하이닉스반도체, SK 행복날개 달고 스마트 모바일 솔루션 시장 확대 나선다

하이닉스반도체(대표이사:권오철, www.hynix.co.kr)가 27일(月)부터 스페인 바르셀로나에서 열리는 ‘모바일 월드 콩그레스(MWC; Mobile World Congress) 2012’에 처음으로 참가해 ‘스마트 모바일 솔루션’ 시장 확대를 위한 관련 제품을 대거 선보였다. 하이닉스는 이번 행사에 SK텔레콤과 동반 참가함으로써 글로벌 시장에서 양사의 시너지를 활용한 새로운 기회 발굴에 주력한다는 의지를 내비쳤다.

하이닉스는 ‘하이닉스가 유비쿼터스 세상을 열어갑니다(Hynix enabling a ubiquitous world)’라는 주제로 다양한 ‘스마트 모바일 솔루션’을 선보였다. 20나노급 4기가비트(이하 Gb) DDR3 및 30나노급 4Gb LPDDR3 D램 등 모바일 시장을 겨냥한 다양한 제품이 출품됐으며, 엔비디아(NVIDIA)와 제휴로 본격 진입한 차량용 인포테인먼트 메모리 반도체도 선보임으로써 스마트카와 같이 새롭게 열리는 시장에서의 성장 가능성도 보여줬다.

■ 모바일 솔루션 시장 공략 위한 차세대 제품 출품

▲ 20나노급 4Gb DDR3 D램

하이닉스가 개발한 20나노급 4Gb DDR3 D램은 기존 PC 및 서버시장은 물론 급속도로 성장하는 태블릿과 울트라북 등의 시장 대응을 위한 제품이다.

기존 30나노급 D램보다 60% 이상 생산성이 높아 원가경쟁력이 크게 개선된 이 제품은 국제 반도체 표준협회 기구(JEDEC)의 규격을 지원하며, 1.25V의 초저전압 지원도 가능해 기존 30나노급 제품 대비 약 40% 가량 소비전력 절감이 가능하다. 또한, 최대 2133Mbps의 속도를 지원해 16개의 정보출입구(I/O)를 통해 HD급 영화 한편을 1초 만에 전송 할 수 있는 속도인 초당 4.3기가바이트(이하 GB)의 빠른 데이터 처리도 가능하다.

시장조사기관인 아이서플라이는 D램 시장에서 2Gb 제품이 올해 78% 비중을 정점으로 점차 감소하고 4Gb 시장으로 전환될 것을 전망하고 있다. 하이닉스는 2012년 상반기부터 이 제품 양산에 들어가며, IT기기의 모바일화로 확대되고 있는 클라우드 컴퓨팅 환경 대응을 위한 데이터센터 서버용 64GB 초고용량 모듈 등으로 고용량 시장을 선도할 계획이다.

▲ 30나노급 4Gb LPDDR3 D램 하이엔드 스마트폰, 태블릿 및 울트라북 등에 최적화된 솔루션을 제공하기 위한 모바일 D램인 30나노급 4Gb LPDDR3도 출품됐다.

최근 양산을 시작한 이 제품은 멀티칩 패키지(MCP; Multi Chip Package)와 패키지 온 패키지(PoP; Package on Package)에 들어가는 제품으로 2단 적층한 8Gb(1GB)와 4단 적층한 16Gb(2GB) 제품 등으로 고객에게 제공된다. 또한, 1.2V 초저전압으로 동작이 가능하며 최대 1600Mbps의 데이터 전송속도를 구현할 수 있어 32개의 정보출입구(I/O)를 통해 싱글 채널(Single Channel)은 최대 초당 6.4GB, 듀얼 채널(Dual Channel)의 경우 12.8GB의 데이터를 처리할 수 있다. 특히, LPDDR2 대비 동일한 수준의 대기전력을 유지하면서도 1.5배에 달하는 동작 속도 개선으로 모바일 어플리케이션이 요구하는 저전력과 고성능의 특성을 모두 만족시키는 점이 특징이다.

하이닉스는 이 제품을 통해 2015년 약 56%(아이서플라이 기준)의 비중을 차지하며 주력제품으로 성장할 LPDDR3 시장을 선점한다는 계획이다.

