하이닉스, 0.18미크론 고전압 공정기술 세계 최초 개발

하이닉스반도체(대표 우의제(禹義濟), www.hynix.com)가 세계 최초로 0.18미크론 고전압(High Voltage) 공정기술 개발에 성공했다고 25일 밝혔다.

하이닉스반도체가 이번에 개발한 고전압 공정기술은 LDI (LCD 구동 IC) 등 고전압을 요구하는 비메모리 반도체 소자를 제조하는데 필요한 핵심 공정기술로, 기존 0.25 및 0.35미크론 공정으로는 2~3개의 칩(Chip)이 필요하지만 0.18미크론 고전압 공정기술을 이용하면 소스 및 게이트 드라이버, 컨트롤러, 직류전압 변환 회로, 프레임 메모리(S램) 등을 단일 칩으로 구현할 수 있다.

이에 따라 LDI의 제조비용을 획기적으로 절감할 수 있어 가격경쟁이 치열한 LDI 시장에서 가격 경쟁력을 확보할 수 있게 됐으며, 경쟁업체의 고전압 공정기술보다 칩 면적 기준으로 20~30% 축소가 가능하여 휴대폰의 소형화 및 경량화도 가능하게 됐다.

0.18미크론 고전압 공정기술은 휴대폰 디스플레이의 화면이 커지고 해상도가 증가함에 따라 집적하여야 할 프레임 메모리의 양이 커지는 한편 동영상 및 3차원 게임의 보편화로 그래픽 기능이 복잡해지고 있어 향후 휴대폰용 LDI 의 대세로 정착되고 있다.

하이닉스반도체는 이미 이 기술을 自社 단일칩 TFT-LCD LDI 제품에 적용하여 시제품을 고객에게 제공하고 있으며, 또한 국내 유수의 LDI 전문 업체에서 이 기술을 이용한 LDI 제품을 개발하여 실장 테스트 한 결과 동영상 구현 등 동작특성이 우수하여 다음달부터 제품양산에 들어갈 예정이라고 밝혔다. 특히 LDI가 LCD 패널의 폭발적인 수요 급증에 힘입어 반도체 시장의 새로운 수익 창출원으로 떠오르고 있는 가운데 이번 개발에 성공한 고전압 공정기술을 통해 하이닉스반도체는 휴대폰용 LDI 분야에서 일본 업체들을 제치고 업계 선두 자리를 노릴 수 있게 됐다.

하이닉스반도체는 향후 추가적인 공정 단순화를 통한 초저전력 고전압 공정을 올해 말까지 개발 완료하는 등 대형화되고 있는 휴대폰창용 LDI시장을 위해 보다 다양한 고전압 공정기술 개발을 통해 시장 개척에 더욱 박차를 가할 방침이다.

2003년 8월 25일(月)
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■ 용어 설명
- 소스 드라이버(Source Driver) : TFT 판넬의 열을 구동시키는 기능
- 게이트 드라이버(Gate Driver) : TFT 판넬의 행을 순차적으로 구동시키는 기능