- 기존 제품보다 정보처리속도 35% 빨라
- 휴대용 PC, 네트웍 시스템, 블랙박스 등에 사용
- 99년 하반기 월 100만개 양산/판매
현대전자(대표: 김영환)가 동급 플래시 메모리 중 속도가 가장 빠른 8M 플래시 메모리(Flash Memory)를 개발했다고 14일 밝혔다. 플래시 메모리는 D램, S램 등과 달리 전원을 꺼도 칩에 정보가 기억되어 있는 비휘발성 메모리로, 쓰고 지우기를 수만번 반복할 수 있어 휴대용 PC, 네트웤 시스템, 셋탑박스 등에 사용되며, 충격에 매우 강해 항공기의 블랙박스에도 이용된다.
이번에 현대전자가 개발한 플래시 메모리는 정보처리속도가 45나노초(1 nano second = 10억분의 1초)로 1초에 한글 2천2백만자(200자 원고지 11만장) 분량의 데이터를 읽어 전송할 수 있어, 플래시 메모리 선두업체인 Intel社나 AMD社등이 상용화한 제품(70나노초)보다 35% 이상 속도가 향상되었다. 이 제품은 회로선폭이 0.35 미크론이고 5V 전원에서 동작하며, 메모리 구성요소인 셀(CELL)이 병렬로 연결되어 있어 데이터 처리속도가 빠르다.
현대전자는 99년 1/4분기부터 8M 플래시 메모리 생산에 들어가 하반기에는 월 100만개씩 양산/판매할 계획인데, 이 제품의 가격은 현재 약 6달러로 D램보다 비트(Bit)당 가격이 5배 이상 높은 고부가 가치 메모리이다. 플래시 메모리는 전세계적으로 1999년에 45억 달러, 2000년에 60억 달러의 시장 형성이 예상된다. 현대전자는 99년 하반기에 휴대 전화기 시장을 겨냥해 3V 이하에서 작동하는 저전압 8M/16M 플래시 메모리를, 그리고 2000년에는 대용량 기억장치(Mass Storage)용 플래시 메모리를 개발해 다양한 제품군을 구성해 나갈 계획이다.
한편 플래시 메모리는 한 개의 트랜지스터로 이루어지는 셀(Cell)에 고전압을 이용하여 데이터를 쓰거나 지우는 동작을 하며, 이 셀로부터 흐르는 미세 전류를 감지하여 정보를 읽는 반도체로 고속 제품을 만들기 위해서는 정확한 셀 특성분포를 제어해야만 하는 기술적 어려움이 있다. 현대전자는 자체 회로설계기술과 공정기술을 활용, 셀 특성분포를 제어하고 전기저항을 최소화함으로써 고속 플래시 메모리 개발에 성공했다.
1998년 10월 15일(木)
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