SK하이닉스는 지난 19일 서울 강서구 코엑스 마곡 르웨스트홀에서 열린 ‘제61회 발명의 날’ 기념식에서 안현 개발총괄 사장(CDO, Chief Development Officer)이 금탑산업훈장을, 최형진 TL(NAND개발)이 대통령표창을 각각 수훈했다고 밝혔다.
‘발명의 날(5월 19일)’은 발명의 중요성을 알리고 발명 의욕을 고취하기 위해 지정된 법정 기념일이다. 지식재산처는 한국발명진흥회와 함께 매년 발명의 날 기념식을 열고, 발명을 통해 국가 산업 발전에 기여한 유공자들을 선정해 포상하고 있다.
이날 기념식에는 김용선 지식재산처장을 비롯한 주요 정부 관계자와 SK하이닉스 안현 개발총괄 사장을 비롯한 산업계 인사들이 대거 참석해 자리를 빛냈다. SK하이닉스는 HBM4와 321단 1Tb(테라비트) 4D 낸드 등 글로벌 AI 메모리 시장의 판도를 바꾼 혁신 기술들을 앞세워, 대한민국 산업 발전을 이끄는 기술 리더로서 달라진 위상을 잘 보여주었다.
AI 메모리 포트폴리오 완성해 국가 반도체 경쟁력 강화 주도
▲ 제61회 발명의 날 기념식에서 SK하이닉스 안현 개발총괄 사장이 수훈한 금탑산업훈장
안현 사장은 차세대 HBM* 개발을 주도하며 SK하이닉스의 기술개발(R&D) 역량을 세계 최고 수준으로 끌어올린 공로로 금탑산업훈장을 수훈했다. 이와 함께 D램과 낸드를 아우르는 AI 메모리 포트폴리오를 완성해, 우리나라가 글로벌 AI 메모리 시장에서 독보적인 위상을 확보하는 데 기여한 공로도 인정받았다.
* HBM(High Bandwidth Memory): 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 용량을 높이고 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품. HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E)-6세대(HBM4) 순으로 개발됨
“이번 수상은 세상에 없던 제품과 기술을 만들기 위해 밤낮없이 도전하고 극복해 온 SK하이닉스 구성원 모두의 집념과 패기 덕분에 얻은 영예입니다. 발명은 한 사람의 아이디어에서 시작될 수 있지만 그것을 실제 제품으로 만들고 산업의 표준으로 만드는 일은 수많은 동료들의 협업과 끈기가 없으면 불가능합니다. 특히 SK하이닉스가 발명한 HBM은 인공지능 시대를 여는 핵심 제품으로 자리 잡으며, 우리가 만들어온 혁신이 글로벌 산업 혁신에 크게 기여할 수 있음을 보여준 소중한 사례라고 생각합니다.”
안 사장은 HBM4를 적기에 개발하고 업계 최초로 양산 체제를 구축해, SK하이닉스가 글로벌 AI 메모리 시장에서 압도적인 점유율을 확보하는 데 크게 기여했다. 낸드 분야에서도 321단 1Tb TLC* 4D 낸드 개발 및 양산을 통해 업계 최초로 300단 적층 시대를 열었고, 이를 기반으로 AI 데이터 스토리지 시장을 선점해 나가고 있다. 아울러 이전 세대 대비 대역폭과 연속 읽기 속도를 대폭 개선한 eSSD ‘PS1012 U.2’를 개발해, AI 시대를 맞아 급증하고 있는 기업용 스토리지 수요에도 발 빠르게 대응해 나가고 있다.
* 셀(Cell)에 저장 가능한 비트(Bit) 단위에 따라 SLC(Single Level Cell, 1개)-MLC(Multi Level Cell, 2개)-TLC(Triple Level Cell, 3개)-QLC(Quadruple Level Cell, 4개) 등으로 규격이 나뉨. 정보 저장량이 늘어날수록 같은 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있음
“HBM 시장은 정해진 규격에 맞춰 제품을 공급하는 ‘표준의 시대’에서 고객의 다양한 요구에 빠르게 대응하는 ‘맞춤의 시대’로 전환되고 있습니다. 이제는 제품 공급자(Provider)를 넘어, 설계 단계부터 고객과 함께 최적의 설루션을 만들어가는 ‘크리에이터(Creator)’로 진화해야 합니다. SK하이닉스는 커스텀 HBM, 더 나아가 HBF*와 3D Stacked D램 on Logic*으로 이어지는 기술 혁신을 본격화하고 이를 바탕으로 앞으로도 글로벌 AI 메모리 시장에서 기술 리더십을 유지해 나가겠습니다.”
