SK하이닉스, 도시바와 전방위적 협력 확대

SK하이닉스(www.skhynix.com, 대표이사: 박성욱)는 일본의 도시바와 나노임프린트 리소그래피(Nano Imprint Lithography, 이하 ‘NIL’) 기술의 공동 개발에 나선다고 19일(金) 밝혔다.

NIL 기술은 메모리 공정이 더욱 미세화되고 있는 가운데 미세 패턴을 구현하는데 있어 적합한 차세대 리소그래피 공정기술로 평가 받고 있으며, 막대한 투자가 선행되어야 하는 기존 공정기술과 비교해 경제적인 양산이 가능하다는 장점도 갖고 있다. 업계는 공정 미세화의 한계를 극복하기 위해 EUV(Extreme Ultraviolet) 활용 등 다양한 노력을 해오고 있었으며, NIL 기술도 한계 극복을 위한 방안 중 하나로 개발되어 왔다.

양사는 이번 공동개발을 통해 차세대 공정기술인 NIL 개발의 성공 가능성을 높이고, 제품 양산을 통한 이 기술의 상용화를 확대할 수 있을 것으로 예상하고 있다. 또한 제품 양산시 원가경쟁력도 향상시킬 수 있게 되는 효과도 기대할 수 있게 됐다.

한편 더욱 확고해진 양사의 협력관계를 바탕으로, 지난 3월 도시바가 SK하이닉스를 상대로 제기한 약 1.1조원 손해배상 규모의 민사소송도 모두 취하될 예정이며, 합의금액은 미화 2억7천8백만 달러이다. 도시바는 일본 검찰이 전 SK하이닉스의 직원인 스기다를 부정경쟁방지법 위반 혐의로 기소하자, SK하이닉스가 도시바의 정보를 활용했다며 민사소송을 제기한 바 있다.

또한 양사의 기존 반도체 특허 상호 라이선스 및 제품의 공급 계약도 연장해 특허 분쟁으로 인한 사업 불확실성을 완화했으며, 안정적인 판매 기반을 유지할 수 있게 됐다.

이번 도시바와의 전방위적 협력 확대를 통해 SK하이닉스는 기술경쟁력을 더욱 강화하고 잠재적인 경영의 불확실성을 해소하게 됐다. 특히 공정 미세화의 한계에 대응하기 위한 새로운 기술을 확보할 수 있게 돼 양사가 메모리 반도체 선두 업체로의 입지를 더욱 강화할 수 있을 것으로 기대하고 있으며, 공동으로 개발 중인 차세대 제품의 개발에도 안정적으로 매진할 수 있게 됐다.

SK하이닉스는 도시바와 오랜 협력 관계를 유지해왔다. 2007년에는 특허 상호 라이선스 계약을 체결한 바 있으며, 2011년부터는 차세대 메모리인 ‘STT-M램’의 공동개발을 진행해 오고 있다. 또한 도시바 외에도 IBM, HP와도 ‘PC램’과 ‘Re램’을 공동 개발하는 등 다양한 업체들과의 협력을 통해 미래 사업 역량을 지속적으로 확충하고 있다. <끝>

■ 도시바와 주요 협력 내용
- 2007. 3 특허 상호 라이선스 및 공급계약 체결
- 2011. 7 차세대 메모리 ‘STT-M램’ 공동개발 및 반도체 특허 상호 라이선스 및 제품 공급 계약 연장
- 2014. 12 차세대 공정기술 ‘나노임프린트 리소그래피(NIL)’ 공동 개발 및 반도체 특허 상호 라이선스 및 제품 공급 계약 연장

■ 나노 임프린트 리소그래피 (NIL : Nano Imprint Lithography) 기술
- 2003년 ‘국제 반도체 기술 로드맵 (ITRS: International Technology Roadmap for Semiconductor)’에 32나노 이하의 선폭을 실현 할 수 있는 새로운 방법으로 소개된 기술
- 나노 임프린트 공정을 수행하기 위해서는 포토공정에서 마스크 역할을 하는 투명 템플릿(Template)이 필요한데 이는 스탬프(도장)와 유사한 원리임
- 액체인 UV레지스트를 기판 위에 코팅한 후 투명 템플릿을 접촉시키고 압력을 가하면 템플릿 사이로 패턴이 형성됨. 이후 광원을 투사해 패턴을 단단하게 고체화 시킬 수 있음
- 저렴한 UV(Ultraviolet)를 광원으로 활용하고 렌즈를 사용하지 않기 때문에, ArF(불화아르곤) 이머전 또는 EUV(Extreme Ultraviolet, 극자외선) 노광장비 대비 가격 경쟁력이 있음

[NIL 개념]