- 세계 유수 화학업체인 클라리언트사와 계약 체결
- 향후 10년간 6천만 달러 로얄티 수익 예상
현대전자(대표: 김영환)가 세계 최초로 개발한 4기가(Giga bit = 10억 비트) D램용 화학재료 양산기술을 수출한다. 현대전자는 4기가 D램 이상의 고집적 반도체 생산에 사용되는 화학재료인 감광제(아르곤플로라이드 감광제 : ArF Photoresist) 제조기술을 스위스 클라리언트사(Clariant International Ltd.)에 제공하며, 감광제 매출액에 비례하여 일정액의 로얄티를 받기로 하는 내용의 계약을 체결했다고 28일 밝혔다.
작년 8월 국내 유수 화학업체인 D사와 감광제 제조기술 이전 계약을 체결한 현대전자는 이번 클라리언트사와의 계약체결에 이어 해외 업체들과 감광제 기술이전을 추진 중에 있어 현대전자는 향후 10년간 감광제 기술부문에서만 6천만 달러 이상의 기술료 수익을 얻게될 전망이다. 또한 장기적으로 차세대 ArF 감광제를 보다 저렴한 가격에 안정적으로 확보할 수 있게 되어 칩 제조원가 중 25%를 차지하는 원료비 비용을 절감할 수 있고, 감광제 제조에 사용되는 모든 재료를 100% 국산화함으로써 2000년에는 국내 업계 전반적으로 약 2천억원의 수입대체 효과도 기대된다.
현대전자와 기술도입 계약을 체결한 클라리언트사 관계자는 "현대전자의 감광제 제조기술을 검토해 본 결과, 현존하는 감광제는 물론이고 현재 개발이 진행중인 여타 감광제보다도 제품특성이 뛰어나 당분간 이보다 뛰어난 감광제 제조기술은 나오기 어렵다고 본다"고 극찬했다. 전세계에 3만명이 넘는 직원을 거느린 세계적 화학업체인 클라리언트사가 현대전자의 기술을 도입함으로써 현대 기술의 우수성이 입증되었다. 감광제란 초미세 회로를 웨이퍼에 전사(사진기법을 이용, 회로를 형성)시킬 때 사용되는 고분자 원료로서, 고집적도 반도체 제조공정의 성패를 좌우하는 핵심 원료이다.
현대전자가 제조기술 개발에 성공한 ArF 감광제를 사용할 경우 반도체 회로선폭을 0.11 미크론(1미크론은 100만분의 1미터) 수준까지 미세화할 수 있어 4기가 D램 개발을 2년 정도 단축할 수 있고, 256M D램 생산에 적용시 웨이퍼당 칩 생산개수(넷다이수)를 대폭 늘릴 수 있다. SIA(Semiconductor Industry Association, 반도체 협회)에서는 0.13미크론 회로선폭을 형성할 수 있는 감광제 개발이 늦어져 2003년에야 4기가 D램 샘플이 출하될 것이라 전망했지만, 현대전자의 감광제 개발로 2001년 4기가 D램 샘플 생산이 가능해졌다.
감광제의 세계 시장 규모는 98년 2천5백억원에서 2000년 6천700억원 규모로 확대되고, 현재 64M D램 생산에 이용되는 KrF(크립톤 플로라이드)감광제는 99년 말부터 ArF 감광제로 대체될 전망이다.
한편, 클라리언트 인터내셔날사는 본사가 스위스 Muttenz에 위치한 세계적인 화학업체로 연간 매출액이 100억 스위스 프랑(한화 약 8조 3천억원)을 상회하고 국내 클라리언트 산업을 포함, 세계 90개국 130지역에 생산시설을 보유하고 있다.
1999년 4월 29일(木)
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