하이닉스반도체, 32M초저전압형 플래시메모리 2종 출시

하이닉스반도체(대표 朴宗燮, www.hynix.com)가 비휘발성 저장매체로써 응용 범위가 급속히 확대되고 있는 플래시 메모리 분야의 신제품 2종을 출시한다고 6일 밝혔다.

이번에 출시하는 型 플래시 메모리인 32Mb 2V 듀얼뱅크타입(HY29DS322/323)은 웹 검색 및 음성인식과 같이 첨단화 되어가는 최신 휴대폰들을 효과적으로 지원할 수 있는 플래시 테크놀러지를 제공할 수 있다. 또한 32Mb 3V(HY29LV320) 제품은 동작속도가 70나노초(ns; 1나노초= 10억분의 1초를 의미)까지 가능하여 업계에서 가장 빠른 32Mb 플래시 메모리로 평가되고 있다.

플래시 메모리는 DRAM이나 SRAM과는 달리 전원이 끊어져도 정보가 기억되는 장점이 있으며 용도에 따라 크게 코드플래시 메모리(NOR型)와 데이터 플래시 메모리(NAND型)로 분류된다. 型 플래시 메모리는 휴대폰 단말기, PC의 롬 바이오스, 워크스테이션/서버, 네트워크 장비, 셋톱박스 등의 프로그램을 저장하는 데 널리 사용되고, 型은 메모리 카드로 제작되어 디지털 스틸 카메라, MP3 플레이어, 모빌 컴퓨터 등의 화상이나 문자 데이터를 저장하는데 사용된다.

하이닉스반도체의 型 신제품들은 48-pin TSOP와 48-ball FBGA 패키지가 모두 가능하며, 기존에 개발,생산중인 2~8Mb 5V, 16Mb 3V/2V등과 더불어 이번32Mbit 저전압(3V)/ 초저전압(2V) 플래시 메모리 출시를 통해 다양한 제품 포트폴리오를 구성하여 까다로운 시장 수요에 적절히 대응할 수 있게 되었다.

하이닉스반도체의 플래시 메모리 담당 임원인 샘 영(Sam Young)은 "이번 신제품 출시는 하이닉스가 기존에 생산해오던 저전압/초저전압 16Mb 플래시 제품 포트폴리오를 더욱 업그레이드시켜 고성능 휴대폰, 네트워킹 시스템, 디지털 가전 등의 제조업체들의 까다로운 요구사항을 충분히 만족시킬 수 있을 것으로 기대한다."고 밝혔다. 또한 "신제품들은 하이닉스의 검증된 DRAM 기술과 고효율의 최신 장비들을 갖추고 있는 Fab설비를 이용하여 대량 생산을 가능하게 함으로써 경쟁업체에 비해 상당한 원가경쟁력을 갖고 있다."고 덧붙였다.

한편 플래시 메모리 사업을 한층 강화하고 있는 하이닉스반도체는 올 7월부터 신제품들의 대량생산을 개시, 플래시 메모리 사업부문에서 올해 2천만불과 내년 1억2천만불의 추가 매출을 올릴 수 있을 것이라고 밝혔으며, 이 부문에 대한 집중적인 투자를 통해 전체 플래시 메모리 시장의 75%를 차지하고 있는 型 제품 분야에서 세계시장 점유율 5위권에 진입할 계획이다.

2001년 6월 7일(木)
-끝-