AI 인프라를 둘러싼 글로벌 기업 간 협력과 경쟁 양상이 어느 때보다 복잡해지는 가운데, 관련 업계의 사업 방향성을 한자리에서 살펴볼 기회가 마련됐다. HPE가 지난 15~18일(현지 시간) 나흘간 미국 라스베이거스 베네치안 컨벤션 센터(The Venetian Convention and Expo Center)에서 ‘HPE Discover Las Vegas 2026(이하 HPED 2026)’을 개최한 것이다.
HPE는 하이브리드 클라우드 및 데이터센터용 서버 전문 기업이다. 매년 6월 HPED를 열어 파트너들과 기업 고객들에게 기술 로드맵과 사업 전략을 공유하고, 협력 방안을 함께 모색하고 있다. 올해는 AI · 클라우드 · 네트워크를 세 축으로 삼아 프로그램을 구성해, AI 시대를 맞아 재편되고 있는 IT 인프라 전반의 변화와 기회를 집중 조명했다.
SK하이닉스는 이번 HPED 2026서 HPE와의 전략적 파트너십을 한층 공고히 다지는 동시에, AI 서버 시장에서의 기술 리더십을 확인받는 자리로 삼았다. HPE 서버에 실제 탑재되는 인증 제품들을 전시 전면에 내세워 양사의 협력 관계를 구체적으로 보여줬고, HBM*을 필두로 서버 D램, eSSD, CMM(CXL* Memory Module)-DDR5까지 아우르는 폭넓은 포트폴리오를 통해 AI 인프라 전반에서 ‘풀 스택 AI 메모리 크리에이터(Full Stack AI Memory Creator)’로서 강렬한 존재감을 드러냈다.
* HBM(High Bandwidth Memory): 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 용량을 높이고 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품. HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E)-6세대(HBM4) 순으로 개발됨
* CXL(Compute Express Link): 고성능 컴퓨팅 시스템에서 CPU/GPU, 메모리 등을 효율적으로 연결해 대용량, 초고속 연산을 지원하는 차세대 인터페이스
AI 인프라 핵심 설루션으로 주목받은 ‘HBM’과 ‘CMM-DDR5’
▲ 제품의 기술적 특징을 공간 언어로 풀어낸 SK하이닉스의 전시 부스 디자인
SK하이닉스는 이번 전시 부스를 eSSD 방열판의 구조에서 영감을 받은 노란색 디자인으로 꾸며 시선을 끌었다. 제품의 기술적 특징을 공간 언어로 풀어낸 이 디자인은 전시 현장에서도 SK하이닉스 제품의 뛰어난 스펙과 기술력을 선명하게 부각하는 역할을 했다. 제품 전시 공간은 ▲HBM ▲CMM-DDR5 ▲eSSD ▲서버 D램 등 4개의 전시대로 구성됐다.
부스 오른쪽 코너에 자리한 HBM 전시대에서는 엔비디아의 슈퍼 칩 ‘베라 루빈(Vera Rubin)’의 내부 구조를 구현한 모형을 중심으로, HBM4가 탑재되는 위치와 역할을 확인할 수 있게 구성했다. 모형 주변으로는 ▲HBM4 48GB 16단 ▲HBM4 36GB 12단 ▲HBM3E 36GB 12단 실물 제품을 나란히 배치하고 각 제품의 주요 스펙을 함께 소개해, 세대를 거듭하며 진화 중인 SK하이닉스 HBM 기술의 궤적을 한눈에 살펴볼 수 있도록 했다.
HBM 전시대 바로 뒤에 배치된 CMM-DDR5 전시대에서는 1세대(128GB, CXL 2.0+ 기반)와 최신 2세대(256GB, CXL 3.2 기반) CMM-DDR5 제품을 나란히 배치해, 한 세대 만에 용량과 대역폭을 한 단계 끌어올린 기술적 성과를 확인할 수 있게 했다. AI 인프라 생태계 내에서의 협력 관계도 단단히 다졌다.
특히 이번 HPED 2026 행사에서는 리퀴드(Liqid)사의 CXL Pooled Memory Server에 SK하이닉스 CMM-DDR5 제품을 장착하여 공동 전시해, 차세대 AI 인프라를 위한 실질적인 하드웨어 연동 가능성을 제시했다.
