- 미 현지시장 공략 위한 전진기지
- 덤핑 문제 등 통상 마찰 해소로 경쟁력 강화
현대전자(대표: 정몽헌)가 미 오레곤주 유진(EUGENE)시에 설립한 반도체 공장이 본격 가동에 들어갔다. 64M 싱크로너스 D램을 생산하게 될 미 반도체 공장은 미현지법인(HEA:Hyundai Electronics America)이 13억 달러를 투자, 설립했으며 공장 부지가 25만평(206Acre), 양산 규모도 8인치 웨이퍼 기준으로 월 3만매를 가공할 수 있다.
현대전자는 10일 John Kitzhaber 오레곤 주지사, Jim Torrey 유진 시장, 김영환 현대전자 사장 등 600여명이 참석한 가운데 반도체 공장 Open 기념식을 가졌다. 기념식에서 김영환 사장은 "반도체는 현대전자의 핵심사업이다. 어려운 경제 상황을 극복하고 현대전자가 해외 반도체 공장을 완공, 본격 가동에 들어가 기쁘다."고 밝혔다.
96년 2월 '반도체 해외 생산시대 개막'의 기치를 걸고 착공에 들어가 올 5월 부터 본격 가동하는 미 반도체 공장은 올해 450만개의 64M SD램을 생산하며, 제품 생산이 본 궤도에 오르는 99년에 6천만개를 양산할 계획이다. 현대전자는 유진 반도체 공장 설립을 통해 미국 시장에 능동적으로 대응, 적기 제품 공급이 가능해졌으며, 대형 D램 수요처들의 다양한 요구를 수용, 공고한 협력체제를 구축하게 되었다.
한편 시장조사 분석기관인 IDC(International Data Corp.)에 따르면 64M D램 수요는 98년 5억개, 99년 12억개, 2000년 20억개로 확대될 전망인데, 현대전자는 PC 100 규격의 고성능 64M 싱크로너스 D램 기술력에서 우위를 확보하고 있고 컴팩, IBM 등 대형 거래처에서 우수업체로 인정받고 있어 미국 시장으로의 수출 확대가 기대된다.
회로선폭 0.25미크론(100만분의 1미터)의 초정밀도를 유지하는 이 반도체 공장은 약 800명의 현지인력을 고용, 운영하며 향후 시장상황에 따라 설비를 확장시켜 나갈 계획이다. 또한 현대전자의 생산기술과 현지의 연구개발기술, 그리고 지난 4월에 설립한 설계 전문회사 현대 다이나로직사의 설계 기술을 접목함으로써 제품 개발, 생산에서의 시너지 효과가 기대되고 있다.
1998년 5월 11일(月)
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