하이닉스 마케팅 본부장 김지범 전무는 “하이닉스는 모바일 시장이 요구하는 대용량∙고성능∙저전력의 3가지 특성을 모두 갖춘 다양한 제품군을 갖추고 있으며, 이를 통해 급속도로 성장하는 모바일 어플리케이션 시장에서 경쟁력 있는 솔루션을 제공할 계획이다.”고 전했다.

하이닉스는 이외에도 128GB~512GB 용량의 SSD(Solid State Drive)와 모바일 기기에서 영상을 담당하는 CIS(CMOS Image Sensor) 등 다양한 모바일 솔루션도 출품했다.

■ 스마트카용 메모리 반도체 시장 본격 진입

하이닉스는 스마트카의 인포테인먼트에 탑재되는 30나노급 4Gb DDR3 컨슈머 D램과 eMMC(Embedded Multi Media Card : 하이닉스 브랜드명 e-NAND) 낸드플래시도 전시했다. 하이닉스는 비주얼 컴퓨팅 분야의 선두업체인 엔비디아와의 전략적 제휴를 통해 차량용 인포테인먼트 메모리 반도체 시장에 본격 진입했는데, 지난 1월 개최된 CES에서 하이닉스의 D램 및 e-NAND가 탑재된 독일 유수 브랜드 자동차가 대중에게 첫 선을 보이면서 큰 반향을 일으킨 바 있다.

스마트카의 핵심 분야 중 하나인 차량용 인포테인먼트는 네비게이션은 물론 인터넷과 오디오, 주행정보 등을 제공하는 통합시스템으로 스마트폰과 태블릿의 대중화와 함께 폭발적인 성장이 예상되고 있다. 특히 차량용 부품의 경우 매우 높은 신뢰성과 품질 수준이 요구되는 특성상 인증 기간만 1년 이상이 소요될 만큼 까다로운 품질 조건을 거쳐야 하기 때문에 시장 진입이 어려운 것으로 알려져 있다.

하이닉스는 이처럼 새로운 응용 시장 발굴에도 적극 나서 모바일 시대의 다양한 기회를 선점할 계획이다. 또한, 이번 행사에 개념을 선보인 STT-M램(Spin Transfer Torque Magnetic RAM) 및 Re램(Resistance RAM) 등 차세대 메모리 반도체와 차세대 패키징 기술인 TSV(Through Silicon Via)도 순조롭게 개발해 미래 반도체 시장의 주도권을 확보할 계획이다.

■ SK텔레콤과 시너지로 모바일 시장 확대 나서

하이닉스는 이번 MWC 참가가 글로벌 모바일 사업자들과 네트워크를 확대하고 ‘스마트 모바일 솔루션’ 관련 다양한 분야로 진출을 위한 마케팅 및 고객 협력 기반이 강화되는 계기가 될 것으로 기대하고 있다.

하이닉스는 올해 전체 투자 4.2조원 중 절반 이상을 낸드플래시에 투입하고, 모바일 환경에 적합한 대용량•고성능•저전력 특성을 갖춘 D램 제품 포트폴리오를 다양화 하는 등 모바일 시장 확대를 위한 전략을 가속화 하고 있다. 특히, 국내 최대의 이동통신 서비스 업체인 SK텔레콤과 한 가족이 됨에 따라 모바일 생태계 활용 등 시너지 효과로 모바일 시장에서의 위상을 더욱 확대해 나갈 계획이다.

