- 차세대 칩셋 린덴허스트와의 연동 테스트 성공적으로 통과
- 0.11미크론 기술을 적용하여 내년 초부터 본격 양산 예정
- 초고속 DDR 생산 박차로 차세대 메모리 시장서 선도적 역할

 

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하이닉스반도체(대표 우의제(禹義濟), www.hynix.com)가 고성능 메모리 반도체인 DDR2 제품에 대한 美 인텔社의 제품검증을 통과했다고 미국 산호세(San Jose)에서 열린 ‘인텔 디벨로퍼 포럼(IDF)’에서 16일(현지시간) 밝혔다.

 

하이닉스반도체가 이번에 제품검증(Evaluation)을 통과한 제품은 512메가 DDR2 SD램 단품으로, 최근 인텔社로부터 同 제품이 차세대 칩셋인 린덴허스트(Lindenhurst)와의 연동 테스트를 성공적으로 통과했다는 결과를 통보 받음으로써 초고속 DDR 제품에 대한 국제적인 공신력을 얻게 되었다. 同 제품은 하이닉스반도체가 자랑하는 세계 최고 수준의 골든칩(0.11미크론) 기술을 적용하여 1.8V의 동작전압에서 667MHz의 동작속도를 구현할 수 있도록 개발됐으며, 내년 초부터 본격 양산에 들어갈 예정이다.

 

하이닉스반도체는 이미 지난 6월 업계 최초로 인텔社로부터 512메가 DDR400 제품인증을 받은 것에 이어 이번 512메가 DDR2 SD램의 제품검증 통과로 초고속 DDR 메모리 시장에서의 선도적 지위를 더욱 강화하게 됐다고 밝혔다. 인텔社의 선임연구원인 피트 맥윌리엄스(Pete MacWilliams)는 “하이닉스 반도체의 저전력 고성능 DDR2 기술은 인텔社가 내년부터 진행하는 차세대 서버, 워크스테이션, 데스크톱, 모바일 플랫폼과 호환성이 매우 좋아 기술 개발에 큰 도움을 주고 있다”고 설명했다.

 

또한 하이닉스반도체는 同 제품이 DDR2 이중직렬메모리모듈(DIMM)에 기본적으로 적용되는 것은 물론, OEM 업체와 시스템 개발 업체들의 서버, 워크스테이션, PC에 안정적이고 효율적인 DDR2 환경을 제공해 줄 것이라고 덧붙였다. 하이닉스반도체 메모리 마케팅 총괄 담당 파하드 타브리지(Farhad Tabrizi) 상무는 “서버와 PC 업계가 인텔社의 DDR2 메모리를 지원하는 다양한 칩셋들을 채택함에 따라 2004년에는 DDR2 메모리 수요가 폭발적으로 증가할 것”이라고 전망했다.

 

하이닉스반도체는 이번 제품검증 통과를 계기로 DDR400 및 DDR2 등 초고속 DDR 생산에 박차를 가해 빠르게 성장하는 차세대 DDR 시장에서 선도적 지위를 강화하고 우수한 제품 및 가격 경쟁력으로 고수익 창출에 기여해 나갈 방침이다.

 

2003년 9월 17일(水)
-끝-

 

 

■ 용어설명
- DIMM (Dual In-line Memory Module) 이중직렬메모리모듈 : 모듈의 양면에 메모리 칩을 탑재하여 실장면적을 넓게 한 제품

 

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