- 첨단 마이크로 BGA 패키지 채용
- 속도는 3배 향상, 전력 소모율은 50% 이상 절감
- 3/4분기부터 본격 양산
현대전자(대표: 정몽헌)가 세계에서 속도가 가장 빠른 절전형 2M S램(Static Random Access Memory)을 개발했다고 19일 밝혔다. 휴대형 정보통신기기에 적합한 이 2M S램은 1.6V(볼트) 동작시 입력신호로부터 출력 데이터가 나오는데 걸리는 시간(Access Time. 동작속도)이 120나노초로 동급 제품 중 세계에서 가장 빠르다. 2V에서 200~300 나노초로 동작하는 기존 제품과 비교할때 현대전자의 2M S램의 동작속도는 2~3배 향상된 것이다. 반면 동작상태의 전력소모율은 기존 제품에 비해 절반 이하로 낮추었고 대기상태에서의 전력소모율도 20%에 불과한 초절전형 제품이다.
특히, 이번에 개발된 S램은 초소형 패키지인 마이크로 BGA(Ball Grid Array) 패키지로 제작되어 크기를 기존 패키지(TSOP형) 방식의 1/3 수준으로 줄였다. 기존 패키지는 반도체 칩과 외부연결단자(리드프레임)를 아주 가는 순금선으로 연결하는데 비해, 마이크로 BGA는 반도체 칩 의 표면에 작은 볼을 부착하는 방식으로 패키지의 크기가 칩의 크기와 동일할 정도로 작아 일명 칩 사이즈 패키지(CSP, Chip Scale Package)로 불린다.
현대전자 2M S램은 속도가 빠르면서도 사용전압이 낮고, 제품 크기가 작아 휴대용 정보통신기기에 적합한 고부가 가치 제품으로 평가된다. 특히 1.6V의 저전압에서도 속도가 느려지지 않으며, 1.6V에서 3.3V까지 다양한 전압에서 안정적으로 동작하므로 시장 상황의 변화에 탄력적으로 대응 할 수 있는 등 높은 경쟁력을 가졌다. 또한 이 제품은 0.33 마이크론(1000분의 1mm)의 회로선폭 공정기술을 채용하였고, 대기상태의 전력소비를 줄이기 위해 full CMOS 셀을 채택하였으며, 8비트형과 16비트형 두가지를 동시에 개발하였다.
현대전자는 이 제품 개발에 이어 1M/4M full CMOS제품을 98년 4/4분기에 출시하여 저전압 S램 시장에서 제품 및 기술 경쟁력을 확보, D램에 이어 S램에서도 매출이 크게 증대될 전망이다. 한편, 초절전 S램은 D램(Dynamic Random Access Memory)과 달리 전압이 인가될때는(스위치 ON 상태에는) 정보를 계속 기억하여 리프레쉬 동작이 필요 없으며, 대기상태의 전력소비가 D램과 비교하여 50분의 1에 불과해 휴대폰을 비롯한 PDA, PAGER 등 개인 휴대 정보기기에 사용되므로 2000년에는 약 10억 달러의 시장 형성이 예상된다.
1998년 3월 19일(木)
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