SK하이닉스는 지난 연말 시행한 2024년 조직개편 및 임원인사에서 AI 인프라 시장 경쟁력 강화를 위해 ‘AI Infra’ 조직을 신설했으며, 산하에 HBM* PI담당 신임임원으로 권언오 부사장을 선임했다.
* HBM(High Bandwidth Memory): 여러 개의 D램 칩을 TSV(Through Silicon Via, 수직관통전극)로 연결해 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품. HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)를 거쳐 현재 5세대(HBM3E)까지 개발됨. HBM3E는 HBM3의 확장(Extended) 버전으로 SK하이닉스는 세계 최초로 이 제품 양산을 시작함
권 부사장은 D램 개발 연구위원으로 있던 2022년 세계 최초로 모바일용 D램인 LPDDR에 HKMG* 공정을 도입했으며, 초고속·초저전력 특성을 동시에 구현한 LPDDR5X와 LPDDR5T 개발을 성공적으로 이끌었다. 그는 공로를 인정받아 지난해 ‘SUPEX추구상*’을 수상했다.
* HKMG(High-K Metal Gate): 유전율(K)이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부의 절연막에 사용해 누설 전류를 막고 정전용량(Capacitance)을 개선한 차세대 공정. 속도를 빠르게 하면서도 소모 전력을 줄일 수 있음
* SUPEX추구상: SUPEX추구상은 SK그룹 내 가장 권위 있는 상으로 새로운 도전을 두려워하지 않고, 혁신을 이뤄낸 멤버사 구성원들에게 수여됨
올해 권 부사장은 기술 역량을 바탕으로 SK하이닉스 HBM의 기술 로드맵을 완성하는 중책을 맡았다. 뉴스룸은 그를 만나 차세대 HBM 기술 개발 비전과 AI 시대에 대비한 전략에 관해 들어봤다.
HBM에 집중하는 ‘HBM Business’ 조직 신설 통해 개발 효율성 높여
AI 기술 진화와 함께 AI 메모리를 대표하는 HBM 수요 역시 급성장하고 있다. 권 부사장은 “SK하이닉스의 HBM 제품에 대한 모두의 기대가 큰 시점에 중책을 맡게 되어 자부심과 동시에 큰 책임감을 느낀다”며 “세계 최고의 HBM을 개발한 우리 구성원들의 경험과 도전 정신을 바탕으로 차세대 기술 혁신을 이뤄낼 수 있도록 최선을 다하겠다”고 포부를 밝혔다.
회사는 지난 연말 HBM 개발부터 제품화, 사업화까지 전 과정에 걸쳐 효율성과 완성도를 높이기 위해, 부문별로 흩어져 있던 기능을 한데 모아 ‘HBM Business’ 조직을 신설했다. 제품을 중심으로 조직을 구성하는 것은 흔치 않은 사례로, HBM 선도 기업 지위를 지키겠다는 회사의 의지가 담겨 있다.
권 부사장은 HBM Business 조직의 가장 큰 강점으로 높은 효율성을 꼽았다. 개발 초기 의사결정 과정을 단축해 빠른 조율과 실행이 가능하며, 개발 단계에서부터 직접 고객의 목소리를 듣고 고객이 원하는 가치를 반영할 수 있다는 것이다.
“HBM이라는 하나의 목표를 공유하는 HBM Business 조직이 구성된 덕분에 기술 역량을 집중해서 발휘할 수 있는 환경이 마련됐으며, 구성원들 역시 목표 지향적인 시야를 가질 수 있게 됐다고 생각합니다. 저 역시도 사업 관점에서 기술에 필요한 흐름을 읽을 수 있게 되었으며, 이를 통해 더 많은 부분에 기여할 수 있을 거라 기대하고 있습니다.”
압도적인 반도체 요소 기술 역량, HBM 기술 혁신 위해 펼칠 계획
권 부사장은 자신의 경력 중 가장 의미 있는 성과로 LPDDR에 HKMG 공정을 도입한 사례를 꼽았다. HKMG는 반도체 요소 기술*의 대표적인 혁신 사례 중 하나다. HKMG 공정은 시스템 반도체에는 더 일찍 적용되었지만, 메모리 반도체 중에서도 누설 전류를 제어해 전력 소모를 최소화해야 하는 모바일용 D램에서는 구현되기가 쉽지 않았다.
