차세대 메모리 Fe램 개발 성공

현대전자(대표: 김영환)는 미국 벤처기업인 시메트릭스(Symetrix)사 및 셀리스(Celis)사와 공동으로 차세대 메모리 반도체인 256K Fe(Ferroelectric)램을 개발했다고 2일 발표했다. Fe램은 저전압, 고속동작이라는 D램의 장점과 저전력, 비휘발성(메모리가 보존되는 성질)이라는 플래시(Flash)메모리의 장점을 두루 가지고 있어 꿈의 메모리라고 불리우고 있다.

현대전자는 세계 최초로 256K Fe램 Working 샘플을 개발/발표함으로써 차세대 메모리 시장을 선도할 수 있는 기술력을 확보한 것으로 평가된다. 현재 미국 Ramtron사가 64K Fe램을 시판하고 있으며 NEC, Hitachi, Matsushita 등 일본 반도체 업체를 주축으로 치열한 개발경쟁이 가속화 되고 있으나 256K 급 이상 제품은 Cell 동작을 확인하는 정도에 그치고 있다. Fe램은 고성능, 저소모전력을 요구하는 휴대용 초소형 PC, 이동통신기기, 스마트 카드 등 의 수요증가와 병행하여 제조기술이 성숙되는 2000년 이후에는 Flash 메모리, S램 및 D램 시장을 대체해 나갈 것으로 예상된다.

현대전자가 개발한 Fe램은 한 셀이 D램과 동일하게 한 개의 트랜지스터와 한 개의 캐패시터(1T/1C)로 이루어져 있어 2개의 트랜지스터와 2개의 캐패시터(2T/2C)로 이루어져 있는 기존 Fe램에 비해 칩 크기를 대폭 감소 시켰다. 동작전압도 기존 제품의 5V에서 3V로 낮추어 소모전력을 줄였으며 강유전 물질은 기존의 PZT(Pb(Zr,Ti)O3) 대신 SBT(SrBi2Ta2O9)를 채용하여 제품 수명과 신뢰성을 크게 향상 시켰다.

이 제품은 분할 플래이트 구동방식 및 2층 금속배선의 설계 기술을 채택하여 제품의 고속화를 실현하였으며 국부배선공정(트랜지스터와 강유전체 캐패시터를 연결하는 공정) 및 강유전체 특성회복 열공정을 최적화하여 Fe램 개발의 가장 어려운 난제로 여겨지던 특성열화에 대처하는 기술을 개발하는데 성공함으로써 Fe램과 관련한 핵심기술을 확보하게 되었으며 이와 관련된 특허를 국내외에 100여건 출원하였다.

현대전자는 계속해서 256K Fe램의 성능향상과 4M 급 이상의 차세대 고집적 제품 개발을 진행하여, 강유전체를 이용한 복합반도체(Embedded Memory), RFID Card 등의 응용제품 개발에도 박차를 가하여 2000년 이후 예상되는 고성능, 저전력, 고속동작의 시스템 동향에 적극 대응해 나갈 방침이다. 한편, Fe램은 D램과 달리 전원이 차단되어도 저장된 정보가 지워지지 않는 비휘발성 소자로 기존의 비휘발성 기억소자인 플래시메모리나, 이이피롬(EEPROM)보다 동작 전압이 낮고 정보 기록 속도가 1천배 이상 빠르며 정보 기록 가능 회수가 1백만배 이상이다.

1998년 9월 2일(水)
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