256M SD램 제조원가 20% 절감

현대전자(대표: 김영환)가 256M 싱크로너스 D램(이하 SD램) 제조원가를 20% 절감할 수 있는 새로운 구조의 메모리 제조기술 개발에 성공했다고 30일 밝혔다.

이번에 현대전자가 개발한 메모리 제조 기술 [IMC (Inner MPS Cylinder)]은 기존 방식에 비해(동일 회로선폭 적용시) 웨이퍼 1장당 생산 가능한 칩 수(넷다이수)를 25%이상 늘릴 수 있어 현대전자 D램의 가격 경쟁력과 수익성은 한층 개선될 전망이다. 현대전자는 최근 이 IMC 기술을 이용한 256M SD램용 웨이퍼 제작에 성공했으며 4/4분기부터 256M SD램을 비롯해 64M SD램, 128M SD램, DDR SD램 등 다양한 제품 양산에 이 기술을 적용하게 된다.

지난해 11월 세계 최소형 256M SD램 샘플을 출하한 현대전자는 이 기술을 양산단계에 적용, 1세대 제품보다 사이즈가 35% 이상 작은 2세대 256M SD램 샘플을 올 4/4분기에 출하할 계획이다. 메모리 제품의 가격 경쟁력이 칩 사이즈 축소에 있는 만큼 현대전자는 이번 기술 개발을 통해 256M SD램 제품에서 세계 최고의 가격경쟁력을 확보할 것으로 기대된다.

현대전자 김세정 전무(메모리개발연구소장)는 "이번 메모리 제조기술 개발을 통해 기존 64M D램 생산설비(현재 0.21미크론 제품 생산)를 활용, 회로선폭 0.16미크론(100만분의 1미터)급 제품 생산이 가능해졌다. 설계회로를 웨이퍼에 轉寫시키는 스테퍼(Stepper) 장비만 변경하고 나머지 메모리 생산 설비를 그대로 활용하여 차세대 제품을 생산함으로써 경제적이며, 또 이미 검증된 재료와 공정을 활용함으로써 생산성 향상을 도모할 수 있다."고 밝혔다.

현재 생산되는 256M SD램은 0.18 미크론 회로기술이 적용되고 있는데 현대전자는 IMC 기술을 기존 설비에 적용함으로써 세계 반도체 업체 중 처음으로 0.16 미크론급 반도체를 생산하게 된다. 또한 이 기술을 양산에 적용함으로써 넷다이수의 증대, 장비투자비와 재료비 절감 등을 통해 메모리 제조원가를 최대 20%까지 절감할 수 있다.

현대전자가 업계 처음으로 독자개발한 이 기술은 I형을 기본으로한 Stack 구조에 Hall을 형성하는 방식으로 메모리 구성요소인 셀 구조를 개선함으로써 칩 크기를 35% 이상 줄이고 기억용량을 결정하는 전하 저장 유효면적은 최대 40%까지 증대시켰다. 현재 대부분의 반도체 회사들이 사용하고 있는 Stack구조는 제조공정은 안정되어 있지만 칩 크기와 직결되는 셀 크기 축소에 한계가 있었다.

현대전자는 IMC 기술을 이용, 최고 데이터 처리속도가 166MHz까지 구현 가능한 256M SD램을 생산할 계획이며, 이 제품은 워크스테이션, 중대형 컴퓨터 등에 즉시 채용할 수 있음은 물론, 향후 주요 메모리 용도로 擡頭되는 그래픽용 시스템에도 적용할 수 있다. 또한 3.3볼트와 2.5볼트 전압에서 모두 동작하여 고성능 PC는 물론 노트북 PC와 같이 저전압을 필요로 하는 시스템에도 사용 가능하다.

한편 현대전자는 지난해 11월 세계 최소형 256M SD램 생산에 성공, 주요 대형 컴퓨터 업체에 샘플을 공급했으며, 올해 상반기 말부터 본격 양산에 들어가 99년 256M SD램에서 1억 달러의 매출을 달성하고 2000년에는 7천만 개로 예상되는 전세계 수요량 중 20% 이상을 생산, 판매할 계획이다.

1999년 3월 31일(水)
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