현대전자, 초저전압 플래시 메모리 출시

현대전자(대표:朴宗燮)가 비휘발성 저장매체로써 응용 범위가 급속히 확대되고 있는 플래시 메모리(Flash Memory)분야에서 3종류의 제품을 출시할 계획이라고 11일 밝혔다. 이번에 출시할 제품들은 3V용 16메가 플래시 메모리 1종류와 2V/3V 용 Dual Bank형 16메가 플래시 메모리 2종류로, 회로선폭 0.35미크론(1미크론미터는 100만분의 1 미터)급 공정기술을 적용하였으며 고속 동작이 가능하다. 또한 저전력 고속 데이터 처리 시스템에 사용할 수 있는 JEDEC 규격을 만족시키며 업계표준형인 AMD (Advanced Micro Device)社 제품과도 호환성을 가지고 있다.

현대전자의 플래시 메모리 담당 임원인 Steve Grossman氏는 "이번 신제품들은 현대전자가 플래시 메모리 시장에 본격적으로 진출함을 의미하며, 생산기술과 대규모의 생산능력 兩 분야의 강점을 활용, 비용면에서 효율적인 대량 생산 체제를 구축하기 위해 이미 기술력이 입증된 동사의 D램 제조 시설에서 제품을 생산할 계획이다."라고 밝혔다.

플래시 메모리는 D램이나 S램과는 달리 전원이 끊어져도 정보가 기억되는 장점이 있으며 용도에 따라 크게 코드(Code) 플래시 메모리(NOR型)와 데이타(Data) 플래시 메모리(NAND型)로 분류된다. 코드 플래시 메모리는 휴대폰 단말기, PC의 롬 바이오스, 워크스테이션/서버, 네트워크 장비, 셋탑박스 등의 Program을 저장하는데 널리 사용되고, 데이타 플래시 메모리는 Flash Memory Card로 제작되어 디지털 스틸 카메라, MP3 플레이어, 모빌 컴퓨터 등의 화상이나 문자 데이터를 저장하는데 널리 사용되고 있다.

이번 현대전자의 제품들은 Stack Gate형의 셀(Cell)을 병렬방식으로 연결한 NOR형으로, 현대 전자가 독자 개발한 신기술인 'Triple Well Channel Erase'기술을 적용, 동급의 공정기술을 사용하는 경쟁사 제품들과 비교시 메모리 셀의 크기를 10~20% 가량 소형화 시켰을 뿐만 아니라, 자체 개발한 셀 특성분포 제어기술과 고속 Array Chip Architecture를 적용, 저전압인 2V에서도 90ns(1[ns]나노초는 10억분의 1초)의 고속동작이 가능하다. 특히 Dual Bank형 플래시 메모리는 칩 내부에 2개의 Bank를 만들어 한 Bank가 프로그램/소거 동작을 하는 동안 또다른 Bank는 동시에 읽기 동작을 가능하게 함으로써 휴대폰 단말기 등 이동통신분야의 응용제품에 적합하도록 제작된 최첨단 저전압 플래시 메모리 제품이다.

플래시 메모리는 사용분야가 급속히 확대되고 있으며 2003년경에는 116억불정도의 시장이 형성되어 S램 시장을 능가할 것으로 전문 시장 예측 기관들은 전망하고 있다. 현대전자가 금번에 출시할 플래시 메모리 제품들은 휴대폰 특히 단말기에 적합하도록 개발된 NOR형으로써, 세계 휴대폰 단말기의 생산거점으로 급속하게 부상하고 있는 국내 실정에 비추어 볼때 수입대체 효과가 클것으로 예측된다.

현대전자는 2000년 3/4분기부터 同 제품의 양산을 시작하여 올해 3천만불, 내년도에는 1억3천만불의 매출을 계획하고 있으며, 올 2/4분기중 0.25미크론 기술을 적용한 32M급 신제품의 개발도 완료하여 향후 플래시 메모리 주요 공급업체로서의 위상을 높일 계획이다.

2000년 4월 12일(水)
-끝-

■ 용어 설명
- JEDEC(Joint Electron and Device Engineering Council) : 반도체 제품의 전반 적인 제품 설계 스펙을 정하는 위원회이며, 미국의 전자업체 및 반도체 메이커로 조직되어 있는 단체로서 업계 표준을 결정한다.

- Bank : 주기억장치의 관리를 위하여 주기억장치를 나눈 논리적인 단위. 주기억장치를 증설할 경우를 대비하거나 뱅크 절환으로 한정된 기억장치 공간을 더 넓게 활용 하려는 목적으로 사용된다.