64M DDR 싱크로너스 D램 개발

현대전자(대표: 김영환)가 최근 차세대 고속 메모리인 64M DDR(Double data rate) 싱크로너스 D램과 모듈을 개발했다고 24일 밝혔다. 현대전자가 개발한 DDR 싱크로너스 D램(133MHz)은 기존 싱크로너스 D램(66MHz) 제품보다 정보처리 속도가 4배이상 빨라, 1초에 200자 원고지 6만5천장(신문 1600장) 분량의 데이터를 전송할 수 있다.

회로선폭이 0.22 미크론(1미크론 = 100만분의 1m)인 이 제품은 기존 64M 싱크로너스 D램과 동일한 공정을 사용함으로써 별도의 추가 투자 없이 제품 생산이 가능하며, 현재의 컴퓨터에 그대로 장착할 수 있다. 현대전자는 IBM, 휴렛패커드, 컴팩 등 주요 컴퓨터 업체에 DDR D램과 이 칩을 8개 장착한 모듈을 공급하며, 99년 상반기부터 양산을 시작할 계획이다. DDR 싱크로너스 D램은 클럭신호(CLOCK. 명령이 들어가거나 데이터가 나올 때 기준이 되는 신호) 1회에 데이터를 2번 전송할 수 있어, 클럭 신호 1회에 데이터를 1번 보내거나 받는 싱크로너스 D램(DDR과 클럭주파수가 같을 경우)보다 속도가 2배 이상 빠르다.

현재 메모리 주력제품인 싱크로너스 D램 이후 차세대 고속 메모리 시장은 램버스 D램, 싱크링크 D램, DDR D램 등 3개 제품이 주도권을 다툴것으로 예상된다. 현대전자는 최근 72M 램버스 D램과 64M DDR D램 개발에 성공했으며, 싱크링크 D램도 97년 11월 64M급 테스트칩을 개발한데 이어 99년 상반기에 144M D램 샘플을 출시할 계획이다. 이로써 현대전자는 향후 고속 D램 세계 시장에서 다양한 제품을 가지고 시장을 주도할 수 있게 되었다.

한편 DDR 싱크로너스 D램은 로열티 부담이 없고 별도의 장비투자비가 들지 않는다는 장점이 있다. 또 미국의 휴렛패커드사가 자사 제품에 DDR 싱크로너스 D램을 채용키로 하는 등 적극적인 지원의사를 밝히고 있어 시장전망을 밝게 해주고 있다.

1998년 9월 25일(金)
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