현대전자, 반도체용 新 감광제 양산화 성공

현대전자(대표 朴宗燮)가 반도체 회로선폭 기술의 한계로 인식되고 있는 0.10미크론보다 더 미세한 0.09미크론(1미크론=1백만분의 1 미터)의 초미세 회로선폭 공정을 가능케하는 새로운 감광제(ArF PR : 아르곤 플로라이드 포토레지스트)의 양산화에 성공하였다.

이번에 양산화에 성공한 아르곤 플로라이드 감광제는 반도체 제조공정의 핵심기술인 사진공정의 회로형성에 사용되는 물질로써, 지난 '97년 7월에 동사가 발표한 0.13미크론급 아르곤 플로라이드 감광제를 국내 반도체 재료 전문 업체인 동진쎄미켐㈜과 공동으로 그 특성을 획기적으로 개량시킨 고분자 재료이다.

현대전자의 금번 新 감광제는 지난 1월 및 5월 2차례에 걸쳐 차세대 반도체 기술의 표준화 활동을 하는 비영리단체인 인터내셔널 쎄마테크 (International SEMATECH : 美 Texas Austin소재)로부터 세계 유수의 반도체 재료업체들이 성능 테스트를 의뢰해 온 아르곤 플로라이드 여러 감광제들 중, 비메모리 반도체 분야에서 충분한 공정마진을 확보함과 동시에0.09미크론급의 회로선폭 형성을 가능케 하는 유일한 감광제로 평가받았으며, 변형 노광기술을 적용할 경우에는 0.07미크론까지도 패턴형성이 가능하다고 현대 전자는 밝혔다.

특히 인터내셔널 쎄마테크의 발표 직후 TI社와 Intel社 등 미국의 대표적인 반도체 회사들이 현대전자가 개발한 감광제를 이용한 공정 테스트를 적극적으로 실시하고 있는 상황이다. 현대전자의 이번 감광제는 1리터당 3백만원 정도의 초 고가품으로서, 금년을 시작으로 2006년 경에는 시장규모가 최소 약 10억불 이상으로 확대될 것으로 예상되며, 이 감광제를 이용한 반도체 제품의 양산시 막대한 로열티 수입이 예상된다고 현대전자는 밝혔다.

본 감광제 양산 프로젝트를 담당한 현대전자의 백기호 수석연구원은 "일본의 경우 반도체 회사들이 자국 재료업체들의 기술개발을 이끌면서 반도체 전체기술의 인프라를 구축하여 궁극적으로는 일본 전체의 반도체 기술을 세계 최고 수준으로 이끌 수 있었다"고 강조하면서, "현대전자는 일본 반도체 회사들의 공존전략을 모델로 삼아 현재 국내의 동진쎄미켐 뿐만이 아니라 K社 및 C社 등과도 반도체 재료연구에 관하여 적극적인 공동연구를 수행하고 있고 몇 달 이내로 가시적인 성과물이 발표될 것"이라고 했다. 또한 "그 동안의 공동연구 결과로 아르곤 플로라이드 감광제 뿐만 아니라 유기 난반사 방지막(일명 BARC) 등 아르곤 플로라이드 패턴형성 기술분야에서는 앞으로 국내 재료업체들이 세계를 이끌게 될 것이다"라고 밝혔다.

한편, 현대전자는 이번에 양산에 성공한 아르곤 플로라이드 감광제의 원천기술을 지난 98년 동진쎄미켐㈜에 기술 이전 후 양산을 위한 공동개발을 시작했었고, '99년에는 세계 유수의 화학회사인 스위스의 클라리언트(Clariant)社에 기술을 수출한 바 있다.

2000년 6월 13일(火)
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■ 용어 설명
- PR(Photo Resist, 일명 감광제) : 반도체 제조공정시 사진식각 공정에 사용되는 물질로써 설계된 회로를 빛의 반응에 의해 웨이퍼 위에 형성할 때 사용되는 고분자 재료

- 1 미크론 : 1백만분의 1미터

- International SEMATECH(Semiconductor Manufacturing Technology) : '96년 세계 반도체 기술의 표준화를 주도하기 위해 탄생한 단체로 세계 유수의 반도체 13개 업체에서 파견된 120명을 포함한 600여명의 직원이 9개의 개발 Program에서 활발한 공동개발 활동을 추진중인 비영리 단체
- 변형 노광기술 : 빛의 경사입사를 통하여 선폭의 크기를 작게하는 기술

- 유기 난반사 방지막(BARC : Bottom Anti-Reflective Coating) 공정 : 반도체 노광공정의 가장 중요한 특성인 해상력의 확보와 패턴크기 균일도의 향상을 위해 기판으로부터의 광 간섭효과를 억제하는 공정기술