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진종문 게시글 43건

  1. [반도체 특강] 백그라인딩(Back Grinding), 웨이퍼의 두께를 결정 짓다

    2020.06.15|by 진종문 전(前)공정 완료 후 웨이퍼 테스트를 마친 웨이퍼는, 백그라인딩(Back Grinding)을 시작으로 후(後)공정을 진행합니다. 백그라인딩이란 웨이퍼의 후면을 얇게 갈아내는 단계를 말하는데요. 이는 단순히 웨이퍼의 두께를 줄이는 것을 넘어, 전공정과 후공정을 연결해 앞뒤 공정에서 발생하는 문제들을 해결하는 역할을 하지요. 반도체 칩(Chip)은 얇을수록 더 높이 적층(Chip Stacking)하여 집적도를 높일 수 있는데, 집적도가 높아지면 기능이 저하되지만, 동시에 이를 통해 제품의 성능도 향상시켜야 하는 모순도 안고 있습니다. 따라서 웨이퍼 두께를 결정짓는 연삭(Grinding) 방식은 반도체 칩당 원가를 줄이고 제품 품질을 결정 짓는 변수 중의 하나가 됩니다. 1. ..

  2. [반도체 특강] 경박단소(輕薄短小), 반도체 패키지의 방향

    2020.05.18|by 진종문 반도체 Fab 공정을 마친 회로 패턴화된 웨이퍼는 온도 변화, 전기적 충격, 화학적 및 물리적 외부 데미지 등에 취약한 상태에 놓이게 됩니다. 이를 보완하기 위해 웨이퍼에서 분리된 칩을 둘러싸는 방식이 있는데, 이를 반도체 패키징(Packaging)이라고 합니다. 반도체 칩과 마찬가지로, 패키지 역시 ‘경박단소(輕薄短小, 가볍고 얇고 짧고 작음)’를 목표로 발전합니다. 단, 내부에 있는 반도체 칩에서 외부로 신호를 연결할 때 걸림돌이 되어서는 안 되지요. 패키지 기술은 패키지를 내부적으로 형성하는 내형기술(Internal Structure), 외부적으로 형성하는 외형기술(External Structure), 그리고 PCB(Printed Circuit Board 혹은 이하 ..

  3. [반도체 특강] 메모리 반도체의 신뢰성(Reliability)下- 교란성(Disturbance)과 간섭성(Interference) 편

    2020.04.09|by 진종문 메모리 반도체의 신뢰성(Reliability) 문제는 대부분 일정 시간이 흐른 뒤 발생하는 불량 유형입니다. 낸드 소자를 구성하는 일정 부분이 열화를 받아 제 기능을 못하는 상태를 말하지요. 반도체의 회로 선폭이 좁아지고 용량이 커질수록, 신뢰성 중 교란성(Disturbance) 및 간섭성(Interference) 불량이 많이 발생하게 됩니다. 특히 높은 전압을 사용해 프로그램을 동작(데이터를 저장)시킬 때 문제가 더욱 자주 나타나지요. 지난 시간에는 비휘발성 메모리 2D 낸드를 중심으로 반도체의 네 가지 신뢰성 중 보존성(Retention)과 내구성(Endurance)에 대해 살펴봤는데요. 오늘은 지난 편에 이어 교란성(Disturbance)과 간섭성(Interferen..

  4. [반도체 특강] 메모리 반도체 신뢰성(Reliability)上- 보존성(Retention)과 내구성(Endurance) 편

    2020.02.13│by 진종문 반도체에서 가장 중요한 기능은 정확한 위치에 데이터를 저장하고 불러오며, 필요 없는 데이터는 깨끗이 삭제해 제때에 저장 공간을 확보하는 것입니다. 이렇게 반도체 제품이 가진 최소한의 성능을 일정 기간 동안 온전히 발휘할 확률을 ‘신뢰성’이라고 합니다. 기술이 발전함에 따라 반도체의 용량과 제품 종류는 다양해졌지만, 이러한 신뢰성은 계속해서 취약해졌다는 문제가 있습니다. 이번 장에서는 평면 타입(Planar type)의 비휘발성 메모리 2D NAND를 중심으로 보존성, 내구성, 교란성, 간섭성이라는 반도체의 네 가지 신뢰성을 알아보겠습니다. 그중 오늘 자세히 살펴볼 내용은 보존성(Retention)과 내구성(Endurance)입니다. 1. 반도체 고용량화에 따른 Cell의 ..

  5. [반도체 특강] 다(多)진법 반도체

    2020.01.20│by 진종문 지금까지 반도체는 경우의 수가 2개인 bit를 기준으로 시스템이 형성되고 발전해왔습니다. 이후 D램은 경우의 수가 3개, NAND는 4/8/16개 등으로 다(多)변화되었지요. 다만 D램에 3진법을 적용하려면 bit 체계를 trit 체계로 변경해야 하므로 향후 적용될 가능성은 희박합니다. 반면 NAND와 같이 경우의 수가 2진법 체계로 구성된 다(多)진법 반도체는 bit 체계를 연속적으로 발전시킬 수 있어 MLC, TLC, QLC 등 다양한 제품으로 개발되어 왔습니다. 오늘은 메모리 반도체가 어떠한 진법을 사용하는지를 알아보고, 이를 뒷받침하는 경우의 수가 bit 개념과 결합해 만들어내는 메모리 제품들을 쉽게 구분할 수 있는 시간을 마련했습니다. 1. 진법의 의미 숫자를 세..

  6. [반도체 특강] 반도체 캐리어(Carrier)에 대하여_다수 캐리어와 소수 캐리어

    2019.12.18│by 진종문 반도체 내 전류의 흐름을 발생시키는 것을 반송자 혹은 이동자라고 하며, 이는 주로 캐리어(Carrier)라 불립니다. 캐리어의 종류는 전자(Electron)와 정공(Hole, 전자가 없는 빈 공간)으로 나뉘지요. 캐리어는 자주 쓰이는 반도체 용어이지만, 정작 다수 캐리어와 소수 캐리어의 근원에 대한 논거는 부족한 면이 있습니다. 그래서 이번 장에서는 다수 캐리어와 소수 캐리어가 어디에서 왔는지, 그리고 이들 사이에는 어떠한 관계가 있는지에 대해 알아볼까 합니다. 1. 다수 캐리어와 소수 캐리어의 정의 반도체의 타입은 다수 캐리어의 종류에 따라 정해지는데, 크게 진성 반도체와 n형 반도체, p형 반도체로 나뉩니다. 다수 캐리어(majority carrier)란 이름과 같이 ..