AI 인프라 시장 겨냥한 최신 제품 포트폴리오에도 시선 집중
부스 왼쪽에는 eSSD 전시대와 서버 D램 전시대가 나란히 자리했다. 이곳에선 고용량 · 고성능을 요구하는 AI 워크로드 환경에 대응하는 SK하이닉스의 폭넓은 제품 포트폴리오를 한자리서 살펴볼 수 있어, 업계 관계자들과 관람객들의 발길이 끊이지 않았다.
그 중 왼편의 eSSD 전시대에서는 ▲PS1010/1030 U.3 ▲PE1010/1030 U.3 ▲PS1010/1030 E3.S ▲PE1010/1030 E3.S ▲SE5110 SATA3 ▲PE9010 M.2 2280 ▲PEB210 M.2 2280 등 다양한 폼팩터와 인터페이스를 아우르는 eSSD 라인업이 총망라됐다. 관람객들은 다양한 규격과 용량의 제품들을 하나하나 꼼꼼히 비교해 보며 eSSD 시장을 선도하고 있는 SK하이닉스의 기술력에 높은 관심을 보였다.
오른편 서버 D램 전시대에서는 AI 워크로드에 맞춰 업계 최대 용량을 구현한 ‘256GB 3DS* RDIMM*’을 필두로 128GB, 96GB, 64GB 등 다양한 용량의 DDR5 RDIMM 라인업이 소개됐고, 새로운 폼팩터(Form Factor)로 전력 효율과 공간 효율을 높인 ‘192GB SOCAMM*2’도 함께 전시됐다.
* 3DS(3D Stacked Memory): 2개 이상의 D램 칩을 TSV(수직관통전극)로 연결한 고성능 메모리
* RDIMM(Registered Dual In-line Memory Module): 여러 개의 D램이 결합된 서버용 모듈
* SOCAMM(Small Outline Compression Attached Memory Module): 저전력 D램 기반의 AI 서버 특화 메모리 모듈
특히 이곳에선 HPE 서버 시스템과 함께 실제 이에 탑재되는 인증 제품들이 배치돼, 양사의 긴밀한 협력 관계도 상징적으로 보여줬다. SK하이닉스는 176단 4D 낸드 기반의 데이터센터 eSSD ‘PS1010 E3.S’와 세계 최초로 10나노(㎚)급 6세대(1c)* 공정 기술을 적용해 처리 속도와 전력 효율을 높인 서버 D램 ‘64GB DDR5 RDIMM’의 인증을 마치고 HPE에 공급 중이다.
* 10나노(nm)급 미세공정 기술은 세대순으로 1x-1y-1z-1a-1b-1c(6세대)로 진화함
“풀 스택 CXL로 한계를 넘다”… 발표 세션서 기술 비전도 제시
전시 현장의 열기는 컨퍼런스 룸에서 진행된 기술 세션으로도 이어졌다. 구병호 TL(DRAM Solution)과 홍윤재 TL(DRAM System Analysis)은 브레이크아웃 세션(Breakout Session)에서 ‘Breaking Limits with Full-Stack CXL: From Architectural Scaling to Hardware-Software Co-Design’을 주제로 발표를 진행하며, SK하이닉스의 기술적 비전을 공유했다.
두 발표자는 AI 추론(Inference) 고도화에 따른, 동적 데이터(Dynamic Data) 증가로 인해서, 메모리 용량과 대역폭의 요구가 급격히 상승하여, 기존 메모리 아키텍처가 한계에 직면했음을 짚으며 발표를 시작했다. 이에 대한 해법으로는 CXL Pooled Memory System 및 PNM(Processing-Near-Memory)을 활용한 아키텍처를 제시했고, 이종 메모리를 효과적으로 사용하기 위한 메모리 관리 도구인 HMSDK(Heterogeneous Memory SDK)와 그 응용을 소개했다.
SK하이닉스는 “이번 HPED 2026을 통해 HPE를 비롯한 글로벌 파트너들과 협력 관계를 한층 공고히 하고, AI 인프라 전반에서 SK하이닉스가 제공할 수 있는 기술 역량을 폭넓게 알리는 데 집중했다”며 “앞으로도 ‘풀 스택 AI 메모리 크리에이터’로서 파트너들과 함께 AI 인프라 전반에서 SK하이닉스의 역할을 확대해 나가겠다”고 말했다.
