▲(왼쪽부터) SK하이닉스 민경현 특허 담당, 진교원 개발제조총괄 사장, 이남재 NAND Advanced PI 담당
강우량을 측정하기 위해 발명된 측우기는 농업이 근간이었던 조선 시대 최고의 발명품으로 평가받는다. ‘발명의 날’로 지정된 5월 19일은 바로 이 측우기가 탄생한 날이다. 농업의 부흥에 기여했던 측우기처럼, 위대한 발명품은 한 국가의 산업을 이끌기도 한다. 4차산업혁명 시대, ‘산업의 쌀’로 불리는 반도체 역시 대한민국 경제의 대들보 역할을 하는 현시대 최고의 발명품이라 해도 과언이 아니다. 글로벌 반도체 시장의 Top-Tier 기업인 SK하이닉스는 오늘도 세계 최초, 세계 최고의 위대한 발명을 위해 끊임없이 기술혁신을 거듭하고 있다.
이러한 공로를 인정받아 SK하이닉스는 지난 24일 서울 63컨벤션센터에서 열린 ‘제55회 발명의 날 기념식’에서 진교원 개발제조총괄 사장이 금탑산업훈장을, 이남재 NAND Advanced PI 담당이 산업포장을 수상하며 2관왕을 차지했다. 이와 함께 한국지식재산협회(KINPA) 회장으로 취임한 민경현 특허 담당이 국무총리표창을 수상하며 그 기쁨을 함께했다. 뉴스룸은 기념식 현장에서 영광의 얼굴들을 만나봤다.
반도체 기술 저력 입증한 SK하이닉스, 금탑산업훈장·산업포장 2관왕 영예
▲‘제55회 발명의 날 기념식’에서 기념사를 하고 있는 정세균 국무총리의 모습
‘대한민국의 확실한 변화, 지식재산이 함께합니다’라는 주제로 열린 ‘제55회 발명의 날 기념식’에는 정세균 국무총리를 비롯해 지식재산 분야 관계자 100여 명이 참석했다. 이날 기념식에서는 국가 산업 발전에 기여한 발명유공자 79명에 대한 포상과 최고의 혁신발명가에게 수여되는 ‘올해의 발명왕’ 시상이 이뤄졌다.
▲정세균 국무총리가 SK하이닉스 진교원 개발제조총괄 사장에게 금탑산업훈장을 수여하고 있다.
이날 최고 영예인 ‘금탑산업훈장’은 쟁쟁한 후보들을 모두 제치고 SK하이닉스 진교원 개발제조총괄 사장이 품에 안았다. 진교원 사장은 대한민국 반도체가 세계 최고 명성을 유지하는 데 기여한 공적을 인정받았다. 1990년 현대전자산업(SK하이닉스 전신)에 입사해 약 30년간 메모리 반도체 연구개발 업무를 담당해온 그는, 오랜 시간 꾸준한 노력으로 신제품 개발과 제품 양산을 주도했다. 현재는 SK하이닉스 반도체 개발 및 제조를 총괄하면서 세계 최고의 원가 경쟁력을 갖춘 제품을 개발하기 위해 힘쓰고 있다.
또한, 지식재산의 중요성을 구성원들에게 체화시키고 특허 개발을 생활화할 수 있는 분위기를 조성하기 위해 앞장서고 있다. 지난해에는 ‘가치있는 실패’ 행사를 통해 실패 사례를 공유하고, 이를 통해 시행착오를 줄여 연구개발의 노하우를 전수하는 장(場)을 마련하는 등 구성원들이 연구개발에 전념할 수 있도록 격려하고 있다.
▲SK하이닉스 이남재 NAND Advanced PI 담당이 산업포장을 수상하고 있다.
