SK하이닉스, 16나노 낸드플래시 본격 양산 체제 구축

SK하이닉스(www.skhynix.com, 대표이사: 박성욱)는 업계 최소 미세공정인 16나노를 적용한 64Gb(기가비트) MLC 낸드플래시의 본격 양산에 나섰다고 20일(水) 밝혔다.

SK하이닉스는 지난 6월 세계 최초로 16나노 공정을 적용한 1세대 제품을 양산한 데 이어, 칩(Chip) 사이즈를 줄여 원가경쟁력을 강화한 2세대 제품도 최근 양산에 나서면서 낸드플래시의 경쟁력을 더욱 강화할 수 있는 계기를 마련하게 됐다.

또한, SK하이닉스는 양산성을 확보한 16나노 64Gb MLC 낸드플래시 제품의 특성과 신뢰성을 기반으로 MLC 기준 단일 칩 최대 용량인 128Gb(16GB, 16기가바이트) 제품 역시 개발 완료했다. 이 제품은 내년 초 양산될 계획이다.

일반적으로 공정이 미세화될수록 셀(Cell) 간 간섭 현상이 심해지는데, SK하이닉스는 최신 공정방법인 에어갭(Air-Gap) 기술을 적용해 16나노 공정 적용에 따른 셀 간 간섭현상을 극복할 수 있었다고 설명했다. 에어갭 기술은 회로와 회로 사이에 절연 물질이 아닌 빈 공간(Air)으로 절연층을 형성하는 기술이다.

SK하이닉스 FlashTech개발본부장 김진웅 전무는 “업계 최소 미세공정인 16나노 기술을 개발해 세계 최초로 양산한 데 이어, 이번에 128Gb MLC 제품 개발까지 완료해 대용량 낸드플래시 라인업도 구축하게 됐다”면서, “향후 높은 신뢰성과 데이터 사용 내구성을 확보한 낸드플래시 제품을 통해 고객 요구에 적극 대응해 나갈 것”이라고 밝혔다.

한편, SK하이닉스는 TLC 및 3D 낸드플래시 개발에도 박차를 가하는 등 낸드플래시 솔루션 경쟁력을 강화해나간다는 계획이다. <끝>

■ 에어갭(Air-Gap)
- 데이터를 저장하는 셀(Cell)은 주변을 절연물질로 채워 전기적으로 분리해야 데이터를 안정적으로 저장할 수 있으나, 회로가 미세화 되어 셀과 셀 사이 간격이 좁아지면서 이에 따른 데이터 간섭현상도 증가하게 된다. 에어갭 기술은 이러한 간섭현상을 해결하기 위해 기존 절연물질(산화실리콘, SiO2)보다 유전상수가 낮은 공기(Air)로 셀 주변을 채워 데이터 간섭현상을 차단하는 기술이다.

■ 낸드플래시 관련 용어 설명
- SLC(Single Level Cell)는 셀 당 1개 비트(bit)를 저장할 수 있는 플래시 메모리다. 한편, 2개 이상의 비트를 저장할 수 있는 플래시 메모리를 MLC(Multi Level Cell)라고 부르는데, 일반적으로 셀 당 2개 비트를 저장하면 MLC, 3개 비트를 저장하면 TLC(Triple Level Cell)라고 한다.
- 3D 낸드플래시 : 미세공정 기술이 물리적 한계에 도달함에 따라 이를 극복하고자 기존 평면 으로 배열된 셀을 수직으로 쌓아 올려 대용량을 실현하는 제품이다.