하이닉스반도체, 세계 최초 30나노급 4기가비트 D램 개발

하이닉스반도체(대표: 권오철(權五哲), www.hynix.co.kr)는 세계 최초로 30나노급 기술을 적용해 고용량의 4기가비트 DDR3 D램을 개발했다고 29일(水) 밝혔다. 또한, 30나노급 2기가비트 DDR3 D램에 대한 개발도 계획대로 완료해 내년 1분기 양산에 들어간다고 밝혔다. 

세계 최초로 개발된 30나노급 4기가비트 DDR3 D램은 향후 대용량 프리미엄 서버 및 고사양의 개인용 컴퓨터에서 요구하는 고용량∙고성능∙저전력 특성을 만족시킬 수 있는 제품으로, 하이닉스는 이 제품을 통해 향후 프리미엄 제품시장을 선점한다는 계획이다.

30나노급 D램은 기존 40나노급 D램에 비해 생산성이 70%가량 향상되어 원가경쟁력을 강화할 수 있고, 최대 2133Mbps의 데이터 처리속도를 구현해 기존 1333Mbps 제품대비 처리속도가 60% 가량 빨라졌다. 2133Mbps의 데이터 전송속도는 16개의 정보 입출구(I/O)를 통해 영화 3~4편에 해당되는 4.2기가바이트의 데이터를 1초내에 처리할 수 있는 속도이다.

또한, 30나노급 2기가비트 서버용 제품은 1.25V의 초저전압과 친환경 기술을 적용한 제품으로 기존 40나노급 2기가비트 제품보다 60% 이상 전력소모를 줄일 수 있어 저전력 친환경 IT 산업 발전에 크게 기여할 것으로 예상된다.

이와 같은 30나노급 D램 개발이 완료됨에 따라 하이닉스는 업계 최고 수준의 기술경쟁력 및 원가경쟁력을 확보하게 돼 후발업체와의 경쟁력 격차를 더욱 확대할 수 있게 됐다.

하이닉스 연구개발제조총괄본부장(CTO) 박성욱 부사장은 “하이닉스는 현재 전체 D램 생산량의 50% 가량을 2기가비트 제품으로 생산하고 있으며, 향후 고용량∙고성능∙저전력 제품 비중을 지속적으로 확대해 4기가비트 제품 등 프리미엄 시장을 주도적으로 이끌어 나갈 것”이라고 말했다.

한편, 시장조사기관 아이서플라이(iSuppli)는 2기가비트 D램 비중이 2010년 4분기 현재 30% 수준에서 2011년 3분기에 50%를 넘어설 것으로 전망하고 있다. 또한, 4기가비트 D램은 2011년 말부터 시장이 형성돼 2014년 약 43%까지 비중이 확대될 것으로 전망하고 있다.

2010년 12월 29일(水)
-끝–

■ 기가비트 (Gb) & 기가바이트 (GB)
- 기가 (Giga) ; 10억(109) 배를 나타내는 접두어
- 비트 (bit, binary digit) ; 소문자로 표기 ‘b’ 메모리가 기억하는 정보의 최소단위로, 이진법의 한 자리수로 표현되는 단위(0 or 1)
- 바이트 (Byte = 8 bit) ; 대문자로 표기 ‘B’ 정보를 표현하는 기본 단위로, 8개 비트를 묶어 바이트(Byte)라 함