* HBF(High Bandwidth Flash): 급증하는 대규모 연산 데이터(KV Cache 등)를 효율적으로 처리하기 위해 초고속 데이터 전송 기능을 강화한 차세대 낸드 설루션. HBM과 마찬가지로 베이스다이(Base Die)에 로직 공정을 적용해 성능을 극대화함
* 3D Stacked D램 on Logic(3D Stacked DRAM on Logic): SoC(System on Chip) 등 로직 반도체 위에 D램을 수직으로 직접 쌓아 올리는 최첨단 적층 기술. 데이터 통로(I/O)를 대폭 늘려 지연 시간을 최소화하고 전력 효율과 공간 활용도를 획기적으로 개선할 수 있어 주로 온디바이스(On-device) AI 등에 활용됨
안 사장은 차세대 메모리 기술 확보에도 많은 노력을 기울여 왔다. 네이버클라우드와의 전략적인 협업을 통해 차세대 메모리 기술로 주목받는 CXL*과 PIM*을 실제 서비스 환경에 적용해, 성능을 검증하고 시스템 최적화를 진행했다. 또, CXL 2.0 기반 ‘CMM(CXL Memory Module)-DDR5*’도 고객 인증을 마치고 상용화 수순을 순조롭게 밟아 나가고 있다. 낸드 분야에서는 ▲차세대 고속 eSSD용 낸드인 ‘AIN-P’ ▲ TSV 기술을 적용해 대역폭을 확보한 ‘AIN-B’ 등 각 영역에 특화된 차세대 제품을 확보하는 ‘AI-NAND 패밀리’ 전략을 추진하며, 미래 AI 인프라 구축을 위한 기술적 기반을 닦고 있다. 특히 AIN-B는 HBF라는 제품명으로 미국 샌디스크(SanDisk)와 전략적 협업을 통해 함께 표준화를 추진하며 시장을 개척하고 있다.
* CXL(Compute eXpress Link): 시스템상에 있는 메모리와 프로세서 등을 효율적으로 연결해, 대역폭과 용량의 한계를 확장해 주는 인터페이스 기술
* PIM(Processing-In-Memory): 메모리에 프로세서의 연산 기능을 더해, 기존 메모리와 프로세서 사이 데이터 병목현상을 해소하고 속도 성능을 획기적으로 높여주는 차세대 메모리
* CMM-DDR5: 기존 DDR5 모듈 대비 시스템 용량을 50% 확장하고 대역폭을 30% 늘려 초당 36GB의 데이터 처리 능력을 실현한 제품으로, 다가올 AI 클라우드 시대의 핵심 메모리 설루션으로 평가받고 있음
아울러 세계 최초로 ‘ZUFS* 4.1’ 양산 체제를 구축해, 모바일 AI 분야 기술 혁신도 주도하고 있다. 이와 함께 지난해 국내 반도체 기업 최초로 ‘ASPICE* 레벨2’ 인증을 획득하는 등 글로벌 오토모티브 시장 공략을 위한 기술적 토대도 마련했다.
* ZUFS(Zoned Universal Flash Storage): 디지털카메라, 휴대전화 등 전자제품에 사용되는 플래시 메모리 제품인 UFS의 데이터 관리 효율이 향상된 제품. 이 제품은 유사한 특성의 데이터를 동일한 구역(Zone)에 저장하고 관리해 운용 시스템과 저장장치 간의 데이터 전송을 최적화함
* ASPICE: 완성차 업체에 부품을 공급하는 공급업체의 능력을 평가하고, 평가 결과를 공식적으로 등급화해 공급업체의 품질 능력향상을 목적으로 하는 표준(Automotive Software Performance Improvement and Capability Determination)
“현재 AI 산업이 마주한 가장 본질적인 과제인 ‘메모리 병목현상(Memory Wall)’을 해결하기 위해선 대역폭, 용량, 전력 효율이라는 세 축을 동시에 혁신해야 합니다. 그러려면 D램과 낸드, 설루션을 개별 제품으로 보는 시각에서 벗어나, 시스템 전체의 성능을 극대화하는 ‘하나의 통합 메모리 스택’으로 통합 설계하는 입체적인 접근법이 필요합니다. 앞으로도 계속 치열하게 고민하고 도전하며, 차세대 AI 인프라의 표준을 정립해 나가겠습니다.”
