· 기조연설 통한 회사 비전 소개와 함께 AI 메모리 제품 포트폴리오 전시

· 회사 최초 여성 연구위원 오해순 부사장, ‘기술혁신과 다양성’ 주제 발표

· “D램, 낸드 단품 뛰어넘어 AI 시대 이끌 통합 솔루션 경쟁력 세계에 알려 기술 리더십 공고히 할 것”

SK하이닉스가 오는 6~8(미국시간) 캘리포니아주 산타클라라(Santa Clara)에서 열리는 글로벌 메모리 반도체 행사인 ‘FMS 2024’에 참가해 최신 AI 메모리 기술과 제품을 선보이고 이 분야 미래 비전을 제시한다고 1일 밝혔다.

FMS는 지난해까지 낸드 기업들이 주로 참여하는 세계 최대 낸드 플래시 행사로 진행됐으나, AI 시대가 본격화되면서 주최 측이 D램을 포함한 메모리, 스토리지 전 영역으로 분야를 확대했다. 이에 따라 행사명이 기존 ‘Flash Memory Summit(플래시 메모리 서밋)’에서 ‘Future Memory and Storage(미래 메모리 및 저장장치)’로 리브랜딩(Re-branding) 됐다.

SK하이닉스는 “FMS 영역 확대에 발맞춰 올해는 제품 전시뿐 아니라 기조연설을 통한 회사 비전 발표 등 많은 준비를 했다 “AI 메모리 솔루션 미래를 선도하는 당사 경쟁력을 업계 전반에 알리는 기회로 이번 행사를 적극 활용하겠다고 강조했다. 회사는 지난해 FMS에서 세계 최고층 321단 낸드를 최초로 공개하는 등 이 행사를 통한 글로벌 소통에 공을 들여왔다.

행사 첫날인 6일, SK하이닉스 권언오 부사장(HBM PI 담당)과 김천성 부사장(WW SSD PMO) ‘AI 시대, 메모리와 스토리지 솔루션 리더십과 비전(AI Memory & Storage Solution Leadership and Vision for AI Era)’을 주제로 기조연설을 진행한다. 이들은 AI 구현에 최적화된 SK하이닉스의 D, 낸드 제품 포트폴리오와 AI 메모리 솔루션을 소개하며, 권 부사장이 D, 김 부사장은 낸드 분야 발표를 맡는다.

회사는 발표 주제에 맞춰 이번 행사에서 3분기 양산 계획인 HBM3E 12, 내년 상반기 양산을 목표로 준비 중인 321단 낸드 샘플 등 차세대 AI 메모리 제품들을 선보인다. (세부 전시 제품 내역은 하단 표 참고)

이와 함께, SK하이닉스는 자사 주력 제품들이 탑재된 고객사의 시스템 제품도 함께 전시, 빅테크 고객들과의 긴밀한 파트너십도 강조할 계획이다.

회사는 또, 메모리 업계에서 두각을 나타내고 있는 여성 리더들을 알리기 위해 진행되는 ‘FMS 슈퍼우먼 컨퍼런스(Super Women Conference)’에 올해 공동 스폰서(Sponsor)로 참여하기로 했다. 이에 따라, 7일 오후 열리는 컨퍼런스에서 회사의 최초 여성 연구위원인 오해순 부사장(Advanced PI 담당) ‘SK하이닉스의 미래 기술 혁신과 다양성(Diversity)에 대한 이해를 주제로 발표를 진행한다.

SK하이닉스 김주선 사장(AI Infra 담당) “AI 시대가 본격화되면서 D, 낸드 단품보다는 여러 제품을 결합해 성능을 높인 메모리 솔루션의 중요성이 점차 커지고 있다 “이번 FMS를 통해 이 분야를 선도하는 당사의 1등 경쟁력과 기술력을 글로벌 시장에 각인시키도록 할 것이라고 말했다.

[FMS 2024 주요 전시 제품]

이미지 제품명 주요 특징
1.321단 낸드 321단 낸드
  • - 업계 최초로 SK하이닉스가 개발을 발표한 300단 대 제품으로 내년 상반기 양산 예정
    - 321단 1Tb TLC 낸드는 이전 세대인 238단 512Gb 대비 59% 생산성 향상
2.ZUFS 4.0 ZUFS 4.0 - 온디바이스 AI용 차세대 모바일 낸드 솔루션
- 유사한 특성의 데이터를 동일한 구역에 저장하여 운용 및 데이터 전송을 최적화함
3.PCB01 PCB01 - 업계 최고 성능의 온디바이스 AI PC용 SSD
- 8채널(Ch.) PCIe 5세대 규격 적용해 데이터 처리 속도를 획기적으로 높임
- 연속 읽기, 쓰기 속도는 각각 초당 14GB, 12GB로 PC용 SSD 제품 중 업계 최고 성능
4.PS1010 PS1010 - 업계 최고 성능의 데이터센터/서버향 SSD로 PCIe Gen5 E3.S, PCIe Gen4 U.2 기반 제품
- 인하우스 기술 기반으로 다양한 엔터프라이즈 & AI 애플리케이션 지원
5.LPDDR5T LPDDR5T - 현존 최고속 모바일용 D램
- 동작속도 9.6Gbps로, HKMG 공정 적용해 성능 극대화
6.HBM3E HBM3E 12단 - 초고성능 AI용 메모리 제품으로 3분기 양산 예정
- 8단 제품은 지난 3월 세계 최초로 본격 양산했으며, 초당 1.2TB의 데이터를 처리
7.GDDR6-AiM GDDR6-AiM - 메모리 자체 연산 기능을 탑재한 PiM 제품
- 일반 D램 대신 탑재 시 특정 연산 속도가 최대 16배까지 빨라지며, 머신러닝, 빅데이터 연산 등에 활용 전망
8.CMS 2.0 CMS 2.0 - 고용량 메모리를 확장할 수 있는 CXL의 장점에 빅데이터 분석 응용 프로그램이 자주 수행하는 머신러닝 및 데이터 필터링 연산 기능이 포함된 메모리 솔루션

 

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