30분만 투자하시면, SK하이닉스가 그리는 미래 메모리의 30년을 경험하실 수 있습니다.

※ 연사 소개

▶ 성명: 김진국

▶ 소속: SK하이닉스 미래기술연구원

▶ 약력
1986년 현대전자 입사 후 34년간 SK하이닉스에서 64M, 256M, 2Gb, 4Gb, 8Gb D램 개발 과정 참여
2008년 과학의 날 국무총리 표창
2009년 한국산업기술진흥협회 30주년 포상 장관 표창
2017년 이후 SK하이닉스 미래기술연구원장 부임
2019년 미래기술연구원 담당(CTO) 겸
Dual Buried Gate 기술을 이용한 20 nm급 D램 세계 최초 개발
TSV (Through Silicon Via) 기술 기반 HBM(High Bandwidth Memory) 세계 최초 개발