하이닉스반도체(대표 禹義濟, www.hynix.com)가 차세대 이동통신단말기, 개인휴대정보단말기(PDA), 디지털 카메라 등 휴대형 정보기기에 적합한 초저전력 SD램 개발에 성공, 업계 처음으로 양산에 들어갔다고 29일 밝혔다.

이번에 양산에 들어간 제품은 회로선폭 0.13미크론(1미크론=100만분의 1미터)의 미세회로 공정기술을 적용한 256메가 SD램으로, 동작전압을 기존의 3V 및 2.5V 보다 낮은 1.8V로 낮춰 전력소모를 50% 이상 줄인 획기적인 제품이다.

하이닉스반도체는 同 제품에 전기·전자부문 국제표준화기구인 제덱(JEDEC)에서 인증된 소비전력 절감 규격인 ‘PASR(대기時 데이터가 있는 부분만 충전)’, ‘TCSR(온도에 따라 충전 속도 조절)’, ‘DPD(사용 중단時 D램 작동 차단)’, ‘DS(출력부의 부하에 따라 소비전력 최소화)’라는 특수기능을 적용, 제품 성능의 효율화를 극대화 시켰다.

특히, TCSR 기능은 ‘Automatic TCSR(칩 내부에서 자동으로 온도에 따라 충전속도를 조절)’이라는 새로운 방식을 채용하여 경쟁사 대비 응답속도와 전력 소모면에서 월등한 경쟁력을 갖추고 있다. 또한 패키지에 있어서도 초소형 패키지 기술인 칩스케일패키지(CSP)의 일종인 54Ball FBGA를 채택해 제품 크기를 기존 제품(TSOP) 대비 40% 이상 줄여 소형·경량화 추세에 대응했다.

초저전력 SD램은 휴대형 정보기기의 대용량 메모리 제품 요구를 충족시킬 뿐만 아니라 배터리 사용시간 문제를 크게 개선시킬 수 있어 시장에서 각광을 받을 것으로 예상하고 있으며, 1.8V 제품의 경우 전체 시장규모가 오는 2006년 15억 달러 규모에 달할 것으로 전망하고 있다.

하이닉스반도체는 향후 일반 SD램보다 1.5배 이상 가격이 비싼 고부가가치 제품인 휴대형 정보기기용 초저전력 SD램 시장에서 자체 브랜드인 ‘핸디 SD램’의 적극 육성을 통해 초기 시장 확보에 따른 매출 증대를 기대하고 있다.

2003년 5월 29일(木)
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■ 용어 설명

– PASR(Partial Array Self Refresh) : 대기상태에서 데이터가 들어있는 뱅크(Bank)만 자체 충전하는 기능

– TCSR(Temperature Compensated Self Refresh) : 온도에 따라 충전속도를 조절 하는 기능

– DPD(Deep Power Down) : 사용을 중단했을 때 D램 작동을 차단하여 전력소비를 최소화 하는 기능

– DS(Driver Strength) : 출력부 부하 크기에 따라 메모리 출력부의 트랜지스터 크기를 조절하여 전류 소모를 최적화 하는 기능

– Automatic TCSR(Automatic Temperature Compensated Self Refresh) : TCSR의 경우 System내에 온도 센서가 따로 부착되어 온도를 감지한 후 CPU에 통신하면 CPU가 메모리의 충전 속도를 조절하는 반면, Automatic TCSR의 경우 Memory 내에 센서 기능을 갖춘 회로를 내장하여 자동으로 온도를 감지한 후 충전 속도를 조절함. TCSR처럼 CPU를 거쳐 통신하면서 발생되는 Speed 저하와 Power 소모를 줄일 수 있는 장점이 있음.

– 칩 스케일 패키지(Chip Scale Package) : 반도체부품의 실장면적을 가능한 한 칩 크기로 소형화하려는 기술.

– FBGA(Fine-pitch Ball Grid Array) : 반도체 실장기술상에서 프린트 배선 기판의 뒷면에 구형의 납땜을 어레이상으로 줄지어 배열해 리드를 대신하는 표면 실장형 패키지의 한가지.