하이닉스반도체, 美 휴렛팩커드와 Re램 공동개발 계약 체결

하이닉스반도체(대표이사: 권오철, www.hynix.co.kr)는 휴렛팩커드(HP)와 차세대 메모리 제품인 Re램(Resistive Random Access Memory, 저항변화 메모리) 상용화를 위한 공동개발 계약을 체결했다고 1일 밝혔다. Re램은 낸드플래시의 속도 및 대용량화의 한계를 모두 극복할 수 있을 뿐만 아니라 에너지 효율적인 차세대 메모리로 평가 받고 있다. 

이번 계약은 Re램 구현 방법 중 하나인 HP의 멤리스터 기술력과 하이닉스의 메모리 반도체 기술경쟁력을 기반으로 이루어진 협력으로 하이닉스 R&D 팹에서 상용화를 위한 공동개발이 진행될 예정이다. 이에 따라 하이닉스는 Re램에 대한 상용화 기술력을 확보하게 되고, HP는 상용화된 Re램을 우선적으로 공급받을 수 있게 된다.

메모리(Memory)와 저항(Resistor)의 합성어인 멤리스터(Memristor) 기술은 차세대 메모리인 Re램을 구현하는 방법 중 하나로 HP가 자체 개발했으며, 2008년 네이처(Nature)지에 소개된 바 있다. 이 기술은 전류가 흐르는 방향과 양에 따라 저항이 변화되며, 전원이 공급되지 않는 상태에서도 직전의 저항 상태를 기억할 수 있는 비휘발성 특징을 갖고 있다. 이와 같이 멤리스터 기술을 적용한 Re램은 저항을 이용하는 간단한 구조를 갖춰 현재의 낸드플래시보다 쓰기 속도가 100배 이상 빠르고, 공정 미세화에 따른 한계를 해결할 수 있어 보다 많은 정보를 저장할 수 있다. 또한, 구동에 필요한 전력소요도 적어 모바일 시대에 적합한 고속동작 ∙ 대용량 ∙ 저전력을 갖춘 메모리로 기대되고 있다.

HP 연구소 소장인 스탠 윌리암스(Stan Williams)는 "이번 공동개발을 통해 HP의 혁신적인 기술이 선두 메모리 회사인 하이닉스를 통해 세계 시장에 대량으로 공급될 수 있을 것으로 기대된다"고 전했다.

하이닉스 CTO 박성욱 부사장은 “기존에 개발중인 P램, STT-M램과 더불어 HP와의 Re램 공동개발로 차세대 메모리 분야에서도 경쟁력을 더욱 강화할 것”이라고 밝히며 “향후 시장변화와 고객요구에 능동적으로 대응해 미래지향적 사업 역량을 지속적으로 확충할 것”이라고 전했다. 한편, 하이닉스반도체는 지난 3월 29일 권오철 신임 대표이사 취임 이후 ▲핵심사업 집중 ▲미래역량 확충 ▲내실경영 강화 ▲인본정신 고양이라는 4대 경영 방침을 정한 바 있다.

2010년 9월 1일(水)
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■ Re램 (Resistive Random Access Memory, 저항변화 메모리)
두 개의 금속전극 사이에 절연막을 삽입한 매우 간단한 구조의 메모리 소자로 전기적인 저항특성이 외부 인가전압 혹은 전류에 의해 변화하는 원리를 이용한 차세대 비휘발성 메모리. 전기적 신호의 변화에 의해 저항이 큰 부도체(不導體) 상태(OFF state)에서 저항이 작은 도체(導體) 상태(ON state)로 바뀌는 메모리 특성을 이용하여 ‘0’과 ‘1’의 디지털 정보를 저장함. 고속동작∙대용량∙저전력이 요구되는 디지털 카메라, MP3, PDA, 메모리 스틱, 모바일 폰 등에 적용 가능하며 추후 D램과 하드디스크 드라이브의 역할도 대체할 것으로 기대됨.