이날 기념식에서는 진교원 사장에 이어 이남재 NAND Advanced PI 담당이 산업포장을 수상하며 또 한 번 SK하이닉스의 저력을 입증했다. 그는 3D NAND Flash의 요소 기술을 개발하고 불량을 개선하는 등 반도체 개발과 품질 개선에 기여한 공을 인정받았다. 뿐만 아니라 핵심 기술을 특허화함으로써 국가 반도체 기술 경쟁력 강화에 기여했다. 이에 더해 국내 기술 강연에 적극적으로 나서며 발명 진흥과 후배 양성에도 많은 역할을 했다.
▲민경현 한국지식재산협회장(SK하이닉스 특허 담당)이 국무총리표창을 수상하고 있다.
한편, 지난달 한국지식재산협회(KINPA) 회장에 선임된 SK하이닉스 민경현 특허 담당은 이날 국무총리표창을 수상했다. 기업의 지식재산 경쟁력 강화와 관련 법제도 개선 및 국제지식재산 이슈 대응에 기여한 공을 인정받았다.
SK하이닉스 전시 부스에서 만나본 세상을 바꾼 발명품 ‘반도체’
▲SK하이닉스 전시 부스 전경 ▲정세균 국무총리가 SK하이닉스 부스에 전시된 수상 공적 제품들을 둘러보고 있다. ▲SK하이닉스 부스에 전시된 D램 제품
이날 행사장 한쪽에는 수상자들의 발명품을 실물로 접할 수 있는 전시 부스가 마련됐다. SK하이닉스 전시 부스에서는 수상 공적 제품인 메모리 반도체와 함께 SK하이닉스가 글로벌 시장에서 갖는 위상도 함께 엿볼 수 있었다.
SK하이닉스는 2000년부터 전 세계 반도체 기업 순위 변화를 나타낸 그래프를 통해 메모리 반도체 2위, 종합 반도체 3위로 도약하게 된 과정을 소개했다. 부스의 벽면에 설치된 디스플레이에서는 미국 경제지 포춘(Fortune)지가 발표한 ‘글로벌 500대 기업(2018년 순이익 기준)’ 리스트에서 30위권 내에 이름을 올렸음을 강조했다. 이는 TSMC, 도시바 등 유수의 글로벌 기업들보다도 앞선 기록이다.
한편, 부스의 맨 앞쪽에는 SK하이닉스가 지난해 개발에 성공한 3세대 10나노급 16Gb DDR4 제품과 업계 최고속 HBM2E 제품이 전시돼 눈길을 끌었다.
▲SK하이닉스의 3세대 10나노급 16Gb DDR4 D램
SK하이닉스는 지난해 10월 3세대 10나노급(1z)의 미세공정을 적용한 16Gb(기가비트) DDR4 D램 개발에 성공했다. 단일 칩 기준 업계 최대 용량인 16Gb를 구현했으며, 데이터 전송 속도는 DDR4 규격의 최고 속도인 3,200Mbps를 지원한다. 이전 세대인 8Gb 제품 대비 전력 소비를 40% 감소시켰다. 또한, 2세대(1y) 제품 대비 생산성이 약 27% 향상됐으며, 초고가의 EUV(극자외선) 노광 공정 없이도 생산이 가능해 원가 경쟁력도 갖췄다. 이처럼 업계 최고 수준의 용량과 속도, 전력효율을 갖춘 이 제품은 고성능 D램을 찾는 고객의 수요를 충족시킬 것으로 기대된다.
▲SK하이닉스의 HBM2E D램
업계 최고 속도를 자랑하는 SK하이닉스의 HBM2E 역시 눈길을 끈다. 이 제품은 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 HBM(High Bandwidth Memory, 고대역폭 메모리) D램의 차세대 제품으로, 이전 규격인 HBM2 대비 처리 속도를 50% 높였다. 초당 데이터 처리 속도 460GB(기가바이트)를 구현하며, 이는 Full HD급 영화(3.7GB) 124편을 1초 만에 다운로드할 수 있는 속도다. 초고속 특성을 갖춘 고부가 D램인 HBM2E는 인공지능(AI), 머신러닝, 슈퍼컴퓨터, 자율주행차 등 4차산업 기반 시스템에 적합한 고사양 메모리 솔루션으로 평가받는다.