· D램, 낸드, CIS, P&T 등 다양한 기술 분야 혁신특허 총 10건 선정

· 혁신특허 발명한 재직 연구원 17명 대상 총상금 2억 4,000만원

SK하이닉스가 ‘제4회 혁신특허포상 시상식’을 개최했다고 25일 밝혔다.

시상식은 SK하이닉스 지속경영담당 김윤욱 부사장, 특허담당 민경현 부사장 등 담당 임직원들이 23, 24일 양일간 경기도 이천, 분당에서 근무하는 수상자들을 직접 찾아가는 방식으로 진행됐다.

이번 시상식의 최고상(금상)은 총 2건으로, D램 회로 면적을 줄이면서 리프레시(Refresh) 기능을 개선한 D램개발 이강설, 김용미 TL과, D램 내부의 배선 간 컨택(Contact) 저항을 낮추고 불량률을 저하시킨 미래기술연구원 김승범 TL이 수상했다.

SK하이닉스는 이외에도 낸드, CIS, P&T 등 다양한 기술 분야에 걸쳐 총 10건(금상 2건, 은상 3건, 동상 5건)의 혁신특허를 선정하고, 혁신특허를 발명한 재직 연구원 17명에게 상패와 총상금 2억 4,000만원을 수여했다.

SK하이닉스는 2018년부터 매년 혁신특허포상 제도를 시행해 임직원들의 연구 의욕을 고취하고 강한 특허를 발굴하는 데 앞장서고 있다. 이 제도는 SK하이닉스 등록 특허 중 매출 증대와 기술 문제 해결에 크게 기여한 혁신특허를 선정해 이를 발명한 재직 연구원을 포상하는 방식으로 운영된다.

SK하이닉스는 현재 전 세계 2만 건 이상의 특허를 보유 중이며, 향후에도 강한 특허를 지속적으로 발굴해 글로벌 반도체 경쟁력을 강화한다는 방침이다.

SK하이닉스가 지난 23,24일 양일간 경기도 이천, 분당에서 제4회 혁신특허포상 시상식을 가졌다. (왼쪽부터)SK하이닉스 특허담당 민경현 부사장, DRAM개발담당 차선용 부사장, DRAM설계 이강설 TL, 김용미 TL, 지속경영담당 김윤욱 부사장.▲SK하이닉스가 지난 23,24일 양일간 경기도 이천, 분당에서 제4회 혁신특허포상 시상식을 가졌다. (왼쪽부터)SK하이닉스 특허담당 민경현 부사장, DRAM개발담당 차선용 부사장, DRAM개발 이강설 TL, 김용미 TL, 지속경영담당 김윤욱 부사장.
(왼쪽부터)SK하이닉스 미래기술연구원 김승범 TL, 지속경영담당 김윤욱 부사장.▲(왼쪽부터)SK하이닉스 미래기술연구원 김승범 TL, 지속경영담당 김윤욱 부사장.

 

[용어설명]

■ 리프레시(Refresh)

D램에서 일정 시간마다 데이터를 유지해 주는 기능. D램은 셀(Cell)에 전하를 축적해 데이터를 저장하는데, 전원이 차단되거나 시간이 지남에 따라 전하가 누전돼 저장된 데이터가 손실되는 특성이 있다. 이를 방지하기 위해 주기적으로 셀을 재생해 데이터를 상기시켜 주는 것을 ‘리프레시’라고 한다.

■ 컨택(Contact) 저항

칩 내부의 미세한 소자와 회로는 웨이퍼 상에 여러 개의 막(Layer)을 쌓고 수차례 깎아내는 과정을 통해 형성되는데, 여기서 위아래의 막과 막 사이를 전기적으로 연결해주는 기둥 형태의 구조물을 ‘컨택’이라고 말한다. 컨택에서 발생하는 저항을 낮추는 것이 제품 불량률을 낮추는 관건이다.

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