하이닉스반도체(대표 김종갑, www.hynix.co.kr)는 차세대 메모리 STT램의 기술 개발 업체인 미국 그란디스(Grandis Inc.)와 ‘STT램(Spin-Transfer Torque RAM)’ 기술에 대한 라이선스 및 공동 개발 계약을 체결했다고 2일 밝혔다.
이번 계약에 따라 하이닉스반도체는 업계 최초로 그란디스로부터 STT램에 대한 기술 라이선스를 취득했으며, 향후 두 회사는 양 사의 연구 인력을 공동 투입해 제품 개발에 협력하기로 했다.
STT램은 자기적 성질을 이용한 차세대 메모리로서 D램과 낸드플래시의 장점을 고루 갖춘 메모리 솔루션이다. 전력 공급 없이도 정보를 보관하는 비휘발성 메모리로 무제한에 가까운 반복 기록 및 재생이 가능할 뿐만 아니라, D램 이상의 고용량을 구현할 수 있는 것이 특징이다. 주요 메모리들보다 소비 전력이 낮고 D램보다 속도가 빠른 S램 수준의 초고속 동작이 가능해 다양한 어플리케이션에 적용이 가능하며 내성이 매우 강해 데이터가 손상되지 않는 등 안정성 측면에서도 최고 수준을 갖춘 기술이다.
STT램은 특히 기존 메모리 제품에 있어서의 기술적, 물리적 한계로 여겨지고 있는 40나노미터 이하에서도 집적이 가능한 최적의 차세대 메모리로 평가 받고 있다. 2012년경부터 본격적인 시장이 형성될 것으로 예상되며, 초기에는 모바일 어플리케이션에 사용되는 노어플래시를 대체 가능할 것으로 보이며 중장기적으로는 D램까지도 대체할 수 있을 것으로 전망되고 있다.
이번 계약을 통해 하이닉스반도체는 STT램 개발 분야에서 선도적 위치를 점하고 있는그란디스로부터 국내 최초로 기술 도입 및 공동 기술 개발 계약을 체결함으로써 차세대 메모리 기술의 조기 확보 및 향후의 시장 선점 가능성을 한층 높이게 되었다. 또한, P램 및 Z램 등과 함께 다양한 차세대 메모리 기술의 라인업을 구축함에 따라 향후 시장 주도 제품의 변화에도 한층 더 유연한 대응력을 확보할 수 있게 되었다.
한편, 이번 계약과는 별도로 하이닉스반도체는 지난해 말부터 시작된 지식경제부 주관의 “차세대 테라비트급 비휘발성 메모리 개발”의 2단계 사업의 일환으로 지난 1월 삼성전자와도 STT램 공동개발을 추진하기로 한 바 있다. 동 사업은 국가 R&D 사업으로서 하이닉스반도체가 도입키로 한 그란디스의 기술과 동작원리는 같지만, 데이터 저장 장소를 구현하는 방식에는 차이가 있어 독립적인 별개의 개발 과제로 진행될 예정이다.
2008년 4월 2일 (水)
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■ STT램 (Spin-Transfer Torque RAM)
STT램은 자기적 성질을 이용하여 데이터를 보존하는 방식으로 동작하는 메모리이다. D램에서는 캐퍼시티에 저장된 전자의 유무를 이용해 0과 1의 정보를 구분하는 반면, STT램에서는 캐퍼시티 대신 구성한 자기터널접합의 자화상태에 따른 저항 차이를 이용해 0과 1로 정보를 구분한다. 낸드플래시와 같이 전력 공급 없이도 정보를 계속 보관하는 비휘발성 메모리이면서 특히 무제한에 가까운 반복 기록 및 재생이 가능한 것이 특징이다. 또한 차세대 비휘발성 메모리 중 초고속 동작이 가능해 다양한 어플리케이션에 적용이 가능할 것으로 예상된다.
■ 그란디스
그란디스(www.grandisinc.com)는 2002년 미국 캘리포니아 실리콘밸리에 설립된 회사로서, 차세대 메모리 기술 중 하나인 STT램 개발의 선두에 위치하고 있는 IP 라이선스 업체이다. 현재 캘리포니아 및 일본에 연구소를 두고 있으며 관련 특허를 다수 보유 중이다.
