하이닉스반도체, 1메가 강유전체 메모리(FeRAM) 개발

하이닉스반도체(대표 朴宗燮, www.hynix.com)가 차세대 기억소자로 주목받고 있는 Fe램(强誘電體 메모리, Ferroelectric RAM)의 메가(Mega)급 양산시대를 여는 1메가 Fe램 개발에 성공했다고 3일 발표했다.

Fe램은 전원이 끊겨도 저장한 데이터를 잃지 않는 비휘발성 메모리로서, 현재 컴퓨터 및 이동통신 기기 등에 널리 사용되고 있는 D램, S램, 플래시 메모리(Flash Memory)의 장점을 모두 가지고 있는 이상적인 기억 소자이다. 특히, 데이터 유지용 캐패시터로 강유전체막(Ferroelectric Film)을 이용하는 Fe램은 기존의 비휘발성 기억 소자인 플래시 메모리나 EEPROM보다 동작전압이 낮고, 정보기록 속도가 1천배 이상 빠른 차세대 메모리 반도체이다.

그 동안 Fe램 제품은 신뢰성 확보의 한계로 인하여 업계에서 상용화된 제품은 저용량 제품에 그쳤으나, 하이닉스반도체의 신뢰성이 보장되는 이번 1메가 제품의 개발로 대용량 제품의 상품화 시기를 한 단계 앞당긴 것으로 평가되고 있다. Fe램은 현재 일부 반도체 업체에서 64K 및 256K급의 저용량 제품을 생산하고 있으며, 그 외에 더 낮은 수준의 저용량을 적용한 메모리와 로직(Logic)의 복합 칩에 적용하고 있는 실정이다.

이번에 하이닉스반도체가 개발한 제품은 0.35 미크론(1미크론=100만분의 1미터)의 미세 가공기술을 적용했으며, 3V에서 5V까지의 동작전압과 低소비전력, 100ns(나노초, 1ns=10억분의 1초)의 고속 동작을 할 수 있다. 또한 이 제품은 기존의 각각 2개의 트랜지스터(Transistor)와 캐패시터(Capacitor) 대신에 1개의 트랜지스터와 1개의 캐패시터로 구성하여 칩(Chip) 크기를 대폭 축소했으며, 강유전체 물질로 SBT(스트론튬 비스무스 탄탈레이트)와 당사에서 개발한 신물질을 사용했다.

하이닉스반도체는 Fe램 제품이 차세대 이동통신 기기 및 스마트카드(Smart Card) 등에서 커다란 시장이 형성되고 기존 메모리의 대체도 이루어질 것으로 예상하고 있으며, 이러한 시장의 초기대응을 위하여 연구개발을 포함한 지속적인 활동을 펴나갈 계획이다.

2001년 5월 4일(金)
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■ 용어 설명
- EEPROM : 전기적인 신호로 정보를 지우거나 기억시킬 수 있는 메모리로서 전원이 꺼져도 정보를 유지할 수 있는 ROM의 특징과 5V 전원으로 정보를 입출력할 수 있는 RAM의 특징을 다 가지고 있음.

- 캐패시터(Capacitor) : 일명 콘덴서(Condenser)라고도 하며 전기를 일시적으로 저장하는 역할을 하는 축전기를 말한다.