하이닉스반도체(대표 禹義濟, www.hynix.com)가 차세대 이동통신용 및SoC(System on Chip)용 메모리로서 가장 적합한 고집적 강유전체 메모리(Fe램: Ferroelectric RAM)의 상용화 기술 개발에 성공했다고 7일 밝혔다.

하이닉스반도체가 이번에 개발한 제품은 0.25미크론의 미세 가공기술을 적용한 4메가 및 8메가 Fe램 샘플로, 3.0V의 동작전압에서 70나노초(1나노초: 10억분의 1초)의 고속으로 쓰기와 읽기가 가능하며 천억번 이상의 반복쓰기가 가능하다.

同 제품은 트랜지스터와 캐패시터(Capacitor)를 각각 2개씩 구성한 기존 제품과 달리 각각 1개씩(1T1C)으로 구성해 메가급 샘플을 확보했다는 데 큰 의미가 있으며, 새로운 회로기술과 새로운 강유전체인 비스무스 란타늄 티타네이트(BLT)를 채용하여 칩 크기를 축소시키고 소자의 신뢰성도 대폭 향상시켰다.

또한 同 제품에 적용된 기술은 64메가급 Fe램까지 별도의 추가 기술개발 없이 활용할 수 있는 표준화된 기술로 개발됐으며, 단일 소자로서 뿐만 아니라 임베디드 메모리(Embedded Memory)로서 SoC에 응용이 가능해 향후 SoC 분야에서도 유리한 위치에 오를 수 있게 됐다고 하이닉스반도체는 밝혔다.

본 제품은 10일 미국 콜로라도 스프링스(Colorado Springs)에서 개최되는 제15회 ISIF (International Symposium on Integrated Ferroelectrics) 학회에서 공식적으로 공개된다.

하이닉스반도체는 현재 Fe램 기술과 관련하여 업계 최다인 150여건의 미국 특허가 등록 및 출원 중이며, 특히 1.0V 이하의 低전압에서도 동작할 수 있는 회로기술에 대한 원천특허를 최근 확보함으로써 차세대 이동통신용 메모리 기술개발에서 경쟁사들보다 한 발 앞서게 됐다. 하이닉스반도체는 향후 이번에 개발된 기술을 바탕으로 64메가급 Fe램 개발 및 안정적인 양산체제를 구축하여 본격적인 시장선점에 나설 계획이다.

한편, Fe램은 휴대폰, PDA, 스마트 폰, 스마트 카드 등의 휴대용 단말기들의 급속한 보급과 더불어 그 활용도가 빠른 속도로 확산될 것으로 예상되며, 2006년에는 100억불 규모의 시장으로 성장할 것으로 전망되고 있다.

2003년 3월 10일(月)
-끝-

■ Fe 램에 대한 설명
– D램과 같이 하나의 트랜지스터와 하나의 캐패시터가 단위 셀을 이루는 구조로서, D램과 같은 집적도와 S램과 같은 고속 동작이 가능하고, 플래시(Flash) 메모리와 같이 전원이 차단되어도 기록된 정보를 유지할 수 있는 비 휘발성의 특성을 가지는 통합 메모리. 현재 널리 사용되고 있는 D램, S램, 플래시 메모리를 대체할 차세대 메모리로 주목 받고 있다.