하이닉스반도체(대표 우의제(禹義濟), www.hynix.co.kr)는 세계 최고속, 최대 용량의 그래픽 메모리 제품인 512Mb GDDR4 D램 개발에 성공했다고 밝혔다.

GDDR은 고속 그래픽 처리용 D램으로 컴퓨터, 게임기 등에서 동영상과 그래픽 데이터를 처리하는 역할을 수행하는 제품이다. 기존 D램이 x8, x16 등으로 비트가 구성되는데 비해 GDDR은 x32로 구성되어 일반 D램 보다 많은 용량의 데이터를 한꺼번에 처리할 수 있다. 특히 4세대 그래픽 메모리인 GDDR4는 기존의 GDDR3 제품에 비해 데이터 처리속도가 약 2배 정도 향상되어, 한번에 많은 데이터를 처리해야 하는 64비트 컴퓨터 운영체제에 특화된 제품으로 평가받고 있다.

하이닉스반도체가 개발한 512Mb GDDR4 D램은 기존 256Mb 제품에 비해 용량은 물론 속도에서도 앞선다. 하이닉스반도체의 GDDR4는 16Mx32의 구성으로 32개의 입출력 핀(I/O Pin)이 각각 2.9Gbps의 속도로 동작해 1초에 11.6GB의 데이터를 처리할 수 있다. 11.6GBps는 현존하는 D램 제품 중 가장 빠른 처리속도이며, 기존 GDDR4 제품의 최고속도이자 D램 속도의 한계로 여겨졌던 초당 10GB의 한계를 완전히 뛰어넘는 성과로 DVD급 동영상을 불과 0.2초 만에 처리할 수 있는 수준이다.

또한, 저전력 설계기술로 동작 전압을 1.5V로 낮춤으로서 소비전력 최소화가 필수인 차세대 노트북 제품에도 적용이 가능하며, 차세대 그래픽 메모리에서 요구되는 모든 인터페이스 (Double-pumped Address 지원, Multi-preamble, Data Bus Inversion)를 지원할 수 있는 것이 장점이다.

하이닉스반도체는 그래픽 메모리 제품 속도 경쟁에서의 선도적 지위와 우수한 제품 디자인 및 공정 기술력을 재확인 시켜준 이번 신제품을 주요 그래픽 칩셋(Chipset) 업체들에게 제공할 예정이며 내년 상반기에 본격적으로 양산할 계획이다. 또한 내년 하반기까지 초당 14.4GB의 속도를 갖는 GDDR4 D램 제품을 개발하여 선도업체로서 그래픽 메모리 제품 표준화를 주도하는 한편 수익성 확보에도 박차를 가할 계획이다.

2005년 12월 4일 (日)
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■ 용어 설명
– Double-pumped Address : GDDR4에서 채택된 어드레스 입력(address input) 방식으로 어드레스를 두 번에 나누어 입력시킴으로써 어드레스 라인(address line)을 반으로 줄이는 방식

– Multi-preamble : 초고속 동작(high speed)을 구현하기 위한 출력(output) 방식

– Data Bus Inversion : 출력(data output)의 변화(transition)를 최소화하여 초고속 동작(high speed)을 구현하는 방식