현대전자, 강유전체메모리(Fe램)제품화 성공

현대전자(대표:朴宗燮)가 차세대 메모리 반도체로 떠오르고 있는 강유전체 메모리(이하 Fe램:Ferroelectric RAM)의 제품화에 성공했다. Fe램이란 D램의 용량, S램의 속도, 플래시 메모리의 정보보존기능을 결합한 '비휘발성 메모리'로서 기존의 비휘발성 메모리 소자인 플래시메모리나 EEP롬보다 동작전압이 낮고 정보기록 속도가 1천배 이상 빠른 차세대 미래형 메모리 반도체이다.

현대전자가 제품화에 성공한 제품은 64K와 256K Fe램 두가지이며, 곧 상품화가 가능한 수준의 제품 특성과 신뢰성을 확보함으로써, Fe램의 상품화 시기를 한단계 앞당긴 것으로 평가된다. 동사는 이 제품들을 오는 3/4분기에 세계 주요 관련 업체에 제공하여 그 특성을 검증한 후, 이동전화, 개인정보단말기(PDA), 스마트폰, 스마트카드 등의 시장을 본격 공략할 방침이다. 아울러 차세대 고집적 제품인 메가급 제품의 개발에도 전력, 초기 Fe램 시장의 리더로 자리잡을 계획이다.

이번 제품의 특징은 재료 측면에서 Fe램의 특성을 결정하는 강유전체 재료로 'SBT(스트론튬 비스무스 탄탈레이트)'를 사용하여 제품의 신뢰성을 높였으며, 설계 측면에서는 메모리 셀의 동작을 위해 사용되는 '내부 승압 회로'를 사용하지 않는 등 기존 기술과 차별화되는 획기적인 메모리 셀 구동방식을 채용함으로써 전력 소모를 크게 줄였다. 이 설계기술은 칩 크기의 소형화에도 유리하기 때문에 향후 메가급 제품 설계에도 적용할 예정이다. 따라서 이 기술이 적용된 동사의 64K Fe램의 경우 2V의 저전압에서 사용이 가능 하며, 256K Fe램의 경우 기준전압을 안정시켜 3V~5V의 넓은 범위의 전압에서 사용할 수 있다.

현대전자의 이번 Fe램은 저전압, 저전력 동작을 실현하여 휴대형 기기의 대체 메모리로 활용하는데 매우 적합한 제품특성을 갖고 있으며, 기존 D램 공정과 호환성이 있는 공정을 활용함으로써 저비용, 고성능의 제품을 구현하는데 적합한 제품으로 평가 받고 있다. 한편 세계 Fe램 시장은 2002년 약 12억 달러의 시장 형성을 시작으로 급속히 성장할 것으로 전망되고 있다.

2000년 4월 18일(火) -
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■ 용어 설명
- EEP롬 : 전원이 꺼져도 정보를 유지할 수 있는 ROM의 특징과 5V전원으로 정보를 입출력할 수 있는 RAM의 특징을 다 가지고 있음