- 국제 표준화 기구(JEDEC)의 최신 규격 PC266 완벽 지원
- 세계적 컴퓨터 회사로부터 제품 주문 받아
- 기존 장비 활용 양산 가능, 추가 설비 투자 불필요
현대전자(대표: 김영환)가 최근 차세대 메모리인 64M DDR(Double Data Rate) 싱크로너스 D램을 출하했다. 현대전자는 올해 초 세계적 컴퓨터 회사인 미국의 휴렛팩커드(HP)社, IBM社 등에 DDR 싱크로너스 D램(이하 DDR SD램) 칩과 모듈을 공급하여 품질의 우수성을 인정받고 DDR SD램 공급업체로 지정되었으며, 여타 컴퓨터 및 워크스테이션 업체로부터도 제품 공급을 요청받고 있어 시장 전망이 매우 밝은 편이다.
현대전자가 개발, 생산하는 64M DDR SD램은 회로선폭이 0.22미크론(1미크론 = 100만분의 1미터)이고, 국제표준화기구인 JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council)에서 최종 확정된 PC266 규격을 만족시킨다. 또한 4,8,16비트 등 다양한 데이터 버스 폭을 지원하며, 클럭 주파수는 133MHz이고 Pin당 Data 전송속도는 266Mbps(bit per second)이므로 같은 주파수의 SD램보다 데이터 전송속도가 2배이상 빨라, PC서버, 고성능 워크스테이션 등 대용량 메모리를 필요로 하는 제품에 적합하다. 현대전자는 64M DDR SD램에 이어 128M DDR 싱크로너스 D램의 양산도 올해 3/4 분기부터 본격화할 계획이다.
DDR SD램은 현대전자를 비롯하여 삼성전자, 후지쯔 등 주요 반도체 제조회사가 합의한 차세대 고속 D램으로, 기존의 64M 싱크로너스 D램과 동일한 패키지 및 공정을 사용함으로써 별도의 추가 설비 투자가 없이 제품 생산이 가능하다. DDR SD램의 강력한 경쟁자로서 차세대 주력 메모리로 유력시되는 램버스 D램의 칩셋(Camino) 출하가 5월에서 9월로 재차 지연됨에 따라 DDR 싱크로너스 D램의 시장 확대가 예상되고 있으며 특히, 非 Intel CPU채용 PC에 주메모리로 채택이 고려되고 있어 동 제품의 시장이 99년 하반기부터 급속히 신장 될 것으로 예상된다.
현대전자는 99년 하반기부터 전개될 차세대 고속 메모리 시장에 대응하여 DDR SD램에 대한 제품 개발을 완료하고 초기에 시장을 선점할 계획이며, 이와 함께 다이렉트 램버스 D램, 가상 채널(Virtual Channel) 메모리 등 다양한 차세대 메모리 제품군을 갖춰 시장변화에 능동적으로 대처할 수 있게 되었다.
1999년 3월 5일(金)
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