하이닉스반도체, 日 도시바와 차세대 메모리 전략적 제휴로 주도권 확보

하이닉스반도체(대표 권오철(權五哲), www.hynix.com)는 일본 도시바와 핵심 차세대 메모리 ‘STT-M램(이하 M램)’에 대한 공동개발 및 합작사 설립을 통한 공동생산 계약을 체결했다고 13일(水) 밝혔다. 기존 특허 상호 라이선스 및 제품 공급 계약의 연장에도 합의했다. 

이번 M램 공동개발은 차세대 유망 기술 분야에 대한 세계 반도체 선도 업체간 협력이라는 점에서 성공 가능성이 높은 획기적인 협력으로 평가된다. 세계 반도체 시장 점유율 3위인 도시바는 M램의 기술 및 개발 능력 면에서 최고의 경쟁력을 갖춘 것으로 알려져 있다. 하이닉스는 업계 최고 수준의 메모리 반도체 기술과 원가경쟁력을 갖추고 있다.

M램은 초고속 및 저전력으로 동작이 가능하며, 전력의 공급 없이도 데이터를 보관하는 비휘발성의 장점과 함께 안정성 등을 두루 갖춘 차세대 메모리이다. 또한 기술적 한계로 여겨지는 10나노 이하에서도 집적이 가능하다. 이 제품은 초기에는 저전력 특성을 기반으로 모바일 시장에 진입한 후 중장기적으로는 PC 및 서버 시장까지 확대될 전망이다.

하이닉스 권오철 사장은 “M램은 빠른 동작 속도와 낮은 전력 소비, 높은 신뢰성 등의 기존 메모리의 장점을 두루 갖춰 새로운 모바일 기기 수요 확대와 제품의 고성능이 요구되는 ‘메모리 신성장 시대’에 최적화된 제품”이라고 평가했다.

도시바 반도체 부분 고바야시 사장은 “M램은 공정 미세화에 유리하여 향후 성공 가능성이 매우 높다”면서 “도시바는 M램, 낸드, HDD 등을 포함한 모든 스토리지 솔루션의 제공을 목표로 하고 있으며 하이닉스와의 M램 공동 개발은 이러한 목표 달성에 큰 도움이 될 것”이라고 덧붙였다.

이번 공동 개발로 양사는 기술적 장점과 자원을 최대한 활용해 개발 위험을 줄이는 한편, M램의 상용화 시기를 앞당길 수 있을 것으로 기대하고 있다. 또한 포괄적 제휴를 통해 양사가 공동 개발한 M램 제품은 합작사 설립을 통해 공동 생산될 예정이다. 공동 생산으로 양사가 투자비를 균등하게 분담할 수 있게 돼, 투자 위험을 축소하고 신속한 규모의 경제를 달성해 효율성을 높일 수 있게 될 것으로 예상하고 있다.

한편 하이닉스는 도시바와 기존의 반도체 특허 상호 라이선스 및 제품의 장기 공급 계약을 연장함으로써 양사간 특허 분쟁으로 인한 사업 불확실성을 완화하였으며 안정적인 판매 기반을 유지할 수 있게 되었다.

메모리 반도체 시장 내의 양사 위상을 감안할 때, 금번 협력은 차세대 메모리 시장의 경쟁 구도를 결정할 중요 사건일 뿐만 아니라 향후 메모리 반도체 시장의 판도를 바꿀 수 있는 중요한 이정표가 될 전망이다.

2011년 7월 13일(水)
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■ STT-M램 (Spin Transfer Torque - Magnetoresistive RAM)
STT-M램은 자성체에 전류를 가해 발생한 전자회전을 이용, 저항 값의 크기에 따라 데이터를 기록하고 보존하는 방식으로 동작하는 메모리이다. D램이 캐퍼시티에 저장된 전자의 유무를 이용해 0과 1의 정보를 구분하는 반면, STT-M램에서는 캐퍼시티 대신 구성한 ‘자기터널접합’의 자화상태(물체가 자성을 지니는 현상)에 따른 저항 차이를 이용해 0과 1로 정보를 구분한다. 낸드플래시와 같이 전력 공급 없이도 정보를 계속 보관하는 비휘발성 메모리이면서 무제한에 가까운 반복 기록 및 재생이 가능하다. 뿐만 아니라 주요 메모리들보다 소비 전력이 낮고 S램 수준의 초고속 동작이 가능해 다양한 어플리케이션에 적용이 가능하며 내성이 매우 강해 데이터가 손상되지 않는 등 안정성 측면에서도 최고 수준의 특성을 보유한 메모리이다. 특히 기존 메모리 제품에 있어서의 기술적, 물리적 한계로 여겨지는 10 나노미터 이하에서도 집적이 가능하여 향후 메모리 제품의 미세화 한계 극복을 위한 대안으로 가장 유력시되는 최적의 차세대 메모리로 평가 받고 있다.