- 세계적 권위의 반도체 학술 단체인 ‘SOVT/SOVC’에 6편의 논문 발표
- 超고집적 D램 셀 기술 및 강유전체 메모리 기술분야에 관한 논문으로 전문가들의 호평 받아
보도자료내용
- 반도체 전문기업으로서의 세계 최고수준의 기술력을 입증;
하이닉스반도체(대표 朴宗燮 www.hynix.com)가 반도체 설계·소자·공정기술 분야에 세계적 권위를 인정받고 있는 ‘SOVT/SOVC(Symposium on VLSI Technology/ Circuits) 2001’에 발표한 논문들이 전문가들의 높은 관심과 호평을 받아 업계에 귀추가 주목되고 있다.
최근 일본 교토에서 각각 개최된 SOVT(제21차)와 SOVC(제15차)에서 하이닉스반도체는 반도체 관련 논문을 여러 편 발표하였는데, 이번 연구성과들은 超고집적 반도체 기술의 설계·소자·공정기술 분야의 최신 기술 흐름을 선도하는 것으로 평가되고 있다. SOVT/ SOVC는 ‘국제 전기전자공학 기술자협회(IEEE)’가 후원하는 반도체 분야에서 세계적인 권위를 인정 받는 국제 학술단체로 하이닉스반도체는 매년 당 학회에 다수의 신기술 관련 논문을 발표하여 기술력을 인정 받아왔다.
이번 하이닉스반도체가 발표한 논문은 설계분야 2편, 공정분야 2편, 소자분야 2편 총 6편이다. 설계분야 논문의 경우 ▲고집적 D램 제품 개발의 가장 큰 관심사인 제조비용 절감을 위한 새로운 설계회로 채용에 대한 내용 ▲차세대 반도체 제품으로 불리는 강유전체 메모리(FeRAM)의 신뢰성을 확보한 고집적화 기술에 대한 연구결과 등이 담겨 있다.
또한 공정분야 논문에는 ▲고집적 D램 소자의 데이터보유시간을 개선시킬 수 있는 방법 ▲반도체 소자의 전기적 특성 및 신뢰성을 개선시킬 수 있는 새로운 증착방식 도입에 대한 연구결과가 실려 있다.
그리고 소자분야 논문은 ▲기가급 D램 셀의 접촉저항을 획기적으로 개선시키는 방법 ▲기가급 D램의 새로운 접촉 형성방법 제시하여 공정마진 및 누설전류 특성을 개 선시킬 수 있는 방법에 대한 연구성과를 담고 있다.
이들 논문 중 특히 주목되는 것은 소자분야의 기가급 D램 셀의 접촉저항 개선방법에 대한 논문인 ‘0.115㎛ 8F2 DRAM working cell with ∼’는 향후 차세대 D램 제품인512메가 및 기가급 D램 제품의 최대 기술적 난제인 셀 집적도의 신뢰성에 대한 중요한 해결방안을 제시함으로써 超고집적 D램 제품의 상용화 가능성을 앞당겼다는 평가를 받아 전문가들로부터 많은 관심을 받았다.
한편 하이닉스반도체는 최근 미국의 테크놀로지 리뷰誌가 발표한 ‘특허 건수와 질을 종합 고려한 지적재산력 세계 150대 기업’ 중 상위에 링크되어 세계적 반도체전문 메이커로서의 기술력을 인정받은 바 있다.
2001년 6월 27일(水)
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