중국 반도체 시장의 허장성세(虛張聲勢)

허장성세(虛張聲勢), 비어 있고 과장된 형세로 소리를 낸다는 뜻입니다. 저는 중국의 ‘반도체 굴기’와 관련된 국내의 많은 경고들이 이와 비슷하다고 생각합니다. 중국 반도체의 실체에 접근하기에는 제한돼 있다 보니 벌어지는 일인 듯 합니다. 여기에 중국에 대한 반감까지 결합해 중국 반도체 산업의 실체를 실제보다 과장합니다. 물론 상대를 과소 평가해서는 안되겠지만 상대의 실력을 과장하는 것도 옳지 않다고 봅니다. 오늘은 우리에게 익히 알려진 중국 반도체 시장에 대해 되짚어보는 시간을 갖고자 합니다.

중국의 수십조 반도체 펀드에 관하여

최근 중국 반도체와 관련해 주목할만한 뉴스가 하나 있었습니다. 중국 정부가 반도체산업을 육성하기 위해 3000억위안(약 50조7840억원) 규모의 펀드를 조성할 계획이라는 월스트리트저널의 보도입니다. 2015년 약 170조원 규모의 ‘국가반도체산업 투자펀드’를 만든 중국 정부는 관련 자금이 대부분 집행되면서 추가 펀딩을 고민해왔습니다. 이번에 조성하는 약 51조원 정도의 펀드는 당초 예상됐던 35조원 대비 규모가 커졌습니다.

일단 금액의 단위가 100조원 이상을 넘어가면 느끼기에 상당히 많아 보이는 것이 사실입니다. 하지만 정말로 한국 등에 비해 압도적으로 많은 돈일까요? 일단 중국 정부가 2015년 조성한 170조원은 올해까지 3년여 동안 집행됐다는 점을 확인할 필요가 있습니다. 연간으로 따지면 대략 한 해에 50조원 정도입니다. 한국은 어느 정도일까요. 지난해 SK하이닉스는 10조3000억원, 삼성전자는 반도체 부문에 27조3000억원을 투자했습니다. 합하면 37조6000억원으로 중국보다 적어 보입니다.

하지만 중국의 반도체 펀드는 반도체 제조 공장은 물론, 반도체 소재 및 장비 업체까지 대상으로 한다는 점을 감안할 필요가 있습니다. 반도체 펀드 지원 대상에 상장 기업만 20여곳에 이르고, 지원 프로젝트는 70개에 달하는 이유입니다. 결국 중국 반도체 펀드의 규모가 커 보이지만 반도체 제조에 투입되는 투자만 따지면 한국보다 적을 가능성이 높습니다. 거꾸로 한국의 반도체 관련 소재 및 장비업체들의 지난해 투자 규모를 합하면 중국 반도체 펀드의 투자 규모와 큰 차이가 없을 수도 있습니다.

中 자금 집중된 창장메모리의 기술, 어디까지 왔나

개별 업체들로 들어가보면 이같은 차이는 더 벌어집니다. 2015년 반도체 펀드가 설립된 이후 집중적으로 자금이 집행된 업체는 파운드리(반도체 수탁 생산)에서 SMIC와 GSMC, 메모리반도체에서는 창장메모리와 허페이창신, 푸젠진화 등이 있습니다. 창장메모리는 3차원(3D) 낸드플래시, 허페이창신과 푸젠진화는 D램 생산을 목표로 2016년부터 공장을 지었습니다.

우선 창장메모리는 한국에 가장 잘 알려진 중국 반도체업체 칭화유니의 계열사입니다. 칭화대의 기술 벤처에서 시작한 칭화유니는 중국 정부의 전폭적인 지원을 바탕으로 2013년부터 16개 해외 반도체 기업을 인수하며 기술력을 축적해왔습니다. 단일 기업으로는 가장 많은 40조원을 국가 반도체 펀드에서 유치했으며, 창장메모리의 32단 3D 낸드 공장에도 26조원을 투자했습니다. 연말까지 월 1만장의 3D 낸드를 양산하는 것이 목표입니다. 시장조사업체 IHS도 이 회사가 올 4분기에 8000장 정도의 3D 낸드를 양산할 것으로 전망하고 있습니다.

창장메모리는 중국 메모리 반도체 업체 중에 가장 기술력이 높지만 한국 기업들에 비해서는 여전히 뒤떨어진다는 점을 확인할 수 있습니다. 3D 낸드는 단수가 올라갈수록 집적도도 높아지고 높은 기술을 필요로 합니다. 삼성전자는 4년 전인 2014년 32단 3D 낸드 양산에 성공했습니다. SK하이닉스의 3D 낸드는 72단에 이릅니다. 창장메모리가 올해말 32단 낸드 양산을 시작하더라도 한국과 중국의 기술력 격차가 4년이라고 말하기도 힘듭니다. 경제성 있는 수준으로 불량률을 낮추고 품질을 올렸는지는 다른 문제이기 때문입니다.

최근에는 창장메모리의 올해 연말 양산도 힘들 것이라는 전망이 나옵니다. 칭화유니그룹을 이끌어온 자오웨이궈 회장이 지난달 산하 2개 계열사 대표이사직에서 돌연 물러난 것과 관련해서입니다. 창장메모리가 3D 낸드 시제품을 만드는 데는 성공했지만 양산 기술이 기대만큼 높아지지 않았다는 분석입니다. 기자가 만난 한 소식통은 다음과 같이 말했습니다. “중국 정부가 공을 들여 육성하는 산업의 수장의 역할을 갑자기 축소하는 것은 상당히 이례적이다. 칭화유니 및 창장메모리에 대한 중국 정부의 강한 실망감을 방증하는 예다. 창장메모리의 32단 3D 낸드 양산이 올해 안에 힘들 가능성이 높다.”

D램에서 보이는 극명한 韓-中 기술 격차

D램과 관련된 기술은 낸드보다 훨씬 암울합니다. 허페이창신은 이미 3월로 예정됐던 시제품 양산에 실패했습니다. 9월을 목표로 하는 푸젠진화도 쉽지 않을 것으로 예상됩니다. 두 업체 모두 생산 장비도 완전히 갖추지 못해 최근까지도 장비를 추가 구매한 것으로 확인됐습니다. 시제품 생산이 올해를 넘기게 되면 양산은 빨라야 2020년이 될 것으로 전망됩니다. 2022년까지 가도 제대로 D램을 만들기 힘들 것이라는 예상도 나옵니다.

허페이창신이 생산을 목표로 하는 D램의 미세화 수준은 25㎚(나노미터·1㎚=10억분의 1m)입니다. 푸젠진화는 32㎚ 정도의 D램 양산을 추진하고 있습니다. 삼성전자는 17㎚, SK하이닉스가 18㎚까지 이룩한 한국 업체들의 미세화 수준에는 크게 못 미칩니다. 이 역시 제대로 양산됐을 때의 이야기로, 상업성 있는 생산이 2022년에야 가능하다면 기술적 격차는 더 큰 것으로 볼 수 있습니다.

※ 본 칼럼은 반도체/ICT에 관한 인사이트를 제공하는 외부 전문가 칼럼으로, SK하이닉스의 공식 입장과는 다를 수 있습니다.