| 20나노급 8Gb LPDDR4 고객에게 샘플 제공해 모바일 시장 주도
SK하이닉스(www.skhynix.com, 대표이사: 박성욱)가 20나노급 기술을 적용한 8Gb(기가비트) LPDDR4(Low Power DDR4) 제품을 세계 최초로 개발했다고 30일(月) 밝혔다. LPDDR4는 표준화가 진행 중인 차세대 모바일 D램 규격으로 초고속, 저전력의 특성을 갖췄다.
이번에 개발한 20나노급 8Gb LPDDR4는 현재 시장 주력제품인 LPDDR3 대비 데이터 전송속도는 높이고 동작전압은 낮춘 것이 특징이다. 기존 LPDDR3의 1600Mbps 대비 2배 빠른 3200Mbps 이상의 데이터 전송속도를 갖췄으며, 동작전압 측면에서도 기존 LPDDR3의 1.2V 대비 낮은 1.1V를 구현했다. SK하이닉스는 이 제품의 샘플을 주요 고객 및 SoC(System on Chip) 업체에 제공해 새로운 모바일 D램 규격 표준화를 위한 협업을 강화하고 있다.
특히, SK하이닉스는 6Gb 및 8Gb LPDDR3에 이어 8Gb LPDDR4도 세계 최초로 개발함으로써 모바일 시장에서의 주도권을 지속 유지하게 됐다. SK하이닉스는 이 제품을 내년 하반기부터 양산할 계획이다.
SK하이닉스 마케팅본부장 진정훈 전무는 “차세대 모바일 표준인 LPDDR4 제품을 세계 최초로 개발하고 고객에 샘플을 제공해 기술 리더십을 공고히 했다”며 “향후에도 고용량, 초고속, 저전력 제품 개발을 통해 모바일 분야 경쟁력을 더욱 강화하겠다”고 설명했다.
한편, LPDDR4는 2014년 말부터 플래그십 모바일 기기에 채용되기 시작해 2015년부터는 시장이 본격화되고, 2016년에는 주력 제품이 될 것으로 예상된다. <끝>
| LPDDR4 | LPDDR3 | LPDDR2 | LPDDR | |
| 데이터 전송속도(Mbps) | 3200/3732/4266 | 1600/1866/2133 | 667/800/1066 | 333/400 |
| 동작전압(V) | 1.1 | 1.2 | 1.2 | 1.8 |
| 지원 용량 | 4~16Gb | 4~12Gb | 128Mb~4Gb | 64Mb~2Gb |
| 업계 출시 년도 | 2014 | 2011 | 2008 | 2006 |
/%EB%B3%B4%EB%8F%84%EC%9E%90%EB%A3%8C(1017)/2013/1230/SK%ED%95%98%EC%9D%B4%EB%8B%89%EC%8A%A4%2c%20%EC%B0%A8%EC%84%B8%EB%8C%80%20%EB%AA%A8%EB%B0%94%EC%9D%BC%20%EB%A9%94%EB%AA%A8%EB%A6%AC%20LPDDR4%20%EC%84%B8%EA%B3%84%20%EC%B5%9C%EC%B4%88%20%EA%B0%9C%EB%B0%9C_2.jpg?width=970&name=SK%ED%95%98%EC%9D%B4%EB%8B%89%EC%8A%A4%2c%20%EC%B0%A8%EC%84%B8%EB%8C%80%20%EB%AA%A8%EB%B0%94%EC%9D%BC%20%EB%A9%94%EB%AA%A8%EB%A6%AC%20LPDDR4%20%EC%84%B8%EA%B3%84%20%EC%B5%9C%EC%B4%88%20%EA%B0%9C%EB%B0%9C_2.jpg)
