SK하이닉스, 도시바와 ‘NIL 기술 공동 개발’ 본 계약 체결

SK하이닉스(www.skhynix.com, 대표이사: 박성욱)는 일본의 도시바와 나노 임프린트 리소그래피(Nano Imprint Lithography, 이하 ‘NIL’) 기술에 대한 공동 개발 본 계약을 체결했다고 5일(木) 밝혔다. 양사는 지난 12월 동 건에 대한 MOU를 체결한 바 있으며, 이번 본 계약 체결을 통해 실제 개발에 착수하게 된다.

NIL 기술에 대한 공동 개발은 올해 4월부터 양사 엔지니어들의 협업으로 도시바의 요코하마에 위치한 팹에서 진행될 예정이며, 2017년 즈음에 실제 제품에 적용될 예정이다.

NIL 기술은 메모리 공정이 더욱 미세화되고 있는 가운데 미세 패턴을 구현하는데 있어 적합한 차세대 리소그래피 공정기술로 평가 받고 있으며, 막대한 투자가 선행되어야 하는 기존 공정기술과 비교해 경제적인 양산이 가능하다는 장점도 갖고 있다. 업계는 공정 미세화의 한계를 극복하기 위해 EUV(Extreme Ultraviolet) 활용 등 다양한 노력을 해오고 있었으며, NIL 기술도 한계 극복을 위한 방안 중 하나로 개발되어 왔다.

이번 협력을 통해 양사는 공정 미세화의 한계에 대응하기 위한 새로운 기술을 확보할 수 있게 돼 양사가 메모리 반도체 선두 업체로의 입지를 더욱 강화할 수 있을 것으로 기대하고 있다.

한편 SK하이닉스는 도시바와 오랜 협력 관계를 유지해왔다. 2007년에는 특허 상호 라이선스 계약을 체결한 바 있으며, 2011년부터는 차세대 메모리인 ‘STT-M램’의 공동개발을 진행해 오고 있다. <끝>

 ■ 도시바와 주요 협력 내용

- 2007. 3 특허 상호 라이선스 및 공급계약 체결
- 2011. 7 차세대 메모리 ‘STT-M램’ 공동개발 및 반도체 특허 상호 라이선스 및 제품 공급 계약 연장
- 2014. 12 차세대 공정기술 ‘나노임프린트 리소그래피(NIL)’ 공동 개발 MOU 체결 및 반도체 특허 상호 라이선스 및 제품 공급 계약 연장
- 2015. 2 NIL 공동 개발 본 계약 체결

■ 나노 임프린트 리소그래피 (NIL : Nano Imprint Lithography) 기술

- 2003년 ‘국제 반도체 기술 로드맵 (ITRS: International Technology Roadmap for Semiconductor)’에 32나노 이하의 선폭을 실현 할 수 있는 새로운 방법으로 소개된 기술

- 나노 임프린트 공정을 수행하기 위해 포토공정에서 마스크 역할을 하는 투명 탬플릿(Template)이 필요함
(이 탬플릿은 우리 선조의 금속활자 및 목판인쇄 기술을 나노 사이즈로 축소시킨 것으로 이해 가능)

- 액체인 UV레지스트를 기판 위에 코팅한 후 투명 스탬프(Template)를 접촉시키고 압력을 가하면 스탬프 사이로 패턴이 형성됨.
이후 광원을 투사해 패턴을 고체화 시킬 수 있음

- 저렴한 UV(Ultraviolet)를 광원으로 활용하고 렌즈를 사용하지 않기 때문에,
ArF Immersion 또는 EUV(Extreme Ultraviolet, 극자외선) 노광장치 대비 가격 경쟁력이 있음

[임프린트 구조]