SK하이닉스가 28일 코엑스 컨벤션 센터에서 개최된 ‘델 테크놀로지스 포럼 2024(Dell Technologies Forum 2024, 이하 DTF)’에 참가해 AI 시대를 주도할 차세대 메모리 솔루션을 선보였다.
DTF는 미국 전자 기업 델 테크놀로지스(Dell Technologies)가 주최하는 연례 기술 포럼으로, IT 업계 리더와 관계자들이 참가하여 새로운 정보 기술(IT) 솔루션을 선보이고 최신 기술 동향을 탐구하는 자리다. 올해 행사는 ‘인공지능(AI)을 통한 혁신의 가속화’를 주제로, 브레이크아웃(Breakout) 세션과 다양한 전시 부스 등이 마련됐다.
이번 행사에서 SK하이닉스는 ‘MEMORY, THE POWER OF AI’라는 슬로건 아래 3개 파트(▲Server & Datacenter ▲PC & Mobile ▲New Tech)로 부스를 구성하고 다양한 AI 메모리(Memory) 제품들을 선보였다.
▲ DTF 2024에 전시된 SK하이닉스의 CCM-DDR5, HBM3E, LPCAMM2 등 제품들
New Tech 부스에서는 차세대를 이끌 메모리 솔루션으로 떠오르고 있는 ▲HBM*3E ▲CMM(CXL® MEMORY MODULE)-DDR5 ▲LPCAMM2를 시연하며 관람객의 이목을 끌었다. HBM3E는 초당 최대 1.2TB(테라바이트)의 데이터를 처리하는 현존 최고 성능의 D램(DRAM)으로, 현재 AI 시장에서 주목받는 제품 중 하나다. 가장 최신 버전인 HBM3E 12단 제품은 3분기에 양산을 시작해 4분기부터 고객에게 공급을 시작할 계획이다.
* HBM(High Bandwidth Memory): 여러 개의 D램을 수직관통전극(TSV, Through Silicon Via)으로 연결해 고대역폭을 구현한 메모리로, 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품. HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E) 순으로 개발됨. HBM3E는 HBM3의 확장(Extended) 버전
CMM-DDR5는 DDR5 D램에 CXL*® 메모리 컨트롤러를 더한 제품으로, DDR5 D램만 장착한 시스템에 CMM-DDR5를 추가로 장착하여 기존 시스템보다 대역폭은 최대 50% 향상되고, 용량은 최대 100%까지 확장할 수 있다. CXL®은 HBM과 함께 차세대 메모리로 불리며 고성능∙고용량을 필요로 하는 AI 시대의 중추적인 솔루션으로 기대를 받고 있다.
* CXL(Compute Express Link) : 고성능 컴퓨팅 시스템을 효율적으로 활용하기 위한 차세대 인터페이스
LPCAMM2는 여러 개의 LPDDR5X* 패키지를 하나로 묶은 모듈로, 기존 SODIMM* 2개를 LPCAMM2 1개로 대체하는 성능 효과를 가지면서 공간 절약뿐만 아니라 저전력과 고성능 특성을 구현한 것이 특징이다. 전력 소모량을 줄이면서 높은 데이터 처리 능력이 핵심인 온디바이스 AI* 시장의 니즈를 충족하는 제품으로 주목을 받고 있다.