▲ 제61회 발명의 날 기념식에서 금탑산업훈장 수훈 후 기념 촬영을 하고 있는 SK하이닉스 안현 개발총괄 사장
이 밖에도 안 사장은 학계, 중소기업과의 기술 협력을 통해 공급망 경쟁력을 강화하는 데에도 많은 노력을 기울이고 있으며, 미국, 대만, 유럽 등 글로벌 연구 조직을 이끌며 글로벌 인재 네트워크를 구축해 차세대 반도체 인재 확보에도 힘쓰고 있다.
“반도체 산업은 한 회사의 기술력이 아니라, 다양한 파트너를 아우르는 하나의 생태계가 함께 만들어가는 산업입니다. 아무리 뛰어난 기술도 신뢰할 수 있는 파트너와 이를 구현해 낼 인재가 없다면 결코 제품으로 완성될 수 없습니다. 앞으로도 협력사를 ‘거래선’이 아닌 ‘함께 성장하는 파트너’로 보고, 외부 변수에 흔들리지 않는 견고한 산업 구조를 함께 만들기 위해 노력하겠습니다. 또, 세계 각지의 R&D 거점을 연결하고 미래 인재 양성에 매진해, AI 시대를 함께 그려갈 글로벌 기술 역량도 갖춰 나가겠습니다.”
“기술 혁신 통해 글로벌 AI 메모리 주도권 공고히 다지겠다”
▲ 제61회 발명의 날 기념식에서 대통령표창 수훈 후 기념 촬영을 하고 있는 SK하이닉스 최형진 TL(NAND개발)
최형진 TL은 4D 낸드의 핵심기술을 특허로 확보하고 AI 구현에 필요한 고용량 낸드를 개발해, 업계 최고 수준의 원가경쟁력과 성능을 확보한 공로로 대통령표창을 받았다. 최 TL은 별도의 장비를 추가로 사용하지 않고도 4D 낸드 구동에 필수적인 주변회로의 면적을 혁신적으로 줄이는 기술적 아이디어를 제안해 원가경쟁력을 획기적으로 끌어올렸다. 또한 데이터를 읽고 쓸 때 드는 소비전력을 대폭 절감하고 제품의 신뢰성을 높이는 독자적인 동작 기술을 제시해, SK하이닉스가 세계 최초로 321단 4D QLC 낸드를 개발하고 양산 체제를 구축하는 데 중요한 역할을 했다.
이와 함께 단일 셀 기반 기존 구조의 한계를 넘어설 수 있는 MSC* 구조를 실제로 설계에 적용하기 위한 새로운 기술적 아이디어들을 다수 발굴해, SK하이닉스가 QLC(Quadruple Level Cell) 다음 세대 규격인 PLC(Penta Level Cell) 기술을 선점하는 데 기여한 공로도 인정받았다. 이 밖에도 최 TL은 차세대 메모리 낸드에 필요한 특허를 지속적으로 확보하고 있으며, 연구원 교육에도 힘써 SK하이닉스의 R&D 역량 향상에도 이바지하고 있다.
* MSC(Multi Site Cell): 한 개 셀의 면적을 줄여 두 개의 셀로 만들고 각 셀이 6개의 데이터를 구분하게 하는 셀 구조
“이번 수훈을 통해 그동안 치열하게 고민하며 쌓아온 지식재산의 가치를 인정받은 것 같아 매우 기쁩니다. 특히 저와 동료들의 아이디어들이 회사가 업계 최초로 300단 적층 시대를 열어가는 데 조금이나마 도움이 됐다는 점에 큰 자부심과 보람을 느낍니다. 앞으로도 계속 이런 보람을 얻기 위해 현실에 안주하지 않고 계속 연구개발에 매진하겠습니다.”
▲ 제61회 발명의 날 기념식에서 SK하이닉스 최형진 TL이 수훈한 대통령 표창
SK하이닉스는 이번 수훈을 개인의 성과를 넘어 ‘회사가 지향하는 원팀(One Team) 기반의 기술 혁신을 통해 얻은 결실’이라고 평가했다.
SK하이닉스는 “이번 수훈은 SK하이닉스가 AI 메모리 시장에서 쌓아온 기술적 성과와 이를 통해 확보한 대한민국의 반도체 위상을 다시 한번 인정받은 결과”라며 “앞으로도 차세대 AI 메모리 개발에 박차를 가해 글로벌 기술 리더십을 공고히 하고, 국내 반도체 생태계와 동반 성장할 수 있도록 지식재산 창출과 양산기술 고도화에도 매진하겠다”고 말했다.
