- 기존 제품 보다 칩 크기 20% 이상 작아
- 99년 2/4분기부터 월 100만개 이상 생산
- 싱크로너스 D램보다 6배 이상 빠른 정보처리속도
- DDR D램, 싱크링크 D램 등 차세대 고속 D램 기술확보로 효과적인 시장 공략 가능
현대전자(대표: 김영환)가 세계 최소형 72M 다이렉트 램버스 D램을 개발, 차세대 고속 메모리 시장에 본격 참여한다. 현대전자는 99년 1/4분기부터 램버스 D램을 양산하여, 2/4분기부터는 월 100만개 이상의 제품을 생산/공급할 계획이다. 현대전자는 이번 램버스 D램 개발과 함께 대표적 차세대 고속 D램으로 꼽히는 DDR(Double Data Rate) D램과 싱크링크 D램 개발이 거의 끝나, 곧 샘플을 출시할 계획이어서 PC-100용 64M 싱크로너스 D램을 비롯한 차세대 고속 D램 시장을 효과적으로 공략할 수 있게 되었다.
현대전자가 0.22 미크론(100만분의 1m) 회로선폭 기술을 적용/개발한 램버스 D램은 자체 칩 설계기술을 활용, 기존 경쟁사 제품에 보다 칩 크기를 20% 이상 줄임으로써 생산성이 크게 향상되었다. 칩 크기가 작아질수록 웨이퍼 1장에서 생산할 수 있는 칩 수가 늘어나, 그만큼 제조원가는 절감된다. 또 이 제품은 2.0 - 2.5V의 저전압 저소비전력을 구현하고, 초소형 반도체 패키지 기술인 마이크로 BGA(Ball grid array)패키지를 채용, 제품 크기를 최소화함으로써 데스크탑 PC, 워크스테이션 등 고성능 컴퓨터뿐 아니라 노트북 PC와 같이 저 소비전력을 요구하는 제품에도 채용이 가능하다.
이로써 현대전자는 현재 램버스사로부터 램버스 D램 개발 라이센스를 체결하고 있는 세계 14개 반도체 업체 중 가장 양산성 있는 제품을 개발한 것으로 평가받고 있다. 현대전자는 이번에 개발한 램버스 D램 사양에 대해 세계 대형 PC 업체인 컴팩, 델사 등으로부터 호평받고 있으며, 9월 15일 부터 17일까지 개최되는 IDF(Intel Developer Forum)에 램버스 D램 칩과 모듈(RIMM:Rambus In-line Memory Module)을 전시하고 있다.
한편, 램버스 D램은 2000년도에 64M D램 이상 세계 시장의 15% 정도인 30억 달러 규모의 시장을 형성할 것으로 예상되어 미래 주력 메모리 제품의 하나로 부상하고 있다.
1998년 9월 16일(水)
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