* 요소 기술: 제품의 특성 변화와 개선을 구현하는데 필요한 핵심적인 기술
그는 과거 글로벌 빅테크 기업에서 시스템 반도체에 HKMG 공정을 성공적으로 적용한 경험을 바탕으로 모바일용 D램에서의 기술 장벽을 돌파해냈다. 권 부사장은 “메모리 회로 구조의 패러다임을 바꾼 기술적 성과를 SK하이닉스 구성원들과 함께 만들어냈다는 데 큰 의미가 있다”고 밝혔다.
그는 또, “HBM은 어렵고 복잡한 선행 기술의 제품으로, 가장 기술집약적인 D램이라 할 수 있다”며, “시스템 반도체에서 메모리 반도체로의 도전을 감행하게 된 계기도 바로 HBM이라는 제품 때문이었다”고 덧붙였다. 시스템과 메모리의 융합을 촉발시킨 HBM에 매료되었던 권 부사장은 이제 본격적으로 또 한번의 기술 혁신을 위해 자신의 역량을 펼칠 계획이다.
“오랫동안 이어져온 미세화(Tech Scaling) 기반 성능 개선을 넘어, 시스템 반도체와 메모리 반도체의 구조와 소자, 공정이 융합하며 기술이 발전하는 시대가 올 것이라고 예상했습니다. 그리고 메모리 반도체가 주도하는 혁신의 기회가 있을 것이라고 생각했고, 그 혁신의 시작이 HBM이라 확신했습니다. 제가 쌓아온 경험이 SK하이닉스의 HBM 기술력에 더 큰 시너지를 만들 수 있도록 최선을 다하겠습니다.”
AI 시대 빠른 변화 앞에 자부심 가지고 도전할 것
권 부사장은 앞으로의 HBM 시장에 대해 “고객이 원하는 가치를 담은 제품으로 전문화(Specialized)되고, 고객 맞춤화(Customized)될 것”이라고 예측했다. 그리고 이를 위해 그는 차세대 HBM은 기능적 우수함은 기본이고, 고객별로 차별화한 스페셜티(Specialty) 역량과 메모리 이상의 역할을 할 수 있는 형태로 진화돼야 한다고 강조했다.
“AI 시대에 들어서며 그동안 겪어보지 못한 수준의 빠른 변화가 이어지고 있습니다. 변화를 예측하고 유연하게 대응하는 것이 무엇보다 중요한 때인데요. AI 시대를 선도하고 1등 기술력을 이어가기 위해 HBM PI 조직 역시 요소 기술의 혁신과 빠른 제품화를 위한 기술 개발에 힘쓰고 있으며, 고객 및 외부 파트너와 적극적으로 소통하며 협업을 진행하고 있습니다.”
권 부사장은 단순히 변화를 받아들이는 것을 넘어 시야를 넓히고 적극적으로 도전하는 자세가 중요하다는 소신을 밝혔다.
“향후 AI용 메모리는 현재와 같은 데이터센터향(向) 외에도 특정 목적에 맞춰 성능과 효율성을 높인 ASIC(Application Specific Integrated Circuit)* 형태나 고객의 제품에 최적화한 온디바이스(On Device) 형태로 확대될 것입니다. HBM뿐만 아니라 다양한 종류의 D램이 AI용 메모리로 사용될 것이고, 전통적인 특성 외 다양한 조건으로 특화된 소자 개발이 필요할 것입니다. 이러한 격변기에는 여러 기술을 융합하여 시너지를 낼 수 있도록 시야를 넓히고, 과감히 도전하며 실패하더라도 그 경험을 바탕으로 다시 도전하는 자세가 중요하다고 생각합니다.”
* ASIC(Application Specific Integrated Circuit): 특정 목적을 위해 설계된 집적 회로. 주문형 반도체라고도 함
끝으로, 권 부사장은 구성원들에게 AI 시대의 변화를 끌어간다는 자부심을 가질 것을 당부했다.
“그동안 수많은 기술 변곡점이 있었지만, AI가 만드는 변화는 그 어느 때보다 크고 거셉니다. SK하이닉스가 압도적인 기술 경쟁력을 바탕으로 현재의 기술 변화를 주도하고 있다는 사실을 잊지 마십시오. 모든 구성원이 AI 시대의 주역입니다. 저 역시 그러한 자부심과 책임감을 가지고 HBM 기술력을 높여 가겠습니다.”
