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SK하이닉스, ‘TSMC 2025 테크놀로지 심포지엄’ 참가… “HBM4 선보여 AI 메모리 리더십 부각”

SK하이닉스는 TSMC 2025 테크 심포지엄에서 HBM4, HBM3E 등 차세대 메모리와 RDIMM, MRDIMM 등 AI·데이터센터용 고성능 제품을 공개하며 기술력을 선보였다.

▲ TSMC 2025 테크놀로지 심포지엄 내 SK하이닉스 전시 부스

SK하이닉스가 23일(현지 시간) 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 개최된 ‘TSMC 2025 테크놀로지 심포지엄’에 참가해 HBM4* 등 핵심 메모리 설루션을 공개했다.

* HBM(High Bandwidth Memory): 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품. HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E)-6세대(HBM4) 순으로 개발됨

TSMC 테크놀로지 심포지엄은 매년 TSMC가 글로벌 파트너사와 최신 기술 및 제품을 공유하는 행사다. 올해 SK하이닉스는 ‘MEMORY, POWERING AI and TOMORROW’를 슬로건으로, ▲HBM Solution ▲AI/Data Center Solution 등 AI 메모리 분야 선도 기술력을 선보였다.

HBM Solution 존에서 SK하이닉스는 HBM4 12단과 HBM3E 16단 제품을 공개했다. HBM4 12단은 초당 2TB(테라바이트) 이상의 데이터를 처리하는 차세대 HBM으로, 최근 SK하이닉스는 해당 샘플을 세계 최초로 주요 고객사에 공급하고, 올 하반기 내로 양산 준비를 마무리할 계획이라고 밝혔다[관련기사].

이밖에도 HBM3E 8단이 탑재된 엔비디아의 최신 GPU(블랙웰) 모듈인 B100과 함께, TSV*, 어드밴스드 MR-MUF* 등 HBM에 적용된 기술을 알기 쉽게 표현한 3D 구조물을 전시해 많은 관람객의 이목을 끌었다고 회사는 설명했다.

* TSV(Through-Silicon Via): D램 칩에 수천 개의 미세 구멍을 뚫어 상하층 칩의 구멍을 수직 관통하는 전극으로 연결하는 기술
* 어드밴스드(Advanced) MR-MUF: 기존 칩 두께 대비 40% 얇은 칩을 휘어짐 없이 적층할 수 있는 칩 제어 기술(Warpage Control)이 적용되었으며, 신규 보호재를 통해 방열 특성까지 향상된 차세대 MR-MUF 기술

▲ (상단 왼쪽부터 시계 방향)SK하이닉스가 전시한 1c DDR5 RDIMM, DDR5 3DS RDIMM, DDR5 RDIMM, DDR5 MRDIMM, DDR5 Tall MRDIMM, 1c DDR5 MRDIMM

AI/Data Center Solution 존에서는 서버용 메모리 모듈인 RDIMM*과 MRDIMM* 라인업이 공개됐다. SK하이닉스는 10나노(nm)급 6세대(1c)* 미세공정 기술이 적용된 DDR5 D램 기반 고성능 서버용 모듈을 다수 선보였다.

* RDIMM(Registered Dual In-line Memory Module): 여러 개의 D램이 기판에 결합된 서버용 모듈 제품
* MRDIMM(Multiplexed Rank Dual In-line Memory Module): 여러 개의 D램이 기판에 결합된 서버용 모듈 제품으로, 모듈의 기본 동작 단위인 랭크(Rank) 2개가 동시 작동되어 속도가 향상된 제품
* 10나노(nm)급 D램 공정 기술은 1x(1세대)-1y(2세대)-1z(3세대)-1a(4세대)-1b(5세대)-1c(6세대) 순으로 개발되어 왔으며, SK하이닉스는 2024년 8월 세계 최초로 1c 기술 개발에 성공했다.

특히, 초당 12.8Gb(기가비트) 속도와 64GB(기가바이트), 96GB, 256GB의 용량을 지닌 MRDIMM 제품군과 초당 8Gb 속도의 RDIMM(64GB, 96GB), 3DS* RDIMM(256GB) 등 AI 및 데이터센터의 성능을 끌어올리고 전력 소모를 줄여주는 다양한 모듈을 공개했다고 SK하이닉스는 밝혔다.

* 3DS(3D Stacked Memory): 2개 이상의 D램칩을 TSV(수직관통전극)로 연결해 패키징을 완료한 고대역폭 메모리 제품

SK하이닉스는 “TSMC 2025 테크 심포지엄을 통해 HBM4 등 차세대 설루션에 대한 업계의 많은 관심을 확인할 수 있었다”며 “TSMC 등 파트너사와의 기술 협력을 통해 HBM 제품군을 성공적으로 양산하여 AI 메모리 생태계를 확장하고, 글로벌 리더십을 더 공고히 하겠다”고 밝혔다.

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