제조 기술과 미세회로 공정 기술에 대한 앞선 기술력을 다시 한 번 입증하게 되었다.

반도체 제조시 회로 공정 기술이 미세화되면 웨이퍼 원판에서 생산되는 칩 수가 늘어나기 때문에 생산성이 크게 향상된다. 이번에 인증을 받은 80나노 DDR2 제품은 이전 공정 기술을 적용한 제품 대비 생산성이 1.48배 증가되어 원가 경쟁력이 크게 향상되는 효과를 가져올 것으로 보인다. 또한 이 제품은 3차원 트랜지스터 구조가 적용되어 리프레시 타임(재충전 시간)이 개선되고 전력소모가 줄어드는 등 기존의 나노급 제품에 비해 보다 안정적인 동작 특성을 갖는다.

하이닉스반도체는 올해 2분기부터 이번에 인증을 받은 제품의 양산 작업에 들어갈 예정이다. 또한 향후 모바일 D램, MCP, 슈도S램 등 모바일 제품과 GDDR 등 그래픽 제품에도 80나노 공정 기술을 적용하여 첨단 나노급 반도체 공정 기술 분야에서 선도적인 위치를 강화하고 원가경쟁력을 보다 확고히 하여 지속적인 고수익을 창출할 계획이다.

2006년 3월 13일(月)
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■ 인텔社의 웹사이트에서 확인 가능합니다.

URL:http://www.intel.com/technology/memory/ddr/valid/ddr2_667_dram_results.htm

■ 용어 설명

– 3차원 트랜지스터: 트랜지스터는 전류가 흐르는 일정 길이가 확보되어야 안정적으로 동작할 수 있는데, 나노급 제품에서 필요한 트랜지스터 길이를 확보하기 위해 실리콘 표면을 깎아내어 전류가 움푹 패인 표면을 따라 흐르게 만든 트랜지스터를 3차원 트랜지스터라고 한다.

– 리프레시 타임 (Refresh Time): D램은 저장되어 있는 데이터를 유지하기 위해서 일정한 간격을 두고 주기적으로 저장된 내용을 다시 기록하는 작업이 필요한데, 다시 정보를 기록해야 하는 시간 간격을 리프레시 타임이라고 한다.