- 기존 3세대 제품과 비교시 칩크기 1/2 수준, 8인치 웨이퍼 1장 당 생산개수 2배 이상 증대
- 11월 생산 시작, 99년엔 월 400만개 이상 양산
- 수익성 향상 및 가격 경쟁력 강화
현대전자(대표: 김영환)는 기존 제품에 비해 생산성이 2배 이상 향상된 4세대 64M 싱크로너스D램(SD램)을 개발, 11월부터 양산을 본격화한다.
현대전자가 국내 이천공장과 미국 유진 공장에서 생산할 4세대 64M SD램은 회로선폭이 0.22미크론(1미크론은 100만분의 1미터)으로, 기존 3세대 제품에 비해 칩 크기가 2분의 1이상 줄었고, 웨이퍼(8인치 기준) 1장당 생산되는 칩 수(넷다이수)는 2배 이상 늘었다. 현대전자 관계자는 "4세대 64M SD램은 정품이 나오는 비율(수율)도 우수해 패키지(후공정)까지 거친 완성품 생산수에 있어서는 업계 최고 수준이다."고 밝혔다.
현대전자는 오는 11월부터 월 100만개의 4세대 64M SD램을 생산하며 99년에는 월 400만개 이상 생산량을 확대하며, 이와함께 99년 하반기에는 넷다이수가 500개인 제품과 넷다이수가 600개인 제품을 개발 양산할 계획이다. 4세대 64M SD램은 기존 제품에 비해 속도(Access Time)가 30% 빨라지는 등 성능이 우수해 PC-100 규격을 완벽하게 지원하며, 또 내부 저전압회로를 채용함으로써 절전효과가 뛰어나 데스크탑 PC, 워크스테이션은 물론 노트북 PC에도 적합하다.
한편, 6월 이후 현재까지 64M SD램 가격이 안정세를 보이고 있는 가운데, 현대전자가 칩 크기 축소를 통해 생산원가 절감에 성공함으로써 99년 이후 상당한 수익성 향상 및 가격 경쟁력 강화가 기대된다.
1998년 10월 29일(木)
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