- 램버스, DDR 이후의 차세대 D램 규격 공동 개발
- 설계구조, 전기,물리적 설계 및 기반기술 공동개발
- 공동 개발된 기술 공유로 제품 상용화 지원
현대전자, 인피니온, 인텔, 마이크론, NEC, 삼성전자 등 세계 반도체 6社는 2003년부터 상용화될 시스템에 적합한 차세대 고성능 D램 기술을 공동 개발키로 했다고 17일 발표했다.
개발참여 6개사가 공동 개발하는 차세대 고성능 D램 기술은 현재 상용화된 램버스, DDR 이후의 규격으로 PC 시장을 포함한 주요 응용 시스템에 사용될 예정이다. 이 차세대 D램의 구체적인 사양은 미결정이나, 기존의 램버스, DDR 보다 성능이 향상되고 현재 양산중인 256M D램 이상의 용량을 가진 제품으로 차세대 고성능 고속 D램으로 정해질 예정이다.
이번 컨소시움은 급격한 기술발전으로 인해 D램 규격기술의 평균 수명 싸이클이 평균 5년에서 최근 들어 3년 내외로 짧아지고 있어, 각 D램 생산 업체들이 차세대 D램 규격 개발을 위해 투자하는 위험부담을 최소화 하기 위해 설립됐다. 이번 컨소시움의 계약조건은 개발참가 6사("개발자")와 추가 참여하는 업체("참여사")들이 공동으로 차세대 D램의 구조, 전기 및 물리적 설계 및 지원 칩셋, 모듈기술, 패키지 등 관련 기반기술을 공동개발 하고 개발참가를 희망 하는 업체는 일정 조건을 수락해야 공동 개발에 참가 할 수 있다.
6社는 차세대 고성능 D램의 시장 도입을 위해, 이번에 개발되는 최종 기술정보를 PC 생산업체, 지원 칩셋 생산업체 등 관련 업체에 제공함으로써, 공동 개발 예정인 D램용 지원 칩세트, 플랫폼 등 기타 응용 세트의 개발이 가능하도록 지원할 예정이다. 이러한 "개발자"와 "참여사"들간의 협력을 통한 공동개발은 날로 발전하는 마이크로 프로세서와 기타 시스템 등에 요구될 차세대 D램의 개발을 보장할 전망이다.
2000년 1월 18일(火)
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