* LPDDR5X: 스마트폰과 태블릿 등 모바일용 제품에 들어가는 D램 규격으로, 전력 소모량을 최소화하기 위해 저전압 동작 특성을 갖고 있음. 규격 명에 LP(Low Power)가 붙으며, 최신 규격은 LPDDR 7세대(5X)로 1-2-3-4-4X-5-5X 순으로 개발됨. LPDDR5T는 SK하이닉스가 최초 개발한 버전으로, 8세대 LPDDR6가 업계에 공식 출시되기 전 7세대인 LPDDR5X의 성능을 업그레이드한 제품
* SODIMM(Small Outline DIMM): PC에서 사용되는 초소형 모듈로 전체 길이가 짧음
* 온디바이스(On-Device) AI: 물리적으로 떨어진 서버의 연산을 거치지 않고 기기 자체에서 AI 기능을 구현하는 기술. 스마트 기기가 자체적으로 정보를 수집, 연산하기 때문에 AI 기능의 반응 속도가 빨라지고 사용자 맞춤형 AI 서비스 기능도 강화되는 장점이 있음
▲ DTF 2024에 전시된 SK하이닉스의 제품을 관람하는 관람객들
이 밖에도 SK하이닉스는 ▲PS1010 ▲PCB01 등 실제 델 사(社)와 협력 중인 제품을 소개해 관람객의 눈길을 사로잡았다.
PS1010은 초고성능 기업용 SSD(Enterprise SSD, eSSD)로, 176단 4D 낸드를 다수 결합한 패키지 제품이다. 이전 세대 대비 읽기∙쓰기 속도가 최대 150% 이상 향상됐으며 낮은 탄소 배출량으로 데이터 사용이 많은 애플리케이션, 클라우드 컴퓨팅, AI 구동 등에 최적화된 프리미엄 제품이다.
PCB01은 온디바이스(On-Device) AI* PC에 탑재되는 업계 최고 성능의 SSD(Solid State Drive) 제품으로 당사가 최초로 8채널(Ch.)* PCle* 5세대 규격을 적용해 데이터 처리 속도의 성능을 획기적으로 높였다. 이 제품의 연속 읽기와 쓰기 속도는 각각 초당 14GB(기가바이트), 12GB로 PC용 SSD 제품 중 업계 최고의 성능이 구현됐으며, 대규모 AI 연산 작업의 안정성을 크게 높여 줄 것으로 기대하고 있다.
* 채널(Ch.): SSD에 탑재되는 낸드플래시와 컨트롤러 간 데이터 입출력(I/O) 통로의 개수. 이 채널이 늘어남과 동시에 PCIe 세대가 발전하며 데이터 처리 속도가 개선되므로 주로 4채널 SSD는 일반 PC용 시장, 8채널 SSD는 고성능 PC 시장을 타깃으로 함
* PCIe(Peripheral Component Interconnect Express): 디지털 기기의 메인보드에서 사용되는 직렬 구조의 고속 입출력 인터페이스
▲ DTF 2024에서 메모리 기술의 역할과 중요성에 대해 설명하는 나은성 팀장(HBM사업전략)
한편, 브레이크아웃 세션에서는 SK하이닉스 나은성 팀장(HBM사업전략)이 ‘AI 시대의 SK하이닉스 메모리 솔루션’을 주제로 빠르게 발전하는 AI 시대에서 메모리 기술의 역할과 중요성에 대해 발표했다. 특히, AI 기술 발전에 따라 변화하는 메모리 요구 사항과 사용자 경험을 향상시킬 수 있는 기술이 주목받을 것이라고 강조하며, 핵심 솔루션 중 하나로 SK하이닉스가 독자 개발한 HBM의 주요 기술인 MR-MUF*를 소개했다.
* MR-MUF(Mass Reflow Molded Underfill): 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 공간 사이에 액체 형태의 보호재를 주입하고, 굳히는 공정. 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식 대비 공정이 효율적이고, 열 방출에도 효과적이라는 평가. 특히, SK하이닉스의 어드밴스드 MR-MUF는 기존 공정보다 칩을 쌓을 때 가해지는 압력을 줄이고, 칩의 휨 현상 제어(Warpage Control)도 향상해 HBM 공급 생태계 내에서 안정적인 양산성을 확보하는 데 핵심이 되고 있음
SK하이닉스는 “이번 DTF를 통해 차세대 AI 시장을 이끌 대체 불가한 솔루션을 선보일 수 있었다”라며 “앞으로도 글로벌 파트너들과 협력을 통해 AI 시대 메모리 시장에서 선두 자리를 공고히 다지기 위한 혁신을 이어가겠다”고 전했다.
