- 0.11미크론급 기술 적용한 제품으로 내년 초 양산 계획
- 우수한 기술 및 원가 경쟁력으로 초고속 메모리 시장 주도
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하이닉스반도체(대표 우의제(禹義濟), www.hynix.com)가 0.11미크론의 초미세 회로선폭 기술을 적용한 1기가 DDR2 D램 개발에 세계 최초로 성공했다고 11일 밝혔다.
DDR2 D램은 DDR533 이상의 제품군으로 기존 DDR 제품보다 데이터 처리속도가 2배 이상 빠르고 낮은 동작전압으로 전력절감 효과도 커 PC, 고성능 서버, 워크스테이션 등의 메인 메모리에 사용될 전망이며, 현재 일부 업체에서 512메가 제품을 양산하고 있지만 1기가 제품 개발은 이번이 처음이다.
하이닉스반도체가 이번에 개발한 제품은 세계 최고 수준의 독자적인 기술인 골든칩(0.11미크론) 기술을 적용하여 개발됐으며, 양산은 인텔社의 DDR2 지원 칩셋(Chipset) 출시에 맞추어 내년 초부터 들어갈 계획이다.
한편, 하이닉스반도체는 533MHz의 동작속도는 물론 667MHz까지 지원이 가능한 512메가 DDR2 D램을 지난 6월 개발하여 이미 여러 고객들에게 단품 및 모듈을 공급하여 대외적으로 제품 성능을 인정 받은 바 있다. 하이닉스반도체가 개발한 1기가 및 512메가 DDR2 D램은 각각 68ball FBGA 패키지와 60ball 및 84Ball FBGA 패키지로 구성되어 국제표준화기구인 제덱(JEDEC) 표준을 따랐다.
하이닉스반도체는 최근 DDR 제품을 중심으로 점차 회복되어 가는 메모리 시장에서 DDR400, DDR500 제품 양산에 이어 1기가 DDR2 제품 개발에도 성공함으로써 우수한 기술 및 원가 경쟁력을 바탕으로 초고속 메모리 시장에서 주도적 역할을 해 나간다는 전략이다.
2003년 8월 11일(月)
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