- 0.18 미크론 회로선폭에 800MHz 데이터 처리속도 구현
- 청주사업장에서 올 2사분기부터 본격 양산 계획
- DDR SD램에 이어 램버스 D램 시장도 주도적 역할 기대
하이닉스 반도체(舊현대전자, 대표:朴宗燮 www.hynix.com)가 미국의 반도체 설계 전문업체인 램버스(Rambus)社로부터 288메가 램버스 D램에 대해 공식 인증(Validation)을 받았다고 2일 밝혔다.
하이닉스반도체는 최근 램버스社로부터 메인 메모리(Main memory)에 사용되는 288메가 램버스 D램에 대한 테스트를 통과하고 품질의 우수성을 인정받아 공식 인증을 받았다. 이번에 공식 인증을 받은 제품은 회로선폭 0.18미크론(1미크론=100만분의 1미터)의 미세회로 공정기술을 적용한 제품으로, 800㎒의 데이터 처리속도로 2.5V의 저전압에서 작동할 수 있어 램버스社의 기준을 완전히 만족하고 있다. 하이닉스반도체는 이 제품을 청주사업장의 최첨단 시설에서 올 2사분기부터 양산에 들어갈 예정이며, 생산량은 시장 수요에 따라 탄력적으로 운영할 계획이다.
램버스 D램이란 복잡한 신호 전송망을 병렬로 배치, 단순화 시킨 방식을 채택해 기존의 일반 싱크로너스 D램보다 6~8배 정도 속도가 빠른 메모리 반도체로, 초고속, 광대역 메모리를 필요로 하는 워크스테이션(Workstation)과 네트워크 시스템, 고급(high-end) PC 등에서 기존 메모리를 빠르게 대체할 것으로 기대되고 있다.
메모리 마케팅 담당 파하드 타브리지(Farhad Tabrizi) 상무는 "이번 288메가 램버스 D램 800MHz급의 인증을 통해 당사가 D램 전 분야의 공급능력을 보유했음을 입증하게 됐으며, 앞으로도 고객의 수요에 효율적이고 신속하게 부응할 것"이라고 말했다. DDR 메모리의 선두주자로 인정 받고 있는 하이닉스반도체는 이번 인증 획득으로 램버스 제품에 있어서도 전세계 고객들에게 필요한 제품을 적기에 공급할 수 있는 기술력과 시장 기반을 마련하게 되어 초고속 메인 메모리 시장에서 입지를 한층 강화하게 됐다.
하이닉스반도체는 향후 800Mhz 램버스 제품 외에 1,066Mhz 제품도 선보일 예정으로 있으며, 램버스 관련 업계 최고 기술 및 제품을 개발, 생산하여 시장변화에 능동적으로 대처할 수 있는 제품 포트폴리오를 지속적으로 갖춰 나갈 계획이다.
2001년 4월 3일(火)
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