SK하이닉스가 6월 23일부터 26일까지(미국시간) 미국 라스베이거스에서 열린 ‘HPE Discover 2025’(이하 HPED)에 참가해 인공지능(AI) 시대를 선도할 기술 로드맵과 서비스 전략, AI 클라우드 비전을 공유했다.
HPED는 HPE(Hewlett Packard Enterprise) 사(社)가 매년 개최하는 글로벌 기술 컨퍼런스다. 올해는 ‘AI is here. Unlock what’s next(AI와 함께 다음의 가능성을 열다).’라는 슬로건 아래 AI 시대의 본격적인 개막과 그 이후의 가능성에 관해 집중 조명했다. 행사에서는 Tech Academy, AI Developer Workshop 등의 실습 교육과 기술 발표 세션, 데모와 전시가 어우러진 실무 중심의 네트워크 프로그램 등이 다채롭게 진행됐다.
SK하이닉스는 AI 인프라 구현의 핵심이 되는 차세대 AI 메모리 기술과 서버 및 스토리지 설루션을 중심으로 다양한 전시와 발표를 진행하며 회사의 기술 리더십을 적극 소개했다. SK하이닉스의 전시 부스는 ▲HBM* ▲Server DIMM* ▲eSSD* ▲CMM(CXL* Memory Module)-DDR5 등 총 네 개 섹션으로 구성됐다. 각 섹션에는 주요 제품 및 설루션을 직관적으로 전달하는 홍보 키오스크가 마련됐다. 또한, 자사 제품 캐릭터를 활용한 부스 디자인으로 관람객들의 이목을 집중시켰다.
* HBM(High Bandwidth Memory): 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품. HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E)-6세대(HBM4) 순으로 개발됨
* DIMM(Dual In-line Memory Module): 서버와 같은 컴퓨팅 시스템에 장착되는 표준 메모리 모듈로, 전송 속도와 용량, 구조적 설계에 따라 다양한 형태로 분류
* eSSD(Enterprise Solid State Drive): 서버나 데이터센터에 탑재되는 기업용 SSD
* CXL(Compute Express Link): 고성능 컴퓨팅 시스템에서 CPU/GPU, 메모리 등을 효율적으로 연결해 대용량, 초고속 연산을 지원하는 차세대 인터페이스. 기존 메모리 모듈에 CXL을 적용하면 용량을 10배 이상 확장할 수 있음
HBM 섹션에서는 ‘HBM4 12단’과 ‘HBM3E 12단’을 공개했다. HBM4는 AI 메모리에 요구되는 세계 최고 수준의 속도인 초당 2TB(테라바이트) 이상의 데이터를 처리하는 제품으로, 회사는 최근 업계 최초로 주요 고객사에 해당 제품 샘플을 공급하며 AI 메모리 기술 리더십을 다시 한번 증명한 바 있다[관련기사].
HBM3E는 현존하는 HBM 제품 가운데 최대 용량인 36GB를 구현한 제품이다. 방대한 데이터 처리를 위한 고용량 메모리 수요가 증가함에 따라, 회사는 지난해 9월 업계 최초로 HBM3E 12단 양산에 돌입했다[관련기사]. SK하이닉스는 HBM3E의 공급을 본격 확대하는 한편, HBM4 역시 고객 수요에 맞춰 적기에 개발·제공함으로써 글로벌 고객사들과의 파트너십을 더욱 강화해 나간다는 계획이다.
Server DIMM 섹션에서는 차세대 서버 시장을 겨냥한 DDR5 D램 기반의 메모리 모듈 라인업을 소개했다. 특히, 10나노(nm)급 6세대(1c)* 미세공정 기술을 적용한 RDIMM*, MRDIMM* 등 다양한 폼팩터의 제품이 전시돼 눈길을 끌었다. 이 중 DDR5 TALL MRDIMM은 고용량 구현을 위해 일반 MRDIMM 대비 높아진 물리적 폼팩터를 적용한 제품이다. 최대 256GB 용량과 12.8Gbps 속도를 지원하며, 고밀도 서버 환경에 대응하는 차세대 설루션으로 주목받고 있다. 또한, 저전력·고성능 구현이 가능한 LPDDR5X 기반의 고집적 메모리 모듈 SOCAMM도 함께 선보이며, 고성능 컴퓨팅(HPC) 및 AI 워크로드에 최적화된 메모리 포트폴리오를 강조했다.
