- 2010년 투자금액 3조 5백억 원으로 확대키로 결정, 미세공정전환 가속화 및 R&D 역량 집중
하이닉스반도체(대표: 권오철(權五哲), www.hynix.co.kr)는 2010년 투자금액과 관련해 기존 2조 3천억 원에서 7천5백억 원 늘어난 3조 5백억 원으로 확대한다고 밝혔다.
투자확대 배경으로는 견조한 수요를 바탕으로 최근 메모리반도체 시장환경이 변화되고 있는 가운데, 서버∙그래픽∙모바일 등 고부가가치 제품에 대한 고객 요구에 적극적으로 대응하기 위한 것이라고 설명했다. 또한, 차세대 제품 개발을 위한 R&D에도 투자를 확대해 기술경쟁력을 강화한다는 전략이다.
금번 확대된 투자는 경쟁사대비 40나노급 D램 공정전환을 가속화해 약 15% 수준인 40나노급 제품비중을 연말까지 약 50% 수준으로 확대할 예정이다. 40나노급 D램은 50나노급 대비 생산성이 50% 이상 향상되어 원가경쟁력이 강화되고, 이를 바탕으로 DDR3 등의 제품을 고객에게 적기에 공급해 수익성을 높인다는 계획이다.
하이닉스는 미세공정전환 가속화 및 차세대 제품 개발역량 집중으로 경쟁사들과의 원가 및 기술 경쟁력 격차를 더욱 확대할 계획이다.
2010년 5월 31일(月)
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