2012년 2월 27일(月)
- 끝 –

<용어 설명>

■ 나노미터 (nm)
- 나노(Nano): 십억 분의 일(10-9)배를 나타내는 접두어

■ 기가비트 (Gb) / 기가바이트 (GB)
- 기가 (Giga) ; 10억(109) 배를 나타내는 접두어
- 비트 (bit, binary digit) ; 소문자로 표기 ‘b’
메모리가 기억하는 정보의 최소단위로, 이진법의 한 자리수로 표현되는 단위(0 or 1)
- 바이트 (Byte = 8 bit) ; 대문자로 표기 ‘B’
정보를 표현하는 기본 단위로, 8개 비트를 묶어 바이트(Byte)라 함

■ 아이서플라이(iSuppli) 기준 D램 용량별 비중 전망 [2011년 4분기 기준]

■ 아이서플라이(iSuppli) 기준 모바일 D램 사양별 비중 전망 [2011년 4분기 기준]

■ 인포테인먼트 (Infotainment )

- 인포메이션(Information)과 엔터테인먼트(Entertainment)의 합성어로 IT 기술을 이용해 주행 관련 정보와 엔터테인먼트 기능을 동시에 제공하는 시스템이다. 네비게이션과 인터넷, 오디오, 주행정보등을 제공하는 통합시스템으로 스마트폰과 태블릿PC의 대중화와 함께 폭발적인 성장이 예상되고 있다.

■ 스마트카 (Smart Car)
- 자동차 기술에 차세대 전기전자, 정보통신, 지능제어 기술을 접목하여 자동차의 내 외부 상황을 실시간 인식하여 고(高)안전, 고편의 기능을 제공을 할 수 있는 미래형 자동차

■ MCP (Multi Chip Package)
- 서로 다른 기능을 가진 2개 이상의 칩을 하나로 합쳐 패키지하는 방식으로, 부품실장 면적을 줄여 공간을 절약할 수 있는 특징이 있음

■ PoP (Package on Package)
- 하나의 패키지 위에 다른 기능을 하는 패키지를 적층하는 방식으로, 테스트가 완료된 패키지를 적층함으로써 수율을 높일 수 있는 장점이 있음

■ TSV (Through Silicon Via, 관통전극 기술)
- 2개 이상의 칩을 수직 관통하는 전극을 형성해 칩간의 전기적 신호를 전달하는 첨단 패키지 방식으로 성능은 높이면서 크기를 줄일 수 있어 차세대 패키지로 주목받고 있음

■ STT-M램 (Spin Transfer Torque Magnetic RAM)
- STT-M램은 자성체에 전류를 가해 발생한 전자회전을 이용, 저항 값의 크기에 따라 데이터를 기록하고 보존하는 방식으로 동작하는 메모리이다. D램이 캐퍼시티에 저장된 전자의 유무를 이용해 0과 1의 정보를 구분하는 반면, STT-M램에서는 캐퍼시티 대신 구성한 ‘자기터널접합’의 자화상태(물체가 자성을 지니는 현상)에 따른 저항 차이를 이용해 0과 1로 정보를 구분한다. 낸드플래시와 같이 전력 공급 없이도 정보를 계속 보관하는 비휘발성 메모리이면서 무제한에 가까운 반복 기록 및 재생이 가능하다. 뿐만 아니라 주요 메모리들보다 소비 전력이 낮고 S램 수준의 초고속 동작이 가능해 다양한 어플리케이션에 적용이 가능하며 내성이 매우 강해 데이터가 손상되지 않는 등 안정성 측면에서도 최고 수준의 특성을 보유한 메모리이다. 특히 기존 메모리 제품에 있어서의 기술적, 물리적 한계로 여겨지는 10 나노미터 이하에서도 집적이 가능하여 향후 메모리 제품의 미세화 한계 극복을 위한 대안으로 가장 유력시되는 최적의 차세대 메모리로 평가 받고 있다.

■ Re램 (Resistance RAM)
- 두 개의 금속전극 사이에 절연막을 삽입한 매우 간단한 구조의 메모리 소자로 전기적인 저항특성이 외부 인가전압 혹은 전류에 의해 변화하는 원리를 이용한 차세대 비휘발성 메모리. 전기적 신호의 변화에 의해 저항이 큰 부도체(不導體) 상태(OFF state)에서 저항이 작은 도체(導體) 상태(ON state)로 바뀌는 메모리 특성을 이용하여 ‘0’과 ‘1’의 디지털 정보를 저장함. 고속동작∙대용량∙저전력이 요구되는 디지털 카메라, MP3, PDA, 메모리 스틱, 모바일 폰 등에 적용 가능하며 추후 D램과 하드디스크 드라이브의 역할도 대체할 것으로 기대됨.