* 10나노(nm)급 D램 공정 기술은 1x(1세대)-1y(2세대)-1z(3세대)-1a(4세대)-1b(5세대)-1c(6세대) 순으로 개발되어 왔으며, SK하이닉스는 2024년 8월 세계 최초로 1c 기술 개발에 성공했다.
* RDIMM(Registered Dual In-line Memory Module): 여러 개의 D램이 기판에 결합된 서버용 모듈 제품
* MRDIMM(Multiplexed Rank Dual In-line Memory Module): 여러 개의 D램이 기판에 결합된 서버용 모듈 제품으로, 모듈의 기본 동작 단위인 랭크(Rank) 2개가 동시 작동되어 속도가 향상된 제품
eSSD 섹션에서는 PS1010, PE1010, PE9010, SE5110 등의 기업용 SSD 라인업을 통해 다양한 서버 환경과 성능 요구를 충족할 수 있는 폭넓은 제품군을 공개했다. 또한, HPE ProLiant 서버에 PS1010을 탑재한 데모를 통해 실제 운용 환경에서의 성능과 안정성을 입증하고, HPE와의 견고한 파트너십을 강조했다. PS1010은 176단 4D NAND 기반의 고성능 eSSD로, PCIe* 5.0 인터페이스를 지원하며 AI 연산과 데이터센터 환경에 최적화된 설루션이다.
* PCIe(Peripheral Component Interconnect express): 디지털 기기의 메인보드에서 사용하는 직렬 구조의 고속 입출력 인터페이스
CMM-DDR5 섹션에서는 CXL 기반 메모리 모듈의 확장성과 효율성을 부각했다. CMM-DDR5는 기존 구성 대비 최대 50% 확장된 용량과 30% 향상된 메모리 대역폭을 제공한다. 회사는 CMM-DDR5가 탑재된 인텔 GNR-SP 플랫폼 서버를 통해 실제 운용 환경에서의 적용 가능성과 시스템 확장성을 함께 제시했으며, 기존 메모리 단독 구성 대비 성능과 비용 효율 측면 모두에서 경쟁력이 높다는 점을 강조했다.
한편, SK하이닉스는 이번 행사에서 CXL 및 eSSD를 주제로 총 2건의 발표를 진행했다. 이 중 Breakout 세션에서는 HPE와의 공동 발표를 통해 파트너십 기반 기술 협력 사례를 소개했다. ‘Empowering AI and Enterprise Storage: SK hynix’s Readiness for AI workload(AI 시대를 위한 eSSD의 혁신: AI워크로드에 대응하는 SK하이닉스)’를 주제로, SK하이닉스의 김학인 TL(NAND TP), 애니윤(Annie Yuan) TL(NAND TP)과 HPE의 Erik Grigson이 공동 발표자로 참여해, 엔터프라이즈 스토리지 환경에서의 AI 워크로드 대응 전략과 eSSD의 기술적 차별성을 공유했다.
Theater 세션에서는 김병율 TL(DRAM solution)과 산토스 쿠마르(Santosh Kumar) TL(DRAM TL)이 ‘CXL Memory Usage Model and Next CMM Proposal(CXL 메모리 활용 모델 및 차세대 CMM 제안)’을 주제로 발표를 진행했으며, 실제 활용 가능한 CXL 메모리 모델과 CMM-DDR5의 발전 방향에 대해 설명했다.
SK하이닉스는 “AI 인프라 확산 속도가 빨라지는 가운데, 고성능 메모리와 스토리지가 핵심 설루션으로 자리잡고 있다”며 “앞으로도 HPE 등 글로벌 파트너와의 협력을 바탕으로 시장 요구에 선제적으로 대응하며, 메모리 기반의 AI 인프라 혁신을 가속화해 나가겠다”라고 밝혔다.
